Unser Resist-Wiki ist eine Wissensplattform zu aktuellen Technologien der Mikroelektronik, das wir für Sie zusammen gestellt haben. Es wird laufend um weitere Informationen aus unserer Forschung und Entwicklung ergänzt. Wir haben es nach den vier Themen Grundlagen, E-Beam Resist, Photoresist, Schutzresist, Bottomresist und Prozesschemikalien gegliedert, damit Sie schnell fündig werden.
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Aluminiumstrukturen direkt entwickelt
Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Negativlack SX AR-N 4360/1 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
27. Februar 2013/von AllAdminAndere Bestandteile von Resists
Die Lösemittel sind der Hauptbestandteil aller Resists. Von 50% (Dicklacke) bis zu 99% (Sprühlacke) beträgt der Anteil der Lösemittel. Die ersten Resists vor 1980 enthielten noch gesundheitsschädliche Lösemittel Toluol oder Cyclohexanon.
16. Juli 2012/von AllAdminBelichtung
Kontaktbelichtung In einer Kontaktbelichtung werden Fotomaske und Substrat in direkten Kontakt gebracht. Dieses Verfahren führt zur besten Auflösung aller Schattenwurfverfahren, da die Lichtbeugung und der damit verbundene Auflösungsverlust auf das durch die Lackdicke bedingte Minimum reduziert wird.
27. Februar 2013/von AllAdminBestimmung der Leitfähigkeit von Electra 92-Schichten auf Glas
Die spezifische Leitfähigkeit in dünnen Schichten kann mit unterschiedlichen Methoden ermittelt werden, z.B. berührungsfrei durch Wirbelstrommapping oder auch nach einer direkten Kontaktierung mittels Vierpunktmethode (Vierspitzenmessung).
19. Januar 2016/von AllAdminInterferenzlithographie
Die Interferenzlithographie ist eine seltener genutzte Methode zur Strukturierung. Das Prinzip ist das gleiche wie in der Interferometrie oder auch Holographie. Durch die Überlagerung zweier oder auch mehrerer kohärenter Lichtwellen kommt es zur Ausbildung eines periodischen Interferenzmusters.
4. Juli 2016/von AllAdminLagerung und Alterung
Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,
13. Juli 2012/von AllAdminLichtempfindliche Komponenten
Die lichtempfindliche Komponente in unseren Positiv-Photoresists gehört zur Gruppe der Naphthochinondiazide (NCD).
13. Juli 2012/von AllAdminLift off (Einlagen – Zweilagen)
Prinzipiell sind zwei Wege zur Herstellung von z.B. Leiterbahnen möglich: 1. Ätzverfahren: Es wird eine Metallschicht (z.B. Aluminium) auf den Wafer aufgebracht (Bedampfen, Sputtern)
13. Juli 2012/von AllAdminNasschemisches Ätzen
Beim nasschemischen Ätzen werden die chemischen Bindungen des zu bearbeitenden Materials durch meist aggressive Ätzmedien aufgebrochen und in lösliche Bestandteile überführt.
31. August 2012/von AllAdminPolymere (Schichtbildner)
Polymethylmethacrylate (PMMAs) finden breite Verwendung z.B. in der Elektronenstrahllithographie. Sie entstehen durch Polymerisation von Methacrylsäuremethylesters in Gegenwart von Radikalstartern (Verweis)
20. März 2013/von AllAdminPrinzipien und Funktionsweisen
Positivlack Die Zugabe der lichtempfindlichen Komponente (LEK, Naphthochinondiazide (NCD)) zum alkalilöslichen Novolak bewirkt eine Verringerung der Alkalilöslichkeit der Resistschicht.
24. Juli 2012/von AllAdminProzessablauf E-Beamresist
Entwicklung PMMA-Schichten PMMA-Schichten lassen sich nur mit lösemittelhaltigen Entwicklern entwickeln. Wässrig-alkalische Entwickler greifen das PMMA nicht im Geringsten an. PMMA wird sogar als Schutzlack gegen stark alkalische Lösungen verwendet (siehe Schutzlacke AR-
30. Juli 2012/von AllAdminProzessablauf Photoresists
Reinigung der Substrate Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten (2-3 min, hote plate) zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
30. Juli 2012/von AllAdminProzessbedingungen
Gasbläschen entstehen, wenn z.B. die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde.
30. Juli 2012/von AllAdminStabilisierung/ Härtung von Lackschichten
Zahlreiche Anwendungen erfordern strukturierte Resistarchitekturen die durch eine nachträgliche Härtung gegenüber organischen Lösungsmitteln langzeitstabil werden. Die novolakbasierten Lacke zeigen nach Härten bei Temperaturen >150°C, im Fall der CAR-Resists zusätzlich unterstützt durch eine intensive Flutbelichtung
20. Mai 2015/von AllAdminStreifzüge durch die Lithographie der Mikroelektronik (Matthias Schirmer)
Seit der letzten Ausgabe von „Ullmanns Imaging for Electronics“ von 1989 nahm die Photolithographie einen derart rasanten Aufschwung, dass es angesichts des knappen Platzes hier kaum möglich ist, hier mehr als nur einen kurzen repräsentativen Überblick zu geben. Zu jedem Kapitel, zu jeder Technologie und zu jedem Verfahren gibt es jedoch noch eine Vielzahl von Fakten, die für den interessierten Leser anhand der Literaturstellen nachzuvollziehen sind.
19. Mai 2020/von AllAdminTrockenchemisches Ätzen
Das trockenchemische Ätzen lässt sich in zwei Wirkprinzipien unterteilen. 1. Einerseits spricht man von einem mehr chemischen Ätzverhalten, bei dem das Substrat durch Radikale in flüchtige Verbindungen umgesetzt wird.
31. August 2012/von AllAdminUV-Härtung
Photoresiststrukturen der Standard-Lacke besitzen einen Erweichungspunkt von 115 – 130°C. Bei sich anschließenden thermischen Prozessen (Plasmaätzen, Sputtern usw.) können diese Temperaturen leicht überschritten werden.
30. Juli 2012/von AllAdminVernetzer (cross linker)
Die Strukturierung von Negativlacken beruht auf der Stabilisierung belichteter Bereiche unter Einsatz von Vernetzern (cross linker). Radikalstarter, wie z.B. Azo-bis(isobutyronitril)
13. Juli 2012/von AllAdminZusammensetzung Photoresist
Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt. Positiv-Photoresist Die von Allresist hergestellten Positiv-
13. Juli 2012/von AllAdminAlle 78 /Allgemein 0 /Allgemein 0 /Allgemein 6 /Allresist 0 /Andere Resists 0 /Andere Resists 23 /AR NEWS 0 /Bottomresist 0 /E-Beam Resist 0 /Entwickler 0 /Fach- & Zeitungsartikel 0 /FAQ 20 /FAQ 0 /FuE 0 /FuE-Projekte 0 /Grundlagen 0 /Grundlegende Chemie 0 /Haftvermittler 0 /Jobs 0 /Negativ 19 /Negativ 0 /Neuigkeiten 0 /Photoresist 0 /Positiv 0 /Positiv 11 /Presse 0 /Prozesschemikalien 0 /Prozesshinweise 0 /Prozessverfahren 0 /Remover 0 /Resist des Monats 0 /Resist-Wiki 0 /Schutzresist 0 /Startresist 0 /Startseite 0 /Stopper 0 /Verdünner 0 /z-SX-AR-PC 5000/41 0 /Zeitungsartikel 0 /z_AR 300-12 0 /z_AR 300-26 / 300-35 0 /z_AR 300-40 0 /z_AR 600-01 - 09 0 /z_AR-N 4400 0 /z_AR-N 4600 0 /z_AR-P 3100 0 /z_AR-P 617 0 /z_AR-P 6200 0 /z_AR-P 630-670 0 /z_AR-P-8100 0 /z_AR-PC 5090/91 0 /z_SX AR-N 8200-8250 0 /z_SX AR-P 3500/8 0
1. Wie ist ein Photoresist aufgebaut und wie funktioniert er?
Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und subµm-Strukturen eingesetzt. Die Resists werden hauptsächlich mittels Schleuderbeschichtung (spin coating)
21. August 2008/von AllAdmin10. Welche Entwickler sind für welche Photolacke optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?
Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollten Temperaturen zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 0,
12. August 2008/von AllAdmin11.Wie sind Photolackschichten wieder entfernbar?
Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 (Methoxypropylacetat = PGMEA) und der Remover AR 600-
11. August 2008/von AllAdmin12. Welche Anwendungsgebiete haben Schutzlacke (Protective Coating)?
Es gibt Schutzlacke für die verschiedensten Anwendungen, z.B. für den Rückseitenschutz von prozessierten Wafern: · für den mechanischen Schutz beim Transport · als Isolatorschicht bei KOH-
10. August 2008/von AllAdmin13. Wie arbeiten Umkehrlacke (Image Reversal Resists)?
Umkehrlacke, wie der AR-U 4000, liefern je nach Verarbeitungsregime ein positives oder negatives Bild der optisch übertragenden Vorlage. Verarbeitet man den Resist ganz normal wie einen Positivresist,
9. August 2008/von AllAdmin14. Wie entsteht ein Unterschnitt (Lift-off) bei Einlagen- und Zweilagensystemen?
Es gibt Einlagen- und Zweilagensysteme, mit denen ein Unterschnitt erzeugt werden kann. Ein Einlagenresist ist der AR-P 5350, mit ihm können z.B. Aufdampfmuster aus Metall erzeugt werden.
8. August 2008/von AllAdmin15. Wie werden Dicklacke > 10 µm optimal prozessiert?
Beschichtung: Generell gilt für die Beschichtung dicker Positiv- und Negativlacke: Die Resists sollten mehrere Stunden bis zu einen Tag vor der Verarbeitung ruhen (» Frage 6 optimale Beschichtung und Frage 7 Luftbläschen)
7. August 2008/von AllAdmin16.Welche Auflösung und welchen Kontrast haben Photoresists?
Die Auflösung von Resists ist von mehreren Parametern, wie z.B. vom Maskelinertyp, vor allem dessen NA (numerische Apertur), Schichtdicke, Belichtungs-wellenlänge, Entwicklerkonzentration und
6. August 2008/von AllAdmin17. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von Photoresists?
Die Photoresists der AR-Serien 3000 bis 4000 besitzen aufgrund der verwendeten Polymere eine gute Ätzresistenz, vor allem in den Trockenätzprozessen wie z.B. Argon-Sputtern, CF4 und CF 4 /
5. August 2008/von AllAdmin18.Wie hoch ist die Ätzresistenz der Photolacke gegenüber starken Säuren?
Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die Resistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.
4. August 2008/von AllAdmin19.Welche Photolacke sind für Flusssäure (HF)-Ätzungen geeignet?
Der positiv arbeitende Photoresist X AR-P 3100/10 ist extrem haftverstärkt und damit für Flusssäure-Ätzungen bis 5 % HF geeignet. Besonders auf Glas oder Siliziumoxid wird eine Vorbehandlung der Substrate mit dem Haftvermittler AR 300-
3. August 2008/von AllAdmin2. Wie lange sind Photoresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?
Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,
20. August 2008/von AllAdmin20. Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von Photoresistschichten?
Bei den Photoresists gibt es rohstoffspezifisch zwei unterschiedliche Gruppen: · PMMA-Resists (Schutzlacke AR-PC 5000/4, 503, 504 und SX AR-N 4800) · Novolak-Resists (AR-P 3000, AR-
2. August 2008/von AllAdmin3. Wie wirken sich Alterungserscheinungen bei Photoresists aus?
Im Verlauf der Lagerung entstehen durch thermische chemische Reaktion der lichtempfindlichen Komponente mit dem Novolak rote Azofarbstoffe, die den Lack nachdunkeln lassen. Dabei färben bereits geringe Mengen des Farbstoffes den Lack dunkler,
19. August 2008/von AllAdmin4. Wie ist die optimale Substratvorbehandlung für Photoresists?
Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
18. August 2008/von AllAdmin5. Wie ist die Haftung von Photoresists auf unterschiedlichen Wafern?
Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist eine sensible Eigenschaft. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können fatale Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.
17. August 2008/von AllAdmin6. Wie sind die optimalen Beschichtungsbedingungen für ein gutes Schichtbild bei Photoresists?
Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit. Luftbläschen sind vermeidbar,
16. August 2008/von AllAdmin7. Wie entstehen bei Photoresistschichten Luftbläschen und wie sind sie vermeidbar?
Luftbläschen nach dem Aufschleudern sind meist Luftbläschen, z.B. wenn die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde. Beschichtungen nach unmittelbarer Öffnung der Flaschen,
15. August 2008/von AllAdmin8. Welche Funktion hat die Temperung (Softbake) der Photoresistschichten nach der Beschichtung?
Frisch beschichtete Lackschichten besitzen, je nach Schichtdicke, noch einen Restlösemittelgehalt. Die sich anschließende Temperung bei 90 - 100°C hat die Aufgabe, die Lackschicht zu trocknen,
14. August 2008/von AllAdmin9.Wie erfolgt die Belichtung von Photoresists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis? Wie lange können beschichtete und belichtete Substrate vor der Belichtung aufbewahrt werden?
Die Belichtung erfolgt durch eine Maske in geeigneten Belichtungseinrichtungen, wie z.B. Steppern (i-, g-line), Maskaglinern bzw. Kontaktbelichtern im jeweiligen spektralen Arbeitsbereich.
13. August 2008/von AllAdminAlkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS
Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern.
19. Januar 2016/von AllAdminAlkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist
Die meisten Novolak-basierten Photoresists zeichnen sich durch eine sehr gute Ätzstabilität gegenüber Säuren aus (außer hochkonzentrierten, oxidierenden Säuren oder konzentrierter Flusssäure)
16. Juli 2012/von AllAdminAlkalistabiler, leicht strukturierbarer Positivresist SX AR-P 5900/8
Der X AR-P 5900/4, seit vielen Jahren auf dem Markt, ist ein Positivresist, dessen Strukturen deutlich alkalistabiler als die der Standard-Positivresists (z.B. AR-P 3510 oder AZ-Lacke) sind.
13. Juni 2014/von AllAdminAllgemeines: Resistzusammensetzung
Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.
7. September 2021/von Anpassungsfähiger Zweilagenresist AR-BR 5460 für variable Lift-off-Strukturen
Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) bereits seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt.
21. Juli 2015/von AllAdminATLAS 46 allgemein
Die beiden Resists Atlas 46 S = AR-N 4600-10 und Atlas 46 R = AR-N 4650-10 sind negativ arbeitende Photoresists hoher Schichtdicke mit extrem stabilen Resiststrukturen. Der 4650-10 ist zusätzlich wieder leicht entfernbar und damit für photolithographische und Galvanik-Anwendungen sehr gut geeignet. AR-N 4600-10 ist in seinen Eigenschaften vergleichbar mit dem SU-8.
2. September 2021/von ATLAS 46 für Nanoimprint-Lithografie
Die Neuentwicklung ATLAS 46 konnte auch erfolgreich für Nanoimprinting eingesetzt werden (Universität Wuppertal, AG Prof. Scheer). In einem ersten Schritt wurden mit dem negativ arbeitenden Resist ATLAS 46S Nanostrukturen hergestellt, die anschließend mit UV-Licht bei einer Wellenlänge von 172nm gehärtet wurden.
15. Januar 2018/von AllAdminAusbleichbare Resists
Die Grundidee bei den Farbstoffresists innerhalb des Projektes Photoenco (Juni 2016 – Mai 2019) war, dass man Farbstoffe in die Polymermatrix des Resists einmischt, welche dann durch Bestrahlung ihre Farbe ändern oder aber farblos werden.
9. Juli 2018/von AllAdminBeschichtungsbedingungen
Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.
26. Oktober 2021/von CAR 44 auf Kupfer
Wird der Negativ-Photoresist CAR 44 (AR-N 4400) direkt auf Kupfer- oder kupferhaltigen Substraten eingesetzt, muss folgendes beachtet werden.
11. Juli 2017/von AllAdminChemisch verstärkter Negativresist (Prozessparameter und Auflösung)
Am Beispiel vom AR-N 4340 werden Prozessparameter, Empfindlichkeit, Auflösung, Kantenqualität und Maßverhalten dargestellt. Die Untersuchungen erfolgten auf 150mm-Wafern mit Si-Oberfläche.
9. Juli 2013/von AllAdminChemisch verstärkter Negativresist ohne Vernetzungstemperung
Bei einigen Anwendungen kann das Substrat, auf dem der Negativlack eingesetzt werden soll, nicht erwärmt werden. Das trifft auf empfindliche Gläser und vor allem auf sehr große Substrate zu.
9. Juli 2013/von AllAdminDosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists
Die gewünschte Strukturgröße hängt auch erheblich von der verwendeten Belichtungsdosis ab. Bei einer Überbelichtung beginnen sich die Strukturen zu vergrößern. Besonders ausgeprägt ist das bei einer Laserbestrahlung. In der Bildreihe sind 5-µm-Säulen bei unterschiedlichen Dosen gezeigt.
20. Mai 2015/von AllAdminEingefärbte Negativ-Photoresists
Allresist bietet mittlerweile auch gefärbte Negativresists mit der Bezeichnung SX AR-N 8500 an. Der Unterschied zu den FUJIFILM Lacken besteht darin, dass in den Resists Farbstoffe und keine Pigmente gelöst sind. Damit können eine hohe Auflösung und scharfe Kanten erreicht werden.
