Resist-Wiki

1. Wie ist ein Photoresist aufgebaut und wie funktioniert er?

Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und subµm-Strukturen eingesetzt. Die Resists werden hauptsächlich mittels Schleuderbeschichtung (spin coating)

21. August 2008/von AllAdmin

10. Welche Entwickler sind für welche Photolacke optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?

Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollten Temperaturen zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 0,

12. August 2008/von AllAdmin

11.Wie sind Photolackschichten wieder entfernbar?

Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 (Methoxypropylacetat = PGMEA) und der Remover AR 600-

11. August 2008/von AllAdmin

12. Welche Anwendungsgebiete haben Schutzlacke (Protective Coating)?

Es gibt Schutzlacke für die verschiedensten Anwendungen, z.B. für den Rückseitenschutz von prozessierten Wafern: · für den mechanischen Schutz beim Transport · als Isolatorschicht bei KOH-

10. August 2008/von AllAdmin

13. Wie arbeiten Umkehrlacke (Image Reversal Resists)?

Umkehrlacke, wie der AR-U 4000, liefern je nach Verarbeitungsregime ein positives oder negatives Bild der optisch übertragenden Vorlage. Verarbeitet man den Resist ganz normal wie einen Positivresist,

9. August 2008/von AllAdmin

14. Wie entsteht ein Unterschnitt (Lift-off) bei Einlagen- und Zweilagensystemen?

Es gibt Einlagen- und Zweilagensysteme, mit denen ein Unterschnitt erzeugt werden kann. Ein Einlagenresist ist der AR-P 5350, mit ihm können z.B. Aufdampfmuster aus Metall erzeugt werden.

8. August 2008/von AllAdmin

15. Wie werden Dicklacke > 10 µm optimal prozessiert?

Beschichtung: Generell gilt für die Beschichtung dicker Positiv- und Negativlacke: Die Resists sollten mehrere Stunden bis zu einen Tag vor der Verarbeitung ruhen (» Frage 6 optimale Beschichtung und Frage 7 Luftbläschen)

7. August 2008/von AllAdmin

16.Welche Auflösung und welchen Kontrast haben Photoresists?

Die Auflösung von Resists ist von mehreren Parametern, wie z.B. vom Maskelinertyp, vor allem dessen NA (numerische Apertur), Schichtdicke, Belichtungs-wellenlänge, Entwicklerkonzentration und

6. August 2008/von AllAdmin

17. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von Photoresists?

Die Photoresists der AR-Serien 3000 bis 4000 besitzen aufgrund der verwendeten Polymere eine gute Ätzresistenz, vor allem in den Trockenätzprozessen wie z.B. Argon-Sputtern, CF4 und CF 4 /

5. August 2008/von AllAdmin

18.Wie hoch ist die Ätzresistenz der Photolacke gegenüber starken Säuren?

Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die Resistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.

4. August 2008/von AllAdmin

19.Welche Photolacke sind für Flusssäure (HF)-Ätzungen geeignet?

Der positiv arbeitende Photoresist X AR-P 3100/10 ist extrem haftverstärkt und damit für Flusssäure-Ätzungen bis 5 % HF geeignet. Besonders auf Glas oder Siliziumoxid wird eine Vorbehandlung der Substrate mit dem Haftvermittler AR 300-

3. August 2008/von AllAdmin

2. Wie lange sind Photoresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?

Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,

20. August 2008/von AllAdmin

20. Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von Photoresistschichten?

Bei den Photoresists gibt es rohstoffspezifisch zwei unterschiedliche Gruppen: · PMMA-Resists (Schutzlacke AR-PC 5000/4, 503, 504 und SX AR-N 4800) · Novolak-Resists (AR-P 3000, AR-

2. August 2008/von AllAdmin

3. Wie wirken sich Alterungserscheinungen bei Photoresists aus?

Im Verlauf der Lagerung entstehen durch thermische chemische Reaktion der lichtempfindlichen Komponente mit dem Novolak rote Azofarbstoffe, die den Lack nachdunkeln lassen. Dabei färben bereits geringe Mengen des Farbstoffes den Lack dunkler,

19. August 2008/von AllAdmin

4. Wie ist die optimale Substratvorbehandlung für Photoresists?

Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.

