PPA für Zweilagenanwendungen

Das 2-Lagensystem bzw. Lift-off wird sehr erfolgreich für die Erzeugung unterschnittener Strukturen eingesetzt.

AR-P 617 Zweilagen-lift-off System

Eine weitere Variante zum Aufbau von Zweilagensystemen geht nur von einem Resist aus: AR-P 617 (PMMAcoMA 33).

PMMA-E-Beamresist positiv und bei Überbelichtung negativ

PMMA-Resist arbeiten unter den Standardbedingungen positiv. Die langen Polymerketten werden durch die Bestrahlung gebrochen, es entstehen kleine Bruchstücke.

Grundlagen

Informationen über Polymere Resists, Lichtempfindliche Komponenten, Vernetzer, andere Bestandteile von Resists sowie über Prozesshinweise und Prozessverfahren.

Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA

Eine weitere Variante zum Aufbau von Dreilagensystemen verwendet 950k PMMA als Bottomresist, AR-P 617 als mittlere Schicht und CSAR 62 als Topresist.

Einlagen- und Zweilagen-lift-off

Lift-off-Strukturen werden für viele Technologien benötigt. Man unterscheidet Einlagen- und Zweilagenprozesse.

Photoresists Allgemein

Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.

Reinigung der Substrate

Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist für eine sichere Resistverarbeitung von großer Bedeutung. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können signifikante Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.

Hochauflösender Negativ-E-Beamresist AR-N 7520.17neu für Ätzanwendung

Am Institut FEMTO-ST in Frankreich wurden mit AR- 7520.17neu bei einer Schichtdicke von 400nm sehr gleichmäßige und glatte 300nm-Stege realisiert. In der nachfolgenden Ätzanwendung konnte die Resistgeometrie in hervorragender Qualität in das Si-Substrat übertragen werden.

Elektronenstrahlresists auf Basis von Polyphthalaldehyden, Uni Tübingen

PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.