Evaluierung diverser Entwickler für E-Beam belichtete CSAR 62-Schichten (100kV)

Zur Evaluierung verschiedener Entwickler für CSAR 62 wurden von Dr. Lothar Hahn (Karlsruher Institut für Technologie (KIT), Institut für Mikrostrukturtechnik) mit 100kV E-Beam belichtete Substrate zur Verfügung gestellt (Dosisvariationen).

Interferenzlithographie

Die Interferenzlithographie ist eine seltener genutzte Methode zur Strukturierung. Das Prinzip ist das gleiche wie in der Interferometrie oder auch Holographie. Durch die Überlagerung zweier oder auch mehrerer kohärenter Lichtwellen kommt es zur Ausbildung eines periodischen Interferenzmusters.

Verdünner (Lösemittel)

Richtiges Verdünnen von Lacken. (siehe Verdünnung von Resists) Jeder Resist besteht hauptsächlich aus Lösemitteln. Die meisten Photoresists und die Negativ-E-Beam Resists verwendet als Hauptlösemittel das PMA (PGMEA)

Prozessablauf Photoresist

Reinigung der Substrate Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten (2-3 min, hote plate) zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.