11. Oktober 2017/von AllAdminEinlagen- und Zweilagen-lift-off
Lift-off-Strukturen werden für viele Technologien benötigt. Man unterscheidet Einlagen- und Zweilagenprozesse.
27. Oktober 2021/von Empfindlicher Negativ PMMA-Resist (CAR)
PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt.
27. Oktober 2014/von AllAdminEmpfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter
Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.
20. Mai 2015/von AllAdminEntwicklung dicker Negativresistschichten
Durch Verwendung des negativ Resists AR-N 4400-50 können dicke Lackschichten >200 µ m durch mehrmaliges Beschichten aufgebaut werden (siehe Produktinfo CAR 44). Entscheidend für die Qualität der zu erzeugenden Strukturen ist das Trocknungsregime.
7. Oktober 2013/von AllAdminErzeugung senkrechter Flanken mit CAR44
An der TU-Braunschweig wurde AR-N 4400-50 speziell hinsichtlich der Erzeugung gut definierter Resistarchitekturen mit vertikalen Flanken detailliert untersucht.
20. Januar 2017/von AllAdminErzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists
Mit der Laser-Direkt-Belichtung kann ein leichter Unterschnitt der Strukturen erzeugt werden: Der obere Teil der Schicht wird durch die Absorption des Resists stärker belichtet und intensiver vernetzt. Dagegen wird der untere Teil der Struktur durch die Absorption des Resists etwas weniger belichtet und geringer vernetzt. Damit entsteht, weil der Entwickler die untere Schicht auch seitlich angreift, ein leichter Unterschnitt.
20. Mai 2015/von AllAdminEthanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060
Die Strukturen es Image Reversal Resist AR-U 4060 zeigen nach einer Flutbelichtung und einer anschließenden Temperung eine erhöhte Beständigkeit gegenüber Lösemitteln. Ethanol und Toluol greifen normale Positiv-Resistschichten schnell an und lösen sie in kurzer Zeit.
21. Juli 2015/von AllAdminFluoreszierende Resiststrukturen Photoresists
Auch in Photoresists können fluoreszierende Farbstoffe eingebettet werden, dabei sind die negativen Photoresists von besonderem Interesse. Durch Einbettung in den negativ arbeitenden ATLAS 46 S konnten Resistschichten erzeugt werden, die wahlweise eine violette, blaue, gelbe, orange oder rote Fluoreszenz zeigen.
25. April 2018/von AllAdminGebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)
Das Spray-Coating wird oft für die Beschichtung komplizierter Topologien verwendet. Es gibt verschiedene Hersteller für Spray-Coating Geräte, die beiden wohl bekanntesten sind die EV Group und Süss Microtec.
23. September 2021/von Haftfestigkeit
Zur Verbesserung der Haftung dienen Haftvermittler, wie z.B. der Adhäsionspromotor AR 300-80, der unmittelbar vor der Lackbeschichtung mittels Spincoating als dünne, ca. 15 nm dicke Schicht aufgetragen wird.
22. September 2021/von Laser-Direktbelichtung mit dem AR-P 3540
Neben dem verbreiteten Strukturieren mittels Photomasken in der Lithographie besteht auch die Möglichkeit, die Strukturen direkt, ohne Maske, mittels Laserstrahlen einzuschreiben.
13. Juni 2014/von AllAdminLaserablation von PPA (Phoenix 81)
PPA-Schichten können auch durch Laserablatation strukturiert werden. Mit AR-P 8100 beschichtete Substrate wurden am IOM Leipzig (Dr. Klaus Zimmer) mit gepulstem Laserlicht bei unterschiedlichen Wellenlängen strukturiert. Dabei konnten Architekturen mit sehr geringer Kantenrauigkeit realisiert werden.
2. September 2021/von Mit NIR-Lasern strukturierbare Photoresists
Durch Zusatz geeigneter Farbstoffen zu den negativ arbeitenden CAR-Resists kann auch bei Wellenlängen außerhalb des sonst üblichen Wellenlängenbereichs strukturiert werden, wenn mit gepulsten Lasern in ausreichender Intensität bestrahlt wird.
27. Oktober 2014/von AllAdminNegativ-CAR PMMA Resist SX AR-N 4810/1
PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt. Prinzipiell ist die Strukturierung einer PMMA-Schicht auch mittels Tief-UV-Belichtung (220 – 266 nm) möglich. Jedoch ist dort die Empfindlichkeit gering und es resultieren lange Belichtungszeiten.
15. Januar 2018/von AllAdminNegativ-Poly(hydroxystyren)- und -(hydroxystyren-co-MMA)-Photoresist mit hoher Thermobeständigkeit
Als Alternative zum Polyimid-Negativresist wurde ein auf Polyhydroxystyren basierender, sehr empfindlicher CAR-Negativlack entwickelt, der wässrig alkalisch entwickelt werden kann.
27. Februar 2013/von AllAdminNegativ-Polyimid-Photoresist
Als Alternative zu dem Positiv-Polyimid-Resist ( SX AR-PC 5000/82.7 ), der schon im Lösemittel ein Polyimid ist und somit kein Curing-Prozess (siehe "Positiv-Polyimid Resist" ) bei 350-
27. Februar 2013/von AllAdminNegativ-Zweilagen-lift-off System
Positiv-Zweilagen-Systeme sind schon lange auf dem Markt. Nun mehr gibt es auch Varianten mit Negativresists als Oberlack. Der größte Vorteil für die Neuerung ist die höhere thermische Stabilität von Negativlacken.
9. Juli 2013/von AllAdminNeues Verfahren zur Sprühbeschichtung tiefer Topologien mit SX AR-P 1250/20
Im CiS Institut für Mikrosensorik werden für die Fertigung kundenspezifischer Bauelemente tiefe Siliziumätzgruben strukturiert. Dazu wurde eine Beschichtung mittels Sprühbeschichtung entwickelt.
27. Februar 2013/von AllAdminPhotoresistbeschichtungen auf Teflonsubstraten
Teflon oder ähnliche Produkte werden aufgrund ihrer extremen Oberflächeneigenschaften in Bereichen eingesetzt, wo eine Strukturierung des Teflons manchmal wünschenswert wäre. Die hydrophoben Oberflächeneigenschaften verhindern aber eine Beschichtung mit Resist.
27. Februar 2013/von AllAdminPhotoresists Allgemein
Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.
27. Oktober 2021/von Polyimid-Zweilagensystem
Für einige Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Polymereigenschaften unverfälscht, also ohne Zusatz lichtempfindlicher Komponenten, erhalten bleiben, so z.B. beim Einsatz als Feuchtsensor.
31. August 2012/von AllAdminPositiv-Polyimid-Einlagenresist
Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.
27. Februar 2013/von AllAdminPositiv-Zweilagen-lift-off System
Zurzeit befinden sich zwei Positiv-Zweilagen-lift-off Systeme seit einigen Jahren erfolgreich im Einsatz; die AR-P 5400-3510-Serie (Allresist) und PGMI-Positivresist-Variante. Durch die Dauer der Entwicklung kann sich jeder Anwender den Unterschnitt bei der AR-
9. Juli 2013/von AllAdminPositivresist für temperatur-empfindliche Substrate
Oftmals sollen Substrate strukturiert werden, die nicht über 50 – 70 °C erwärmt werden dürfen. Das können Glasteilungen sein, die sich bei höheren Temperaturen verziehen und so ihre Maßhaltigkeit verlieren würden.
9. Juli 2013/von AllAdminReinigung der Substrate
Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist für eine sichere Resistverarbeitung von großer Bedeutung. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können signifikante Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.
27. Oktober 2021/von Resist für 488 nm Belichtungswellenlänge
Die üblichen Belichtungswellenlängen für die Breitband-UV-Lithographie liegen in dem Bereich zwischen 300 nm und 450 nm. Darin enthalten sind die wichtigen Hochdruckquecksilberlampenlinien 436 nm (g-
31. August 2012/von AllAdminResist für das Nahe Infrarot (NIR)
Mit der Entwicklung von Photoresists für die Belichtungen in dem Wellenlängenbereich von 500 bis 1.100 nm mittels Laser wurden neue Verfahren ermöglicht. Mit den Standard-Photoresists ist eine Lithographie mit einer Belichtungswellenlänge > 480 nm nicht möglich.
16. Juli 2012/von AllAdminSchwarzlack
Bei erstaunlich vielen Anwendungen ist es wichtig, die Licht-Durchlässigkeit der Substrate vollständig zu unterbinden, jedoch trotzdem noch strukturieren zu können. Am besten sollte der optisch geschützte Bereich den gesamten UV/VIS-Bereich abdecken, also von 200 - 1.000 nm.
7. September 2021/von Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Negativ)
Allresist bietet auch unterschiedliche Negativresists für die Sprühbeschichtung an. Diese sind in diesem Artikel beschrieben (siehe Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Positiv und Negativ)
31. August 2012/von AllAdminSprühlacke für unterschiedliche Topologien (Positiv und Negativ)
Die bisher verfügbaren Sprayresists (AZ 4999) sind für extreme Topologien ausgelegt, d.h., es können auch senkrechte Siliziumgräben mit Resist bedeckt werden. Diese ausgezeichnete Eigenschaft hat jedoch ihren Preis:
31. August 2012/von AllAdminStrukturierung mittels Ablation des Resistmaterials
Das Grundprinzip der Laserablation ist, dass durch Laserbestrahlung einer bestimmten Wellenlänge so viel Energie in das für Ablation modifizierte Resistmaterial eingetragen wird, um das Resistpolymer zu zerstören und dieses dann als niedermolekulare Fragmente verdampft. Dieser Prozess kann durch Eintrag geeigneter Farbstoffzusätze begünstigt werden. Im Ergebnis entstehen transparente Strukturen (abladierte Flächen) in der sonst lichtundurchlässigen Fläche.
9. Juli 2018/von AllAdminStrukturierung von Polyphthalaldehyden mittels Photolithographie
PPA-Schichten sind lichtempfindlich und können daher auch mittels Fotolithographie direkt strukturiert werden. Eine Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge <300nm (Hg-Dampflampe) führt zur Spaltung der Polymerketten unter Bildung leichtflüchtiger Bestandteile, die sich zum Teil schon bei Raumtemperatur zu verflüchtigen beginnen.
21. Juli 2015/von AllAdminSurface Imaging Resistsystem SX AR-N 7100 – silylierbarer Photoresist
Das Negativ-Photoresist-Experimentalmuster SX AR-N 7100 stellt ein oberflächenabbildendes und trockenentwickelbares System dar. Mit ihm können Strukturen mittels Plasmaätzung in dicke Resistschichten übertragen werden.
4. Juli 2016/von AllAdminTemperaturstabiler Negativresist
Neue, wässrig-alkalische lösliche Polymere können die Novolake in einigen Eigenschaften übertreffen.
16. Juli 2012/von AllAdminThermisch stabile Zweilagen-lift-off-Systeme
Bei den Anwendungen der Lift-off-Strukturen treten beim z.B. Besputtern häufig Temperaturen von über 150 °C auf. Mit den üblichen Photoresists als Top-Layer kommt es dann zum Schmelzen der Lift-off-Struktur, wodurch sie unbrauchbar für den Prozess wird.
28. September 2021/von Thermostabile Photoresists
Für zahlreiche Anwendungen werden Lacke benötigt, die über eine ausgezeichnete Temperaturstabilität verfügen. Strukturen des thermisch stabilen Negativresist SX AR-N 4340/6 halten Temperaturen bis zu 350 °C formtreu aus.
27. Oktober 2014/von AllAdminTop Surface Imaging Photoresist – Wirkprinzip
Die Grundlagen der Top Surface Imaging Technologie wurde von Roland und Coopmans (Proc. SPIE 631, 34 (1986)) erforscht. Die Technologie basiert auf dem Prozess der selektiven Resistsilylierung (DESIRE-Prozess).
30. Januar 2017/von AllAdminUV-Strukturierung PMMA Resists
Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-
31. August 2012/von AllAdminVerdünnung von Resists
Fast alle Photoresists beinhalten als Lösemittel PMA (PGMEA). Dieses Lösemittel ist deshalb auch der gebräuchlichste Verdünner und wird von uns unter der Bezeichnung AR 300-12 angeboten.
7. September 2021/von Wasserbasierte Resists
Die meisten Photoresist sind fast ausschließlich in organischen Lösemitteln, wie z.B. in PMA (1-Methoxy-2-propyl-acetat) oder englischsprachig PGMEA (propylene glycol methyl acetate) gelöst.
27. Oktober 2014/von AllAdminWasserfrei entwickelbarer Speziallack SX AR-N 4810/1
Der neue Speziallack SX AR-N 4810/1 ist ein chemisch verstärkter Photoresist, der auf PMMA basiert und wasserfrei – entscheidend im Fall feuchtigkeitsempfindlicher Substrate - mit organischen Lösungsmitteln entwickelt werden kann. SX AR-N 4810/1 wird als Lösung in Anisol angeboten und enthält neben PMMA noch Vernetzer und aminische Komponenten. Als Entwickler eignen sich X AR 300-74/1 oder MIBK.
20. Mai 2015/von AllAdminWässriger Negativresist auf Gelatine Basis
In Gegenwart katalytisch wirkender Eisensalze kann Gelatine photochemisch negativ vernetzt werden. Die beschichteten Substrate werden dafür belichtet und kurz in verdünnter Wasserstoffperoxidlösung, das als Vernetzer fungiert, geschwenkt.
13. Juni 2014/von AllAdminZweilagen Photoresistsystem für wasserempfindliche Substrate
Wenn im Strukturierungsprozess kein Wasser mit dem Substrat in Kontakt kommen darf, ist ein Zweilagen Photoresistsystem, bestehend aus einem PMMA-Resist (Unterschicht) und einem Photoresist (Oberschicht), eine Alternative zu dem SX AR-N 4810/1.
21. Juli 2015/von AllAdminZweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung
Flusssäure-Ätzungen werden, trotz der Gefährlichkeit der HF, technologisch eingesetzt, auch mit den hochprozentigen Säuren (48%). Die technologischen Probleme werden im Artikel "Nasschemisches Ätzen" dargestellt.
16. Juli 2012/von AllAdminAlle 79 /Allgemein 13 /Allgemein 0 /Allgemein 0 /Allresist 0 /Andere Resists 14 /Andere Resists 0 /AR NEWS 0 /Bottomresist 0 /E-Beam Resist 0 /Entwickler 0 /Fach- & Zeitungsartikel 0 /FAQ 0 /FAQ 11 /FuE 0 /FuE-Projekte 0 /Grundlagen 0 /Grundlegende Chemie 0 /Haftvermittler 0 /Jobs 0 /Negativ 0 /Negativ 13 /Neuigkeiten 0 /Photoresist 0 /Positiv 29 /Positiv 0 /Presse 0 /Prozesschemikalien 0 /Prozesshinweise 0 /Prozessverfahren 0 /Remover 0 /Resist des Monats 0 /Resist-Wiki 0 /Schutzresist 0 /Startresist 0 /Startseite 0 /Stopper 0 /Verdünner 0 /z-SX-AR-PC 5000/41 0 /Zeitungsartikel 0 /z_AR 300-12 0 /z_AR 300-26 / 300-35 0 /z_AR 300-40 0 /z_AR 600-01 - 09 0 /z_AR-N 4400 0 /z_AR-N 4600 0 /z_AR-P 3100 0 /z_AR-P 617 0 /z_AR-P 6200 0 /z_AR-P 630-670 0 /z_AR-P-8100 0 /z_AR-PC 5090/91 0 /z_SX AR-N 8200-8250 0 /z_SX AR-P 3500/8 0
1. Wie ist ein E-Beam Resist aufgebaut und wie funktioniert er?
E-Beam Resists (Elektronenstrahlresists) sind für Elektronenstrahl- und Tief-UV-Anwendungen zur Herstellung von höchstintegrierte Strukturen, hauptsächlich für die Maskenfertigung konzipiert.
23. August 2008/von AllAdmin10. Wie hoch ist die Ätzresistenz der E-Beam Resists gegenüber starken Säuren?
Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die E-Beamresistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.
14. August 2008/von AllAdmin11.Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von E-Beamresistschichten?
Bei den E-Beam Resists gibt es rohstoffspezifisch zwei unterschiedliche Gruppen: PMMA-Resists (AR-P 6000) Novolak-Resists (AR-N/P 7000) » Generell gilt, dass mit steigenden Trocknungs-
13. August 2008/von AllAdmin2. Wie lange sind E-Beamresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?
PMMA- und Copolymer-E-Beamresists sind im sichtbaren UV nicht lichtempfindlich, sie reagieren also nicht auf Licht (Gelblicht nicht erforderlich) und weniger gravierend als novolakbasierte Resists auf Temperatureinwirkung.
22. August 2008/von AllAdmin3. Wie ist die optimale Subtratvorbehandlung für E-Beam Resists?
Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Min zur Vorbereitung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
21. August 2008/von AllAdmin4. Wie ist die Haftung von E-Beam Resists auf unterschiedlichen Wafern?
Wie bei den Photoresists ist die Haftung zwischen Substrat und Lack auch bei den E-Beamresists eine sensible Eigenschaft. Die PMMA- und PMMA-Copolymerresists sind jedoch deutlich unempfindlicher gegenüber Haftungsproblemen im Vergleich mit den 7000er Elektronenstrahllacken.
20. August 2008/von AllAdmin5. Wie erfolgt die Belichtung von E-Beam Resists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis?
Durch die Verwendung sehr kurzwelliger Elektronen für die Bestrahlung der Resists kann eine ausgezeichnete Auflösung von bis zu 2 nm erreicht werden (Punktstrahl). Die Belichtung erfolgt durch herkömmliche Geräte der Elektronenstrahl-
19. August 2008/von AllAdmin6.Welche Entwickler sind für welche E-Beam Resists optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?
Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollte bei einer Temperatur zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 2 °C bei Lösemittel-
18. August 2008/von AllAdmin7. Wie sind E-Beamresistschichten wieder entfernbar?
Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten (Softbake-Temperatur) aller E-Beamresists eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 bzw. AR 600-
17. August 2008/von AllAdmin8. Welche Auflösung haben E-Beam Resists?
Bei der Auflösung muss zwischen akademisch erreichten und industriell nutzbaren Werten unterschieden werden. Theoretisch sind Auflösungen von 2 nm möglich (Punktstrahl der Elektronen)
16. August 2008/von AllAdmin9. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von E-Beam Resists?
Die Elektronenstrahllacke der AR-Serien 6000 und 7000 weisen unterschiedliche Ätzresistenzen bei den Trockenätzprozessen, wie z.B. Argon-Sputtern und CF4 auf. Die novolakbasierten E-
15. August 2008/von AllAdminAR-N 7700, 4 µm dick, Proximity-Effekt
Ziel der Elektronenstrahllithographie ist im Allgemeinen eine maximale Auflösung. Deshalb werden normalerweise auch sehr dünne Schichten verwendet (50 - 500 nm). In einigen Fällen sind aber auch kleine Strukturen mit einem hohen Aspektverhältnis interessant.
27. Februar 2013/von AllAdminAR-P 617 Zweilagen-lift-off System
Eine weitere Variante zum Aufbau von Zweilagensystemen geht nur von einem Resist aus: AR-P 617 (PMMAcoMA 33).
28. Oktober 2021/von Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie
Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.
12. Oktober 2018/von AllAdminAufladung
Ein Teil der auf dem Substrat auftreffenden hochenergetischen Elektronen wird gestoppt und kann insbesondere im Fall isolierender Substrate wie z.B. Quarz, nicht oder nur sehr langsam Richtung Masse abgeführt werden.
4. Oktober 2016/von AllAdminAuflösungsvermögen
Im Unterschied zur Photolithographie ist die Auflösung bei der E-Beam Lithographie praktisch nicht durch die Wellenlänge limitiert. Elektronen einer Energie von 25keV besitzen eine Wellenlänge < 0,01 nm.
4. Oktober 2016/von AllAdminBOE-Ätzung von SiO2 mit CSAR 62-Maske
Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden.
13. April 2016/von AllAdminCAR 44 für die E-Beam-Lithographie
Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.
12. Oktober 2018/von AllAdminChemisch verstärkter, hochempfindlicher Negativ-E-Beamresist SX AR-N 7730/37
Mit SX AR-N 7730/37 wollen wir einen neuen negativen CAR E-Beamresist vorstellen. Der Resist zeigt eine sehr hohe Empfindlichkeit bei gleichzeitig hoher Prozessstabilität.
13. Juni 2014/von AllAdminCSAR 62 dicke Schichten
Inzwischen gehört der hochempfindliche E-Beam Resist CSAR 62 zu unseren sehr erfolgreichen Produkten. Bisher bieten wir 4 Standardvarianten an.
27. Oktober 2014/von AllAdminCSAR 62 Einlagen-lift-off System
Mit unserer Neuentwicklung E-beam Resist AR-P 6200 (CSAR 62) lassen sich sehr feine Strukturen, wie z.B. 10nm breite Gräben, mit sehr hohem Kontrast >14 generieren bei vergleichsweise hoher Empfindlichkeit.
25. April 2018/von AllAdminCSAR 62 für dicke Schichten
Intensive Plasmaätzanwendungen zur Herstellung tiefer Ätzstrukturen mit hohem Aspektverhältnis erfordern ätzstabile Resists und höhere Schichtdicken, die jedoch besondere Anforderungen an Auflösung und Kontrast stellen.
11. Oktober 2017/von AllAdminCSAR 62 für EUV-Anwendungen
Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.
13. April 2016/von AllAdminCSAR 62 lift-off für dicke Schichten
Für Spezial-Anwendungen, wo mittels Lift-off-Technik Metalldicken von einigen Hundert Nanometern erzeugt werden sollen, bedarf es auch höhere Schichten.
27. Oktober 2014/von AllAdminCSAR 62 Vermeidung von Partikeln bei großflächigen Bestrahlungen
Bei der Bestrahlung und folgenden Entwicklung großer Strukturen (> 1 µm) treten gelegentlich Partikel auf den freientwickelten Flächen auf.
27. Oktober 2014/von AllAdminCSAR 62 – Wirkprinzip
Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.
30. September 2021/von CSAR 62-Entwicklung bei tieferen Temperaturen
Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl des Entwicklers sehr stark beeinflusst werden. Im Vergleich zum Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht werden.
5. Oktober 2015/von AllAdminCSAR 62-Untersuchungen zu neuen empfindlichen Entwicklern
CSAR 62-Schichten können auch durch eine intensive UV-Belichtung strukturiert werden. Die bestrahlten Schichten wurden mit unterschiedlichen Lösungsmitteln entwickelt und die beobachteten Empfindlichkeiten miteinander verglichen.
5. Oktober 2015/von AllAdminCSAR-Strukturen auf Glas
Die Verwendung einer Kombination von CSAR 62 und Electra 92 ermöglicht die Erzeugung komplizierter Strukturen auf isolierenden Glas.
5. Oktober 2015/von AllAdminDicker CSAR 62
Einige Anwendungen, z.B. die Herstellung tief-geätzter Strukturen durch Plasmaätzen, erfordert die Prozessierung dickerer Resistschichten, wobei insbesondere für die Elektronenstrahllithographie eine hohe Empfindlichkeit von großer Bedeutung ist.
13. Juni 2014/von AllAdminDiffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist
Von Allresist wurde ein E-Beamresist konzipiert, der in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis ein dreidimensionales Resistprofil erzeugt. Für die übliche Strukturierung wird von einem Resist eigentlich nur ein zweidimensionales Verhalten erwartet.
27. Februar 2013/von AllAdminDreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
Eine weitere Variante zum Aufbau von Dreilagensystemen verwendet 950k PMMA als Bottomresist, AR-P 617 als mittlere Schicht und CSAR 62 als Topresist.
27. Oktober 2021/von E-Beam Resist: Verfahren
In der Elektronenstrahllithographie gibt es sowohl maskenbasierte als auch maskenlose Schreibverfahren. Beim direkten, maskenlosen Schreiben verwenden ältere Systeme Elektronenstrahlen mit gaußförmiger Energieverteilung, die im Raster über das Substrat geführt werden.
4. Oktober 2016/von AllAdminE-Beam Resists auf Basis von Polyphthalaldehyden
PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.
21. Juli 2015/von AllAdminE-Beam-Resists: Allgemeines
Die Elektronenstrahllithographie ist ein spezielles Verfahren zur Strukturierung elektronen-strahlempfindlicher Lackschichten für die Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise und der in der Photolithographie verwendeten Fotomasken.
4. Oktober 2016/von AllAdminEinsatz von Electra 92 für REM-Anwendungen
Die Beschichtung mit Electra 92 auf elektrisch isolierend wirkenden Polymeren ermöglichte die qualitativ hochwertige Abbildung von Nanostrukturen im REM.
13. April 2016/von AllAdminElectra 92-Variante optimiert für Novolak-basierte Resists
Durch höheren Lösemittel-Anteil werden Novolak-Lacke angegriffen. Deshalb wurde ein Lack konzipiert, der bessere Beschichtungseigenschaften aufweist.
5. Oktober 2015/von AllAdminElektronenstrahllacke (Resists)
Zu den ersten und heute immer noch vielfach genutzten Lacken zählen kurzkettige als auch langkettige Polymethylmethacrylate.
4. Oktober 2016/von AllAdminElektronenstrahllithografiesysteme
Wesentliche Bestandteile von Elektronenstrahllithografiesysteme sind die Elektronenquelle, das elektrooptischen System und das Fokussierungssystem (Ablenkungs- bzw. Projektionseinheit). Für Geräte niedrigerer Auflösung werden Glühkathoden verwendet, bei Geräten mit höherer Auflösung werden dagegen bevorzugt thermische Feldemissionsquellen benutzt.
4. Oktober 2016/von AllAdminElektronenstrahlresists auf Basis von Polyphthalaldehyden, Uni Tübingen
PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.
26. Oktober 2021/von Empfindlicher, ätzstabiler Negativ-E-Beamresist für Arbeiten ohne Gelblicht
Die Elektronenstrahllithographie begann in den 1980er Jahren mit den PMMA-Resists. Diese Lacke sind im Wellenlängen-UV-Bereich von über 300 nm absolut lichtunempfindlich. Deshalb benötigen die Reinräume,
13. Juli 2012/von AllAdminErzeugung von Sekundärelektronen
Einfallende Primärelektronen können beim Eintritt oder Durchqueren von Resistschichten neben den auftretenden elastischen Streueffekten bei einer Kollision mit anderen Elektronen oder Atomen auch unelastisch gestreut werden.
4. Oktober 2016/von AllAdminFluoreszierende Resiststrukturen E-Beam-Resists
Fluoreszenz ist die spontane Emission von Licht kurz nach der Anregung eines Materials durch elektronische Übergänge. Dabei ist das emittierte Licht in der Regel energieärmer als das vorher absorbierte.
11. Oktober 2017/von AllAdminGrundlagen
Informationen über Polymere Resists, Lichtempfindliche Komponenten, Vernetzer, andere Bestandteile von Resists sowie über Prozesshinweise und Prozessverfahren.
28. Oktober 2021/von Herstellung plasmonischer Strukturen mit CSAR 62
Bei der Herstellung plasmonischer Strukturen können mit Electra 92 unerwünschten Aufladungen auf Quarzsubstraten vermieden werden.
5. Oktober 2015/von AllAdminHF-Ätzung von GaAs mit CSAR 62-Maske
Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen.
13. April 2016/von AllAdminHochauflösender Negativ-E-Beamresist
Ein prozessstabiler, ausreichend empfindlicher E-Beamresist mit einer Auflösung um 30 nm wird für Forcierung der Elektronenstrahllithographie dringend benötigt. Die chemisch verstärkten E-
13. Juli 2012/von AllAdminHochauflösender Negativ-E-Beamresist AR-N 7520.17neu für Ätzanwendung
Am Institut FEMTO-ST in Frankreich wurden mit AR- 7520.17neu bei einer Schichtdicke von 400nm sehr gleichmäßige und glatte 300nm-Stege realisiert. In der nachfolgenden Ätzanwendung konnte die Resistgeometrie in hervorragender Qualität in das Si-Substrat übertragen werden.
26. Oktober 2021/von Hochauflösender PMMA-Einlagen-Resist
Bei der Verwendung des SX AR-P 640/2 (PMMA 90K) als Einlagensystem kann durch die Veränderung der Prozessparameter, insbesondere der Dosis, eine noch bessere Auflösung erzielt werden.
31. August 2012/von AllAdminHochempfindlicher E-Beamresist AR-P 617 (PMMA-Copolymer)
Das Copolymer aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure ist im Gegensatz zu den reinen PMMA´s in der Lage, bei einer thermischen Belastung einen 6-Ring zu bilden.
13. April 2016/von AllAdminHohe Auflösung auf Quarz durch Electra 92 auf einem HSQ-Resist
Ohne Einsatz einer leitfähigen Beschichtung ist eine präzise Strukturierung auf Quarz nicht möglich. Die Raith GmbH hat untersucht, dass nach Beschichtung mit Electra 92 ein HSQ-Resist XR1541 auf einem Quarzsubstrat mit sehr guter Qualität strukturiert werden konnten.
21. Juli 2015/von AllAdminKollabieren von extrem aufgelösten E-Beam-Resiststrukturen
Ein typisches Problem einer extremen Auflösung bei einem Aspektverhältnis > 10 ist das Kollabieren der Stege. In Abb. 1 sind 10-nm-Gräben mit einem Pitch von 50 nm zu sehen. Diese Strukturen wurden mit dem CSAR 62 (SX AR-
27. Februar 2013/von AllAdminLangzeitstabilität von Electra 92
Electra 92 besitzt auch nach 15 monatiger Lagerzeit noch unverändert gute Leitfähigkeitseigenschaften, entsprechend einer sehr hohen Lagerstabilität.
5. Oktober 2015/von AllAdminLeitfähigkeit unter den Anwendungsbedingungen der E-Beam Lithographie
Die ermittelte Leitfähigkeit der Schichten wird nicht nur von der Temperatur stark beeinflusst, sondern hängt auch direkt von der Luftfeuchtigkeit ab.
5. Oktober 2015/von AllAdminLösemittel in E-Beamresists
Die Elektronenstrahllithographie begann mit den PMMA-Resists Anfang der 80er Jahre. Dabei wurde als das beste Lösemittel Chlorbenzen ausgewählt. Dieses Lösemittel löst die unterschiedlichen PMMA´s (verschiedene Molmassen von 50K bis 950K)
9. Juli 2013/von AllAdminMedusa 82 für EUV-Anwendungen
EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung.
12. Oktober 2018/von AllAdminMedusa 82 mit Photoacidgenerator (PAG)
Ein Nachteil von HSQ und Medusa 82 ist die sehr geringe Empfindlichkeit. Durch Zusatz von Photoacidgeneratoren kann die Empfindlichkeit deutlich gesteigert werden.
12. Oktober 2018/von AllAdminMedusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)
Ein Zusatz von Photoacidgenerator (PAG) kann die Empfindlichkeit von Medusa 82 erheblich steigern (siehe Resist-Wiki Medusa 82 mit PAG). Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach der E-Beam-Belichtung einen PEB durchzuführen.
12. Oktober 2018/von AllAdminMedusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist, Lagerstabilität
Unserem Forschungsteam ist es gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln: der Medusa 82. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.
9. Juli 2018/von AllAdminMit 100kV geschriebene CSAR 62-Nanostrukturen
Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht
4. Juli 2016/von AllAdminPhoenix 81 – Lagerbedingungen und Versand
In der Endphase des Projektes Eurostar PPA-Litho, das die Entwicklung des Phoenix zum Ziel hatte, ist es uns durch die Optimierung der Synthese gelungen, weitaus stabilere PPA-Polymere herzustellen. Die reinen Polyphthalaldehyde haben einen Stresstest über 14 Tage bei 37 °C ohne Zersetzung überstanden. Damit ist ein Versand ohne Kühlung möglich. Das triff jedoch nur auf die reinen PPA-Polymere zu.
9. Juli 2018/von AllAdminPMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen
Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.
30. September 2021/von PMMA-E-Beamresist positiv und bei Überbelichtung negativ, geeignet für Brückenstrukturen
PMMA-Resist arbeiten unter den Standardbedingungen positiv. Die langen Polymerketten werden durch die Bestrahlung gebrochen, es entstehen kleine Bruchstücke.
28. Oktober 2021/von PMMA-Lift-off-Strukturen auf Halb-Edelstein-Substraten mittels Electra 92
Halbedelsteine gewinnen als Substrate für die Halbleiterindustrie an Bedeutung. Mit Electra 92 ist eine Strukturierung möglich.
5. Oktober 2015/von AllAdminPositiv-Polyimid-Resist für die E-Beam-Lithographie
Erste Versuche mit unserm SX AR-P 5000/82.7 mittels Elektronenstrahllithographie ergaben den Nachweis, dass sich dieser Resist gut strukturieren lässt. Damit ist die Möglichkeit gegeben,
13. Juli 2012/von AllAdminPPA für Zweilagenanwendungen
Das 2-Lagensystem bzw. Lift-off wird sehr erfolgreich für die Erzeugung unterschnittener Strukturen eingesetzt.
28. Oktober 2021/von Proximity-Effekt
Der Proximity-Effekt basiert im Wesentlichen auf der Streuung von Elektronen im Substrat und auch im Resistmaterial aufgrund der elektrischen Wechselwirkung zwischen den Elektronen und führt zu einer Vergrößerung der geschriebenen Strukturen, da angrenzende Bereiche mit bestrahlt werden, entsprechend kommt es auch zu einer Verringerung des Kontrastes.
4. Oktober 2016/von AllAdminRaster- und Vector-Scan-Prinzip
Ein Verfahren bei dem der Elektronenstrahl zeilenweise über das Belichtungsfeld geführt wird als Raster-Scan-Prinzip bezeichnet. Vergleichbar mit der Strahlführung in einem Elektronenmikroskop.
4. Oktober 2016/von AllAdminSCALPEL
Eine weitere maskenbasierte Technik ist SCALPEL Scattering with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithography). Dieses Verfahren nutzt Streumasken mit einer für Elektronen teilweise transparenten Folie.