18. August 2008/von AllAdmin

5. Wie ist die Haftung von Photoresists auf unterschiedlichen Wafern?

Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist eine sensible Eigenschaft. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können fatale Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.

17. August 2008/von AllAdmin

6. Wie sind die optimalen Beschichtungsbedingungen für ein gutes Schichtbild bei Photoresists?

Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit. Luftbläschen sind vermeidbar,

16. August 2008/von AllAdmin

7. Wie entstehen bei Photoresistschichten Luftbläschen und wie sind sie vermeidbar?

Luftbläschen nach dem Aufschleudern sind meist Luftbläschen, z.B. wenn die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde. Beschichtungen nach unmittelbarer Öffnung der Flaschen,

15. August 2008/von AllAdmin

8. Welche Funktion hat die Temperung (Softbake) der Photoresistschichten nach der Beschichtung?

Frisch beschichtete Lackschichten besitzen, je nach Schichtdicke, noch einen Restlösemittelgehalt. Die sich anschließende Temperung bei 90 - 100°C hat die Aufgabe, die Lackschicht zu trocknen,

14. August 2008/von AllAdmin

9.Wie erfolgt die Belichtung von Photoresists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis? Wie lange können beschichtete und belichtete Substrate vor der Belichtung aufbewahrt werden?

Die Belichtung erfolgt durch eine Maske in geeigneten Belichtungseinrichtungen, wie z.B. Steppern (i-, g-line), Maskaglinern bzw. Kontaktbelichtern im jeweiligen spektralen Arbeitsbereich.

13. August 2008/von AllAdmin

Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS

Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern.

19. Januar 2016/von AllAdmin

Alkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist

Die meisten Novolak-basierten Photoresists zeichnen sich durch eine sehr gute Ätzstabilität gegenüber Säuren aus (außer hochkonzentrierten, oxidierenden Säuren oder konzentrierter Flusssäure)

16. Juli 2012/von AllAdmin

Alkalistabiler, leicht strukturierbarer Positivresist SX AR-P 5900/8

Der X AR-P 5900/4, seit vielen Jahren auf dem Markt, ist ein Positivresist, dessen Strukturen deutlich alkalistabiler als die der Standard-Positivresists (z.B. AR-P 3510 oder AZ-Lacke) sind.

13. Juni 2014/von AllAdmin

Allgemeines: Resistzusammensetzung

Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.

7. September 2021/von

Anpassungsfähiger Zweilagenresist AR-BR 5460 für variable Lift-off-Strukturen

Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) bereits seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt.

21. Juli 2015/von AllAdmin

ATLAS 46 allgemein

Die beiden Resists Atlas 46 S = AR-N 4600-10 und Atlas 46 R = AR-N 4650-10 sind negativ arbeitende Photoresists hoher Schichtdicke mit extrem stabilen Resiststrukturen. Der 4650-10 ist zusätzlich wieder leicht entfernbar und damit für photolithographische und Galvanik-Anwendungen sehr gut geeignet. AR-N 4600-10 ist in seinen Eigenschaften vergleichbar mit dem SU-8.

2. September 2021/von

ATLAS 46 für Nanoimprint-Lithografie

Die Neuentwicklung ATLAS 46 konnte auch erfolgreich für Nanoimprinting eingesetzt werden (Universität Wuppertal, AG Prof. Scheer). In einem ersten Schritt wurden mit dem negativ arbeitenden Resist ATLAS 46S Nanostrukturen hergestellt, die anschließend mit UV-Licht bei einer Wellenlänge von 172nm gehärtet wurden.

15. Januar 2018/von AllAdmin

Ausbleichbare Resists

Die Grundidee bei den Farbstoffresists innerhalb des Projektes Photoenco (Juni 2016 – Mai 2019) war, dass man Farbstoffe in die Polymermatrix des Resists einmischt, welche dann durch Bestrahlung ihre Farbe ändern oder aber farblos werden.

9. Juli 2018/von AllAdmin

Beschichtungsbedingungen

Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.

26. Oktober 2021/von

CAR 44 auf Kupfer

Wird der Negativ-Photoresist CAR 44 (AR-N 4400) direkt auf Kupfer- oder kupferhaltigen Substraten eingesetzt, muss folgendes beachtet werden.

11. Juli 2017/von AllAdmin

Chemisch verstärkter Negativresist (Prozessparameter und Auflösung)

Am Beispiel vom AR-N 4340 werden Prozessparameter, Empfindlichkeit, Auflösung, Kantenqualität und Maßverhalten dargestellt. Die Untersuchungen erfolgten auf 150mm-Wafern mit Si-Oberfläche.

9. Juli 2013/von AllAdmin

Chemisch verstärkter Negativresist ohne Vernetzungstemperung

Bei einigen Anwendungen kann das Substrat, auf dem der Negativlack eingesetzt werden soll, nicht erwärmt werden. Das trifft auf empfindliche Gläser und vor allem auf sehr große Substrate zu.

9. Juli 2013/von AllAdmin

Dosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists

Die gewünschte Strukturgröße hängt auch erheblich von der verwendeten Belichtungsdosis ab. Bei einer Überbelichtung beginnen sich die Strukturen zu vergrößern. Besonders ausgeprägt ist das bei einer Laserbestrahlung. In der Bildreihe sind 5-µm-Säulen bei unterschiedlichen Dosen gezeigt.

20. Mai 2015/von AllAdmin

Eingefärbte Negativ-Photoresists

Allresist bietet mittlerweile auch gefärbte Negativresists mit der Bezeichnung SX AR-N 8500 an. Der Unterschied zu den FUJIFILM Lacken besteht darin, dass in den Resists Farbstoffe und keine Pigmente gelöst sind. Damit können eine hohe Auflösung und scharfe Kanten erreicht werden.

11. Oktober 2017/von AllAdmin

Einlagen- und Zweilagen-lift-off

Lift-off-Strukturen werden für viele Technologien benötigt. Man unterscheidet Einlagen- und Zweilagenprozesse.

27. Oktober 2021/von

Empfindlicher Negativ PMMA-Resist (CAR)

PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt.

27. Oktober 2014/von AllAdmin

Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter

Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.

20. Mai 2015/von AllAdmin

Entwicklung dicker Negativresistschichten

Durch Verwendung des negativ Resists AR-N 4400-50 können dicke Lackschichten >200 µ m durch mehrmaliges Beschichten aufgebaut werden (siehe Produktinfo CAR 44). Entscheidend für die Qualität der zu erzeugenden Strukturen ist das Trocknungsregime.

7. Oktober 2013/von AllAdmin

Erzeugung senkrechter Flanken mit CAR44

An der TU-Braunschweig wurde AR-N 4400-50 speziell hinsichtlich der Erzeugung gut definierter Resistarchitekturen mit vertikalen Flanken detailliert untersucht.

20. Januar 2017/von AllAdmin

Erzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists

Mit der Laser-Direkt-Belichtung kann ein leichter Unterschnitt der Strukturen erzeugt werden: Der obere Teil der Schicht wird durch die Absorption des Resists stärker belichtet und intensiver vernetzt. Dagegen wird der untere Teil der Struktur durch die Absorption des Resists etwas weniger belichtet und geringer vernetzt. Damit entsteht, weil der Entwickler die untere Schicht auch seitlich angreift, ein leichter Unterschnitt.

20. Mai 2015/von AllAdmin

Ethanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060

Die Strukturen es Image Reversal Resist AR-U 4060 zeigen nach einer Flutbelichtung und einer anschließenden Temperung eine erhöhte Beständigkeit gegenüber Lösemitteln. Ethanol und Toluol greifen normale Positiv-Resistschichten schnell an und lösen sie in kurzer Zeit.

21. Juli 2015/von AllAdmin

Fluoreszierende Resiststrukturen Photoresists

Auch in Photoresists können fluoreszierende Farbstoffe eingebettet werden, dabei sind die negativen Photoresists von besonderem Interesse. Durch Einbettung in den negativ arbeitenden ATLAS 46 S konnten Resistschichten erzeugt werden, die wahlweise eine violette, blaue, gelbe, orange oder rote Fluoreszenz zeigen.

25. April 2018/von AllAdmin

Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)

Das Spray-Coating wird oft für die Beschichtung komplizierter Topologien verwendet. Es gibt verschiedene Hersteller für Spray-Coating Geräte, die beiden wohl bekanntesten sind die EV Group und Süss Microtec.

23. September 2021/von

Haftfestigkeit

Zur Verbesserung der Haftung dienen Haftvermittler, wie z.B. der Adhäsionspromotor AR 300-80, der unmittelbar vor der Lackbeschichtung mittels Spincoating als dünne, ca. 15 nm dicke Schicht aufgetragen wird.

22. September 2021/von

Laser-Direktbelichtung mit dem AR-P 3540

Neben dem verbreiteten Strukturieren mittels Photomasken in der Lithographie besteht auch die Möglichkeit, die Strukturen direkt, ohne Maske, mittels Laserstrahlen einzuschreiben.

13. Juni 2014/von AllAdmin

Laserablation von PPA (Phoenix 81)

PPA-Schichten können auch durch Laserablatation strukturiert werden. Mit AR-P 8100 beschichtete Substrate wurden am IOM Leipzig (Dr. Klaus Zimmer) mit gepulstem Laserlicht bei unterschiedlichen Wellenlängen strukturiert. Dabei konnten Architekturen mit sehr geringer Kantenrauigkeit realisiert werden.

2. September 2021/von

Mit NIR-Lasern strukturierbare Photoresists

Durch Zusatz geeigneter Farbstoffen zu den negativ arbeitenden CAR-Resists kann auch bei Wellenlängen außerhalb des sonst üblichen Wellenlängenbereichs strukturiert werden, wenn mit gepulsten Lasern in ausreichender Intensität bestrahlt wird.

27. Oktober 2014/von AllAdmin

Negativ-CAR PMMA Resist SX AR-N 4810/1

PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt. Prinzipiell ist die Strukturierung einer PMMA-Schicht auch mittels Tief-UV-Belichtung (220 – 266 nm) möglich. Jedoch ist dort die Empfindlichkeit gering und es resultieren lange Belichtungszeiten.

15. Januar 2018/von AllAdmin

Negativ-Poly(hydroxystyren)- und -(hydroxystyren-co-MMA)-Photoresist mit hoher Thermobeständigkeit

Als Alternative zum Polyimid-Negativresist wurde ein auf Polyhydroxystyren basierender, sehr empfindlicher CAR-Negativlack entwickelt, der wässrig alkalisch entwickelt werden kann.

27. Februar 2013/von AllAdmin

Negativ-Polyimid-Photoresist

Als Alternative zu dem Positiv-Polyimid-Resist ( SX AR-PC 5000/82.7 ), der schon im Lösemittel ein Polyimid ist und somit kein Curing-Prozess (siehe "Positiv-Polyimid Resist" ) bei 350-

27. Februar 2013/von AllAdmin

Negativ-Zweilagen-lift-off System

Positiv-Zweilagen-Systeme sind schon lange auf dem Markt. Nun mehr gibt es auch Varianten mit Negativresists als Oberlack. Der größte Vorteil für die Neuerung ist die höhere thermische Stabilität von Negativlacken.

9. Juli 2013/von AllAdmin

Neues Verfahren zur Sprühbeschichtung tiefer Topologien mit SX AR-P 1250/20

Im CiS Institut für Mikrosensorik werden für die Fertigung kundenspezifischer Bauelemente tiefe Siliziumätzgruben strukturiert. Dazu wurde eine Beschichtung mittels Sprühbeschichtung entwickelt.

27. Februar 2013/von AllAdmin

Photoresistbeschichtungen auf Teflonsubstraten

Teflon oder ähnliche Produkte werden aufgrund ihrer extremen Oberflächeneigenschaften in Bereichen eingesetzt, wo eine Strukturierung des Teflons manchmal wünschenswert wäre. Die hydrophoben Oberflächeneigenschaften verhindern aber eine Beschichtung mit Resist.

27. Februar 2013/von AllAdmin

Photoresists Allgemein

Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.

