Haftfestigkeit

Zur Verbesserung der Haftung dienen Haftvermittler, wie z.B. der Adhäsionspromotor AR 300-80, der unmittelbar vor der Lackbeschichtung mittels Spincoating als dünne, ca. 15 nm dicke Schicht aufgetragen wird.

Verdünnung von Resists

Flusssäure-Ätzungen werden, trotz der Gefährlichkeit der HF, technologisch eingesetzt, auch mit den hochprozentigen Säuren (48%). Die technologischen Probleme werden im Artikel „Nasschemisches Ätzen“ dargestellt.

Allgemeines: Resistzusammensetzung

Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.

Schwarzlack

Bei erstaunlich vielen Anwendungen ist es wichtig, die Licht-Durchlässigkeit der Substrate vollständig zu unterbinden, jedoch trotzdem noch strukturieren zu können.  Am besten sollte der optisch geschützte Bereich den gesamten UV/VIS-Bereich abdecken, also von 200 – 1.000 nm.

ATLAS 46 allgemein

Die beiden  Resists Atlas 46 S = AR-N 4600-10 und Atlas 46 R = AR-N 4650-10 sind negativ arbeitende Photoresists hoher Schichtdicke mit extrem stabilen Resiststrukturen. Der 4650-10 ist zusätzlich wieder leicht entfernbar und damit für photolithographische und Galvanik-Anwendungen sehr gut geeignet.  AR-N 4600-10 ist in seinen Eigenschaften vergleichbar mit dem SU-8.

Laserablation von PPA (Phoenix 81)

PPA-Schichten können auch durch Laserablatation strukturiert werden. Mit AR-P 8100 beschichtete Substrate wurden am IOM Leipzig (Dr. Klaus Zimmer) mit gepulstem Laserlicht bei unterschiedlichen Wellenlängen strukturiert. Dabei konnten Architekturen mit sehr geringer Kantenrauigkeit realisiert werden.

Streifzüge durch die Lithographie der Mikroelektronik (Matthias Schirmer)

Seit der letzten Ausgabe von „Ullmanns Imaging for Electronics“ von 1989 nahm die Photolithographie einen derart rasanten Aufschwung, dass es angesichts des knappen Platzes hier kaum möglich ist, hier mehr als nur einen kurzen repräsentativen Überblick zu geben. Zu jedem Kapitel, zu jeder Technologie und zu jedem Verfahren gibt es jedoch noch eine Vielzahl von Fakten, die für den interessierten Leser anhand der Literaturstellen nachzuvollziehen sind.

CAR 44 für die E-Beam-Lithographie

Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.

Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.

Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung.