Resist des Monats

Besondere Produktentwicklungen aus unserem Hause werden innerhalb der Reihe “Resist des Monats” immer vierteljährlich veröffentlicht.

Oktober 2024: Weltweites Interesse für Medusa 84 – SX AR-N 8400 SiH

15. Oktober 2024

Allresist bietet künftig einsatzfähige Resists als Ersatz für HSQ in drei unterschiedlichen Schichtdicken an: 50 nm (4.000 rpm, 4 % Feststoff), 100 nm (4.000 rpm, 8 % Feststoff), 400 nm (4.000 rpm, 22 % Feststoff) → 1,0 µm /800 rpm

Juli 2024: Medusa 84 AR-N 8400 SiH, die verbesserte HSQ-Alternative in der Markteinführung

18. Juli 2024

Durch eine gezielte Syntheseführung, die genau die stabile und empfindliche Molekülfraktion des HSQ-Polymers separiert, und durch aufwändige Reinigungsoperationen können wir hier nun einen deutlich stabileren Resist anbieten.

Januar 2024: Electra 92 am Markt etabliert – AR-PC 5092.02

29. Januar 2024

Am AMOLF wurde Electra 92 auf HSQ beschichtet, welches auf eine 40 nm dicke SiO2-Schicht eines Siliziumwafers aufgebracht war. Aufgrund seiner stark hydrophoben Oberfläche ist HSQ besonders anspruchsvoll. Für diese Aufgabe war eine speziell angepasste Variante des Electra 92 erforderlich.

Oktober 2023: Medusa 84 SiH – SX AR-N 8400 eine weitere Alternative zum HSQ

6. Oktober 2023

Da Medusa 84 SiH, im Gegensatz zu Medusa 82 aus rein anorganischen Komponenten besteht, ist seine optische Transparenz deutlich höher. Diese Transparenz ist für eine größere Kundengruppe wichtig, die solche Resists für optische Anwendungen nutzen.

April 2023: Der E-Beam PMMA-Resist AR-P 672.045 – das Arbeitspferd für die Elektronenstrahl-Lithographie

24. April 2023

Aufgrund der großen Absatzmenge ist der AR-P 672.045 unser interner „Marktführer“. Dieser Resist wird von drei großen Mikrochip-Herstellern in Frankreich, Deutschland und China eingesetzt. Damit erhöht sich der Verbrauch stetig; mittlerweile werden jährlich über 300 Liter allein von diesem Resist bestellt.

Januar 2023: Der Standardresist AR-P 3510 – 30 Jahre auf dem Weltmarkt

15. Januar 2023

Von Anfang an war der Gedanke der Nachhaltigkeit fest in der Firmenphilosophie der Allresist verankert. Eine der ersten Weiterentwicklung des jungen Unternehmens war der Austausch der teratogenen Lösemittel des Positiv-Photoresists AR-P 351 durch Safer Solvents. So entstand der Standardresist AR-P 3510, bei dem die exzellenten lithographischen Eigenschaften beibehalten wurden, der Lack aber für die Anwender nun bedeutend ungefährlicher war.

Oktober 2022: Electra 92 weiter optimiert – ein neuer AR-PC 5092

20. Oktober 2022

Wir haben nun eine Qualität der Anilin-Polymere erreicht, bei der auf den Zusatz von Isopropanol verzichtet werden kann. Dadurch erhöht sich auch die Stabilität der Resistmischungen des AR-PC 5092. Langzeitversuche belegen, dass die Lagerstabilität deutlich höher ist als bei den bisherigen Electra-Varianten.

Juli 2022: Unser Resist-Triplett des Monats auf der Triple-Beam (EIPBN 2022)

4. Juli 2022

Nach der coronabedingt lediglichen online-Präsenz in den letzten beiden Jahren nahm Allresist endlich wieder einmal live an der EIPBN in New Orleans teil. Auf unserem Stand erlebten wir ein großes Interesse an unseren Resists.

April 2022: Neuer, umweltfreundlicher Entwickler für PMMA-Resists AR 600-57

4. April 2022

Ausnahmsweise stellen wir heute in der Rubrik „Resist des Monats“ einen neuen PMMA-Enwickler vor, dessen potentielle Möglichkeiten auch unsere Anwender begeistern werden. Dieser Entwickler ist eine Mischung aus Isopropanol und Wasser – das mag zunächst erstaunlich klingen, da beide Komponenten einzeln eine PMMA-Schicht nicht angreifen.

Januar 2022: Vielseitiger Phoenix 81 (AR-P 8100)

13. Januar 2022

Phoenix 81 wurde im Rahmen eines Eurostar-Projektes gemeinsam mit der Swisslitho AG (jetzt Heidelberg Instruments Nano) entwickelt. Mit dem NanoFrazor lassen sich durch thermische Rastersonden-Lithographie (thermal scanning probe lithography oder t-SPL) bis zu 10 nm kleine Strukturen schreiben, indem eine heiße Nadel in die Resistschicht taucht und diese an der Stelle verdampft (siehe u.a. AR NEWS, 42. Ausgabe).

Oktober 2021: Effizientere Herstellung von Electra 92

1. Oktober 2021

Viele Anwender nutzen mittlerweile die Leitfähigkeit der Electra-Schichten für ihre Prozesse und Technolgien. Seit der Einführung in den Markt 2018 wurden die Synthese und die Aufarbeitung von Electra stetig verbessert. Es gelang z.B., die Leitfähigkeit im Zeitraum von 2018 bis 2020 um den Faktor 5 zu erhöhen.