27. Oktober 2021/von

Polyimid-Zweilagensystem

Für einige Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Polymereigenschaften unverfälscht, also ohne Zusatz lichtempfindlicher Komponenten, erhalten bleiben, so z.B. beim Einsatz als Feuchtsensor.

31. August 2012/von AllAdmin

Positiv-Polyimid-Einlagenresist

Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.

27. Februar 2013/von AllAdmin

Positiv-Zweilagen-lift-off System

Zurzeit befinden sich zwei Positiv-Zweilagen-lift-off Systeme seit einigen Jahren erfolgreich im Einsatz; die AR-P 5400-3510-Serie (Allresist) und PGMI-Positivresist-Variante. Durch die Dauer der Entwicklung kann sich jeder Anwender den Unterschnitt bei der AR-

9. Juli 2013/von AllAdmin

Positivresist für temperatur-empfindliche Substrate

Oftmals sollen Substrate strukturiert werden, die nicht über 50 – 70 °C erwärmt werden dürfen. Das können Glasteilungen sein, die sich bei höheren Temperaturen verziehen und so ihre Maßhaltigkeit verlieren würden.

9. Juli 2013/von AllAdmin

Reinigung der Substrate

Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist für eine sichere Resistverarbeitung von großer Bedeutung. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können signifikante Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.

27. Oktober 2021/von

Resist für 488 nm Belichtungswellenlänge

Die üblichen Belichtungswellenlängen für die Breitband-UV-Lithographie liegen in dem Bereich zwischen 300 nm und 450 nm. Darin enthalten sind die wichtigen Hochdruckquecksilberlampenlinien 436 nm (g-

31. August 2012/von AllAdmin

Resist für das Nahe Infrarot (NIR)

Mit der Entwicklung von Photoresists für die Belichtungen in dem Wellenlängenbereich von 500 bis 1.100 nm mittels Laser wurden neue Verfahren ermöglicht. Mit den Standard-Photoresists ist eine Lithographie mit einer Belichtungswellenlänge > 480 nm nicht möglich.

16. Juli 2012/von AllAdmin

Schwarzlack

Bei erstaunlich vielen Anwendungen ist es wichtig, die Licht-Durchlässigkeit der Substrate vollständig zu unterbinden, jedoch trotzdem noch strukturieren zu können. Am besten sollte der optisch geschützte Bereich den gesamten UV/VIS-Bereich abdecken, also von 200 - 1.000 nm.

7. September 2021/von

Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Negativ)

Allresist bietet auch unterschiedliche Negativresists für die Sprühbeschichtung an. Diese sind in diesem Artikel beschrieben (siehe Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Positiv und Negativ)

31. August 2012/von AllAdmin

Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Positiv und Negativ)

Die bisher verfügbaren Sprayresists (AZ 4999) sind für extreme Topologien ausgelegt, d.h., es können auch senkrechte Siliziumgräben mit Resist bedeckt werden. Diese ausgezeichnete Eigenschaft hat jedoch ihren Preis:

31. August 2012/von AllAdmin

Strukturierung mittels Ablation des Resistmaterials

Das Grundprinzip der Laserablation ist, dass durch Laserbestrahlung einer bestimmten Wellenlänge so viel Energie in das für Ablation modifizierte Resistmaterial eingetragen wird, um das Resistpolymer zu zerstören und dieses dann als niedermolekulare Fragmente verdampft. Dieser Prozess kann durch Eintrag geeigneter Farbstoffzusätze begünstigt werden. Im Ergebnis entstehen transparente Strukturen (abladierte Flächen) in der sonst lichtundurchlässigen Fläche.

9. Juli 2018/von AllAdmin

Strukturierung von Polyphthalaldehyden mittels Photolithographie

PPA-Schichten sind lichtempfindlich und können daher auch mittels Fotolithographie direkt strukturiert werden. Eine Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge <300nm (Hg-Dampflampe) führt zur Spaltung der Polymerketten unter Bildung leichtflüchtiger Bestandteile, die sich zum Teil schon bei Raumtemperatur zu verflüchtigen beginnen.