4. Oktober 2016/von AllAdminSchreibzeit
Die minimal benötigte Bestrahlungszeit für eine bestimmte Fläche, bei gegebener Bestrahlungsdosis, lässt sich durch den folgenden Zusammenhang berechnen: Fläche * Dosis = Belichtungsdauer * Strahlstrom
4. Oktober 2016/von AllAdminStreuung
Wird ein Elektronenstrahl mit hoher Energie (5- 100 keV) auf eine Resistschicht gelenkt treten sowohl Vorwärtsstreuung (< 90° in Einfallsrichtung) als auch eine Rückwärtsstreuung (> 90° in Einfallsrichtung) auf.
4. Oktober 2016/von AllAdminStrukturierung des leitfähigen Schutzlacks Electra 92
Eine Strukturierung des leitfähigen Lackes Electra 92 ist in einem gewissen Umfang möglich. Dazu wird folgendes Verfahren verwendet: Auf dem Substrat wird ein Negativ-Resist (z.B. AR-N 4340) beschichtet, belichtet und entwickelt.
21. Juli 2015/von AllAdminT-Gates mit dem Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
T-Gate-Strukturen werden häufig für die Realisierung elektronischer Bauelemente (MEMS, HEMTs) benötigt. Entsprechende Nanostrukturen können mittels E-Beamlithografie in Mehrlagenprozessen realisiert werden.
15. Januar 2018/von AllAdminTemperaturbeständigkeit E-Beam-Polymere
Die Schichten und die Strukturen der E-Beam-Polymere haben eine unterschiedliche Temperatur Beständigkeit. Dabei sind die PMMA-Schichten am stabilsten. Bei Temperaturen bis 260 °C bleiben die Strukturen erhalten, es treten nur Verrundungen der Lackkanten auf.
4. Oktober 2016/von AllAdminThermo-strukturierbare Polymere – neue Lithographie-Anwendungen
Im Rahmen des Eurostar-Projekts PPA-Litho evaluiert Allresist mit anderen Kooperationspartnern neuartige, hochwertige Resists auf der Basis von Polyphthalaldehyd (PPA).
21. Juli 2015/von AllAdminTop Surface Imaging E-Beamresist
Der DESIRE-Prozess (siehe Wiki Top Surface Imaging Photoresist) kann auch für die Elektronenstrahllithographie genutzt werden. Dabei gibt es jedoch Unterschiede zwischen der Photo- und der E-Beamlithographie. In die Resistschicht werden mittels Elektronen Strukturen geschrieben.
3. Februar 2017/von AllAdminVerhältnis Auflösung und Dosis am Beispiel des E-Beamresist SX AR-N 7530/1
Prozessstabile Negativ-Lacksysteme, die bei einer ausreichenden Empfindlichkeit Auflösungen < 30 nm ermöglichen, sind von zunehmenden Interesse für Anwendungen der Elektronenstrahllithographie.
13. Juni 2014/von AllAdminVerwendung von CSAR 62 zur Herstellung von Nanostrukturen auf GaAs-Substraten
CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
4. Juli 2016/von AllAdminZweilagen-PMMA-E-Beam Resist System für höchste Lift-off-Auflösung
Die PMMA-Resists (90K und 200K) wurden für den Lift-off-Prozess von hochauflösenden Strukturen als Zweilagenprozess auf eine Schichtdicke von 90 nm bis 100 nm eingestellt. Dieses Resistsystem eignet sich zur Herstellung von sub-
21. September 2012/von AllAdminBlack-Protect – stabiler Schutzlack für HF- und KOH-Ätzungen
Der neue Lack SX AR-PC 5000/41 (Black-Protect) ist bis 130 °C stabil und kann deshalb auch bei der KOH-Ätzung bei 85 °C eingesetzt werden. Die Schutzschicht widersteht bei einer ausreichenden Schichte > 5 µm sowohl konzentrierter Flusssäure als auch 40 % iger Kalilauge.
9. Juli 2018/von AllAdminPMMA-Schutzlack Reduzierung des Zuckerwatte-Effektes
Da beim Beschichten der PMMA-Schutzlacke Probleme entstehen können, entstanden Ideen für die Optimierung ihres Beschichtungsverhaltens.
27. Oktober 2014/von AllAdminSafer solvent PMMA-Schutzlack
Aus der Motivation heraus, den Anwendern nicht nur die beste Qualität, sondern auch den höchstmöglichen Gesundheitsschutz zu bieten, wurde ein PMMA-Schutzlack mit dem safer solvent Lösemittel Anisol konzipiert.
27. Oktober 2014/von AllAdminSchutzlack als Sprühresist zur Oberflächenglättung
PMMA-Schichten zeichnen sich durch eine extrem glatte Oberfläche aus. An darauf hin optimierten Resists wurde eine Oberflächenrauigkeit von < 2 nm gemessen. Diese Eigenschaft kann zur Glättung von z.
9. Juli 2013/von AllAdminSchutzlack gegen mechanische Beschädigungen
Empfindliche Substrate können gegen Beschädigungen beim Handling, besonders bei der doppelseitigen Prozessierung, mittels des Schutzlacks SX AR-PC 5000/3.1 geschützt werden.
4. Oktober 2016/von AllAdminSchutzlacke für KOH-Ätzungen
Die Schutzlacke AR-PC 503 und 504 (Protective Coatings) widerstehen der 40%igen, 85°C warmen KOH über viele Stunden. Das Polymer PMMA wird nicht angegriffen. Somit können die Resists als Schutz der Vorder-
16. Juli 2012/von AllAdminSX AR-PC 5060 F-Protect (Cytop-Ersatz)
Der neue, stark isolierend wirkende Schutzlack SX AR-PC 5060 F-Protect ist eine gute Alternative zum bekannten Resist Cytop®. Der Resist besteht aus einem perfluorierten amorphen Copolymer, gelöst in einem Lösungsmittelgemisch aus Perfluortri-n-butylamin und Perfluor-n-dibutylmethylamin (Fluorinert™ FC-40).
15. Januar 2018/von AllAdminVerbesserter Schutzlack SX AR-PC 5000/31
Schutzlacke bestehen meist aus Novolaken oder PMMA-Polymeren. Der Schutz vor mechanischen Beschädigungen und die Beständigkeit gegenüber sauren Medien wird von beiden Polymeren ausreichend gewährleistet.
13. Juni 2014/von AllAdmin2L-Lift-off-System AR-P 617 – AR-P 8100
Anisolische PPA-Lösungen können auf PMMAcoMA 33 (AR-P 617) beschichtet werden. Die einzelnen Schichten addieren sich jeweils, es findet keine Durchmischung statt; eine entscheidende Voraussetzung für die Realisierung definierter 2- und auch 3-Lagensysteme
25. April 2018/von AllAdminHerstellung unterschnittener Strukturen in 3-Lagenprozessen für T-Gates
Für den Aufbau von Dreilagensystemen zur Herstellung von T-Gates gibt es prinzipiell mehrere Möglichkeiten. Entscheidend ist, dass sich die unterschiedlichen Resists bei der Beschichtung nicht vermischen, um einen einheitlichen und gut definierten Schichtaufbau zu gewährleisten.
29. September 2016/von AllAdminVerwendung von PPA in Mehrlagenprozessen
Anisolische PPA-Lösungen können sowohl auf PMMA (600k, 950k), PMMAcoMA (AR-P 617) als auch auf Bottomresist AR-BR 5480 (Alternative zu PMGI) beschichtet werden.
20. Januar 2017/von AllAdminZweilagen-E-Beam Resist System mit Novolaken als Bottomresist
Für Mehrlagenanwendungen in der E-Beam-Lithographie bietet Allresist den vielseitig einsetzbaren Bottomresist AR-BR 5460/5480 an.
19. Januar 2016/von AllAdminAlle 24 /Allgemein 0 /Allgemein 0 /Allgemein 0 /Allresist 0 /Andere Resists 0 /Andere Resists 0 /AR NEWS 0 /Bottomresist 0 /E-Beam Resist 0 /Entwickler 12 /Fach- & Zeitungsartikel 0 /FAQ 0 /FAQ 0 /FuE 0 /FuE-Projekte 0 /Grundlagen 0 /Grundlegende Chemie 0 /Haftvermittler 3 /Jobs 0 /Negativ 0 /Negativ 0 /Neuigkeiten 0 /Photoresist 0 /Positiv 0 /Positiv 0 /Presse 0 /Prozesschemikalien 0 /Prozesshinweise 0 /Prozessverfahren 0 /Remover 6 /Resist des Monats 0 /Resist-Wiki 0 /Schutzresist 0 /Startresist 0 /Startseite 0 /Stopper 1 /Verdünner 2 /z-SX-AR-PC 5000/41 0 /Zeitungsartikel 0 /z_AR 300-12 0 /z_AR 300-26 / 300-35 0 /z_AR 300-40 0 /z_AR 600-01 - 09 0 /z_AR-N 4400 0 /z_AR-N 4600 0 /z_AR-P 3100 0 /z_AR-P 617 0 /z_AR-P 6200 0 /z_AR-P 630-670 0 /z_AR-P-8100 0 /z_AR-PC 5090/91 0 /z_SX AR-N 8200-8250 0 /z_SX AR-P 3500/8 0
Alkalischer Entwickler für Aluminiumsubstrate
Einige Kunden verwenden alkaliempfindliche Aluminiumsubstrate. Das führt zu Problemen wenn die Metalloberfläche im Prozess nicht angeätzt werden darf. Während unser MIF-Entwickler (AR 300-40er) und Entwickler AR 300-26 Aluminiumoberflächen stark angreifen, bleibt die Metalloberfläche bei Einsatz des Entwicklers AR 300-35 weitestgehend unverändert.