21. Juli 2015/von AllAdmin

Surface Imaging Resistsystem SX AR-N 7100 – silylierbarer Photoresist

Das Negativ-Photoresist-Experimentalmuster SX AR-N 7100 stellt ein oberflächenabbildendes und trockenentwickelbares System dar. Mit ihm können Strukturen mittels Plasmaätzung in dicke Resistschichten übertragen werden.

4. Juli 2016/von AllAdmin

Temperaturstabiler Negativresist

Neue, wässrig-alkalische lösliche Polymere können die Novolake in einigen Eigenschaften übertreffen.

16. Juli 2012/von AllAdmin

Thermisch stabile Zweilagen-lift-off-Systeme

Bei den Anwendungen der Lift-off-Strukturen treten beim z.B. Besputtern häufig Temperaturen von über 150 °C auf. Mit den üblichen Photoresists als Top-Layer kommt es dann zum Schmelzen der Lift-off-Struktur, wodurch sie unbrauchbar für den Prozess wird.

28. September 2021/von

Thermostabile Photoresists

Für zahlreiche Anwendungen werden Lacke benötigt, die über eine ausgezeichnete Temperaturstabilität verfügen. Strukturen des thermisch stabilen Negativresist SX AR-N 4340/6 halten Temperaturen bis zu 350 °C formtreu aus.

27. Oktober 2014/von AllAdmin

Top Surface Imaging Photoresist – Wirkprinzip

Die Grundlagen der Top Surface Imaging Technologie wurde von Roland und Coopmans (Proc. SPIE 631, 34 (1986)) erforscht. Die Technologie basiert auf dem Prozess der selektiven Resistsilylierung (DESIRE-Prozess).

30. Januar 2017/von AllAdmin

UV-Strukturierung PMMA Resists

Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-

31. August 2012/von AllAdmin

Verdünnung von Resists

Fast alle Photoresists beinhalten als Lösemittel PMA (PGMEA). Dieses Lösemittel ist deshalb auch der gebräuchlichste Verdünner und wird von uns unter der Bezeichnung AR 300-12 angeboten.

7. September 2021/von

Wasserbasierte Resists

Die meisten Photoresist sind fast ausschließlich in organischen Lösemitteln, wie z.B. in PMA (1-Methoxy-2-propyl-acetat) oder englischsprachig PGMEA (propylene glycol methyl acetate) gelöst.

27. Oktober 2014/von AllAdmin

Wasserfrei entwickelbarer Speziallack SX AR-N 4810/1

Der neue Speziallack SX AR-N 4810/1 ist ein chemisch verstärkter Photoresist, der auf PMMA basiert und wasserfrei – entscheidend im Fall feuchtigkeitsempfindlicher Substrate - mit organischen Lösungsmitteln entwickelt werden kann. SX AR-N 4810/1 wird als Lösung in Anisol angeboten und enthält neben PMMA noch Vernetzer und aminische Komponenten. Als Entwickler eignen sich X AR 300-74/1 oder MIBK.

20. Mai 2015/von AllAdmin

Wässriger Negativresist auf Gelatine Basis

In Gegenwart katalytisch wirkender Eisensalze kann Gelatine photochemisch negativ vernetzt werden. Die beschichteten Substrate werden dafür belichtet und kurz in verdünnter Wasserstoffperoxidlösung, das als Vernetzer fungiert, geschwenkt.

13. Juni 2014/von AllAdmin

Zweilagen Photoresistsystem für wasserempfindliche Substrate

Wenn im Strukturierungsprozess kein Wasser mit dem Substrat in Kontakt kommen darf, ist ein Zweilagen Photoresistsystem, bestehend aus einem PMMA-Resist (Unterschicht) und einem Photoresist (Oberschicht), eine Alternative zu dem SX AR-N 4810/1.

21. Juli 2015/von AllAdmin

Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung

Flusssäure-Ätzungen werden, trotz der Gefährlichkeit der HF, technologisch eingesetzt, auch mit den hochprozentigen Säuren (48%). Die technologischen Probleme werden im Artikel "Nasschemisches Ätzen" dargestellt.