20. Mai 2015/von AllAdminAlternativen zu NMP-haltigen Removern
Am 25.09.09 ist die Verordnung (EG) Nr. 790/2009 zur Änderung der EG-GHS-Verordnung (Nr. 1272/2008) über die Einstufung und Kennzeichnung von Stoffen und Gemischen in Kraft getreten.
31. August 2012/von AllAdminEntwickler AR 300-35 für alkaliempfindliche Substrate
Der Einsatz wässrig-alkalischer Entwickler auf alkaliempfindlichen Substraten, wie z.B. Aluminium ist problematisch, da während des Entwicklungsschritts auch das Substrat angegriffen wird.
27. Oktober 2014/von AllAdminEntwickler für CSAR 62 (AR-P 6200)
Zur Entwicklung belichteter CSAR 62 Resistschichten, üblicherweise Tauchentwicklung mit Entwicklungszeiten von etwa 30-60 Sekunden, eignen sich die Entwickler AR 600-546, 600-548 und 600-549.
13. Juni 2014/von AllAdminEntwickleralterung
Wässrig basische Entwickler unterliegen einer Alterung durch CO2 Aufnahme aus der Luft. Die gepufferten wässrig alkalischen Entwickler (AR 300-26, AR 300-35) sind dabei stabiler als die TMAH-haltigen Entwickler der Serie AR 300-40.
13. Juli 2012/von AllAdminEntwicklerkaskade
Für eine optimale Ausnutzung der Entwickler und für die höchste Sauberkeit bei der Tauchentwicklung wird die Nutzung einer Kaskade empfohlen. Die Entwicklung erfolgt oft in nur einem Behälter.
11. Juli 2017/von AllAdminEntwicklertypen
Es gibt 2 Hauptgruppen von Entwicklern: die lösemittelhaltigen und die wässrig-alkalischen Entwickler. Die Lösemittelhaltigen sind vor allem für die PMMA-E-Beamresists (→ Prozessablauf E-
9. Juli 2013/von AllAdminEntwicklungsverfahren
Entwickler haben die Aufgabe, die belichteten Flächen bei den Positivresists und die unbelichteten Areale bei den Negativlacken rückstandsfrei zu entfernen. Dabei sollen sie möglichst jeweils die anderen Flächen des Wafers überhaupt nicht angreifen,
30. Juli 2012/von AllAdminEvaluierung diverser Entwickler für E-Beam belichtete CSAR 62-Schichten (100kV)
Zur Evaluierung verschiedener Entwickler für CSAR 62 wurden von Dr. Lothar Hahn (Karlsruher Institut für Technologie (KIT), Institut für Mikrostrukturtechnik) mit 100kV E-Beam belichtete Substrate zur Verfügung gestellt (Dosisvariationen).
29. September 2016/von AllAdminHaftfestigkeit des AR 300-80
Um ein oben beschriebenes Abziehen der PMMA-Schicht vom Wafer zu verhindern, wird der Einsatz eines Haftvermittlers empfohlen. Zusätzlich ist eine möglichst hohe Temperung der Wafer (wenn möglich > 200°C)
7. Oktober 2013/von AllAdminHaftvermittler Allgemein
Die Haftung zwischen Substrat und Lack ist eine sensible Eigenschaft. Geringste Veränderungen des Reinigungsprozesses oder der Technologie können fatale Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.
28. Februar 2013/von AllAdminLösemittel Remover
Der klassische Remover ist das Aceton. Als Reinigungsmittel zusammen mit Isopropanol (IPA) kommt es in fast jedem Labor zum Einsatz. Für nicht oder nur wenig gehärtete Schichten (bis 120 °C)
30. Juli 2012/von AllAdminLösemittel und Arbeitsschutz
Alle von uns angebotenen Resists, sowie ein großer Teil der Prozesschemikalien enthalten organische Lösemittel. Die Bestimmungen der Gefahrstoffverordnung sind beim Umgang mit diesen Produkten einzuhalten.
15. August 2012/von AllAdminNeue Entwickler für AR-P 617
Unser hochempfindlicher E-Beamresist AR-P 617 wird häufig in Zweilagenprozessen, meist in Kombination mit PMMA, für die Herstellung von lift-off Architekturen, z.B. T-Gates, verwendet.
13. April 2016/von AllAdminNeue Entwickler für PMMAcoMA (AR-P 617, 50 kV)
X AR 600-50/2 ist ein neuer, sehr empfindlicher und selektiver Entwickler für AR-P 617. Der Dunkelabtrag ist auch bei längeren Entwicklungszeiten sehr gering. Schichten von PMMA oder CSAR 62 werden nicht angegriffen was insbesondere für Mehrlagenprozesse von Bedeutung ist.
29. September 2016/von AllAdminNeuer AR 300-80 mit Kontaktwinkelmessung
Neben dem etablierten Haftvermittler AR 300-80 (basierend auf Diphenylsilandiol) können auch weitere siliziumhaltige Verbindungen eingesetzt werden, um hydrophile Oberflächen zu hydrophobisieren.
11. Juli 2017/von AllAdminNeuer Entwickler für AR-P 5320
In unserer Produktinformation empfehlen wir für die Entwicklung von AR-P 5320, unserem positiven Photoresist für Lift-off-Anwendungen, den Entwickler AR 300-26. Einige Anwender bevorzugen jedoch den Einsatz von MIF-Entwicklern.
20. Mai 2015/von AllAdminNeuer Lösemittel Remover
Ein neuer, starker Lösemittel Remover AR 600-71 aus 1.3-Dioxolan und 1-Methoxy-2-propanol ist in der Lage, schon bei Raumtemperatur gehärtete Resist-Schichten zu lösen. Bemerkenswert ist,
9. Juli 2013/von AllAdminNeuer Safer Solvent Remover AR 300-76
Eine weitere Neuentwicklung, der ebenfalls universell einsetzbare Remover AR 300-76 hat im Vergleich zu AR 600-71 einen viel höheren Flammpunkt von 103°C.
13. Juni 2014/von AllAdminRemover Allgemein
Remover haben die Aufgabe, die Lackstrukturen bzw. -reste nach Abschluss des gewünschten technologischen Schrittes (Dotieren, Ätzen u.a.) restlos zu entfernen. Zu Beginn der Photolithographie wurden kräftige Remover eingesetzt,
30. Juli 2012/von AllAdminStopper
Stopper im klassischen Sinn werden hauptsächlich in der Elektronenstrahllithographie beim Einsatz von PMMA-Resists verwendet. Dabei haben sie die Funktion, nach der Entwicklung der bestrahlten PMMA-
30. Juli 2012/von AllAdminVerdünner (Lösemittel)
Richtiges Verdünnen von Lacken. (siehe Verdünnung von Resists) Jeder Resist besteht hauptsächlich aus Lösemitteln. Die meisten Photoresists und die Negativ-E-Beam Resists verwendet als Hauptlösemittel das PMA (PGMEA)
15. August 2012/von AllAdminWässrig-alkalische Remover
Die einfachsten, jedoch sehr wirkungsvollen Remover sind Natronlauge (NaOH) bzw. Kalilauge (KOH). Schon eine 4 %ige KOH löst fast alle novolakbasierten Photo- und E-Beam Resists innerhalb einiger Sekunden.
30. Juli 2012/von AllAdminWeitere experimentelle Entwickler für AR-P 617
Für einige Anwendungen sind universelle Entwickler, d.h. Entwickler die sich für mehrere Resistfamilien gleichzeitig gut eignen, von Vorteil. Mehrlagige Systeme können dadurch in einem Schritt entwickelt werden, ein Wechsel des Entwicklers ist nicht mehr nötig.
29. September 2016/von AllAdminUnser Qualitätsversprechen
Seit 1992 bieten wir unseren Kunden eine hohe Qualität unserer Produkte bei moderaten Preisen. Durch unsere Forschungsabteilung und unser Ohr am Kunden können wir schnell auf die Bedürfnisse des Marktes eingehen und stetig neue Produktinnovationen anbieten.
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