16. Juli 2012/von AllAdmin

Aluminiumstrukturen direkt entwickelt

Andere Bestandteile von Resists

Belichtung

Bestimmung der Leitfähigkeit von Electra 92-Schichten auf Glas

Interferenzlithographie

Lagerung und Alterung

Lichtempfindliche Komponenten

Lift off (Einlagen – Zweilagen)

Nasschemisches Ätzen

Polymere (Schichtbildner)

Prinzipien und Funktionsweisen

Prozessablauf E-Beamresist

Prozessablauf Photoresists

Prozessbedingungen

Stabilisierung/ Härtung von Lackschichten

Streifzüge durch die Lithographie der Mikroelektronik (Matthias Schirmer)

Trockenchemisches Ätzen

UV-Härtung

Vernetzer (cross linker)

Zusammensetzung Photoresist

1. Wie ist ein Photoresist aufgebaut und wie funktioniert er?

10. Welche Entwickler sind für welche Photolacke optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?

11.Wie sind Photolackschichten wieder entfernbar?

12. Welche Anwendungsgebiete haben Schutzlacke (Protective Coating)?

13. Wie arbeiten Umkehrlacke (Image Reversal Resists)?

14. Wie entsteht ein Unterschnitt (Lift-off) bei Einlagen- und Zweilagensystemen?

15. Wie werden Dicklacke > 10 µm optimal prozessiert?

16.Welche Auflösung und welchen Kontrast haben Photoresists?

17. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von Photoresists?

18.Wie hoch ist die Ätzresistenz der Photolacke gegenüber starken Säuren?

19.Welche Photolacke sind für Flusssäure (HF)-Ätzungen geeignet?

2. Wie lange sind Photoresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?

20. Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von Photoresistschichten?

3. Wie wirken sich Alterungserscheinungen bei Photoresists aus?

4. Wie ist die optimale Substratvorbehandlung für Photoresists?

5. Wie ist die Haftung von Photoresists auf unterschiedlichen Wafern?

6. Wie sind die optimalen Beschichtungsbedingungen für ein gutes Schichtbild bei Photoresists?

7. Wie entstehen bei Photoresistschichten Luftbläschen und wie sind sie vermeidbar?

8. Welche Funktion hat die Temperung (Softbake) der Photoresistschichten nach der Beschichtung?

9.Wie erfolgt die Belichtung von Photoresists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis? Wie lange können beschichtete und belichtete Substrate vor der Belichtung aufbewahrt werden?

Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS

Alkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist

Alkalistabiler, leicht strukturierbarer Positivresist SX AR-P 5900/8

Allgemeines: Resistzusammensetzung

Anpassungsfähiger Zweilagenresist AR-BR 5460 für variable Lift-off-Strukturen

ATLAS 46 allgemein

ATLAS 46 für Nanoimprint-Lithografie

Ausbleichbare Resists

Beschichtungsbedingungen

CAR 44 auf Kupfer

Chemisch verstärkter Negativresist (Prozessparameter und Auflösung)

Chemisch verstärkter Negativresist ohne Vernetzungstemperung

Dosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists

Eingefärbte Negativ-Photoresists

Einlagen- und Zweilagen-lift-off

Empfindlicher Negativ PMMA-Resist (CAR)

Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter

Entwicklung dicker Negativresistschichten

Erzeugung senkrechter Flanken mit CAR44

Erzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists

Ethanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060

Fluoreszierende Resiststrukturen Photoresists

Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)

Haftfestigkeit

Laser-Direktbelichtung mit dem AR-P 3540

Laserablation von PPA (Phoenix 81)

Mit NIR-Lasern strukturierbare Photoresists

Negativ-CAR PMMA Resist SX AR-N 4810/1

Negativ-Poly(hydroxystyren)- und -(hydroxystyren-co-MMA)-Photoresist mit hoher Thermobeständigkeit

Negativ-Polyimid-Photoresist

Negativ-Zweilagen-lift-off System

Neues Verfahren zur Sprühbeschichtung tiefer Topologien mit SX AR-P 1250/20

Photoresistbeschichtungen auf Teflonsubstraten

Photoresists Allgemein

Polyimid-Zweilagensystem

Positiv-Polyimid-Einlagenresist

Positiv-Zweilagen-lift-off System

Positivresist für temperatur-empfindliche Substrate

Reinigung der Substrate