Juli 2021: Car 44 für galvanische Abformungen

6. Juli 2021

Für die Herstellung galvanischer Bauteile ist der SU-8 wegen seine exzellenten Strukturgüte prinzipiell geeignet. Jedoch spricht die außerordentlich schwierige Entfernung der Resiststrukturen nach der Galvanik gegen einen Einsatz.

April 2021: CSAR 62 – weltweit begehrt

30. März 2021

Mittlerweile hat sich der CSAR 62 weltweit etabliert und die Nachfrage steigt immer weiter. Da wir das Polymer selber herstellen, mussten wir ein Skaling Up der Synthese vornehmen. Nach der Optimierung der Synthesebedingungen wagten wir den Schritt in unseren 200-Liter-Synthesereaktor.

Januar 2021: Optimierter Prozess für den Negativ-Photoresist Atlas 46

20. Januar 2021

Die Entwicklungsarbeiten an unserem neuen Photoresist Atlas 46 wurden fortgeführt. Anhand eigener Ergebnisse oder durch Hinweise und Wünsche der Anwender wurde die Rezeptur und die Eigenschaften verbessert.

Juli 2020: Bottom-Resist AR-BR 5400, das „Arbeitspferd“ für Zweilagenprozesse

28. Juli 2020

In Zusammenarbeit mit dem Förderverein Centrum für intelligente Sensorik (CiS, Erfurt) entwickelten wir 2004 den ersten Bottomresist (BR). Dieser Bottom-Resist ist nicht lichtempfindlich, jedoch wässrig alkalisch entwickelbar.

Januar 2020: Schwarzlack SX AR-N 8355/7

25. Februar 2020

Optisch dichte Resists spielen in der Industrie eine zunehmend größere Rolle. In der optischen Industrie, der Automobil-Industrie und bei der Drehgeber-Herstellung werden sogenannte Schwarzlacke benötigt.

Oktober 2019: Medusa 82 UV

22. Oktober 2019

Schon im Januar 2019 haben wir Medusa 82 UV zum Resist des Monats gekürt. Damals wurden erste Ergebnisse der Anwendung als Photoresist gewürdigt. Nun möchten wir Ergebnisse über den Einsatz in der Grauton-Lithographie vorstellen, die auch auf der MNE 2019 in Griechenland gezeigt wurden.

April 2019: Phoenix 81

22. April 2019

Allresist hat Phoenix 81 (AR-P 8100) in einem Eurostar-Projekt zusammen mit der Swisslitho AG und anderen Partnern entwickelt. Swisslitho hat jetzt den NanoFrazor mit einem Laser-Direktschreiber ergänzt (siehe Abb. 1). Nunmehr ist es möglich, komplizierte Strukturen wie z.B. Single-Elektronen-Transistoren (SET) kostengünstig herzustellen. Die SET bestehen aus sehr kleinen Strukturen von wenigen Nanometern und relativ großen Details mit einigen 10 µm (siehe Abb. 2).

Oktober 2018: Medusa 82 – Stabiler und empfindlicher als der HSQ

21. Oktober 2018

Allresist ist es gelungen, eine Alternative zum HSQ zu entwickeln. Durch eine neue Modifikation des Polymers lässt sich der Resist Medusa sehr einfach handhaben.

Juli 2018: Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist

3. Juli 2018

Unserem Forschungsteam ist es in diesem Jahr gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.

April 2018: Fluoreszierende Negativ-Photoresists Atlas 46 S

6. April 2018

Für die Herstellung optischer Skalierungen, wie z.B. bei Nachtsichtgeräten, bedient man sich der faszinierenden Möglichkeiten der Fluoreszenz. Dafür haben wir unseren Atlas 46 mit verschiedenen Fluoreszenzfarbstoffen zu versetzt.

Januar 2018: SU 8-Alternative – Negativ-Photoresist Atlas 46

2. Januar 2018

Die hervorragenden Eigenschaften des SU-8 sind allen Anwendern der Mikrosystemtechnik bekannt. Der neue Negativresist Atlas 46 S (Solid) von Allresist ist einfach verarbeitbar mit hoher Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und großer Widerstandsfähigkeit der Resiststrukturen gegenüber allen gängigen Lösemitteln. Damit ist Atlas 46 S für alle Anwendungen geeignet, bei denen die Schicht permanent und widerstandsfähig auf dem Substrat verbleiben soll.

Oktober 2017: Fluoreszierende Resiststrukturen mit SX AR-P 672.08

18. September 2017

Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.

April 2017: Thermisch entwickelbarer Positivresist Phoenix 81

3. April 2017

Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.

Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200

2. Januar 2017

Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändiges und ungenaues Mischen eines mit Lösemitteln.

Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200

1. Januar 2017

Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändige und ungenaue Mischen eines Lackes mit Lösemitteln. In enger Kooperation mit der EV Group in Schärding wurde der AR-N 2220 auf dem Spraycoater EVG®150 optimiert.

Oktober 2016: Optimierte T-Gate-Struktur mit Dreilagensystem

1. Oktober 2016

T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.

Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie

1. Juli 2016

Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.

Januar 2016: Electra 92 Produktionseinführung

1. Januar 2016

Electra 92 hat die Feuertaufe bei den Anwendern gut bestanden. Immer mehr zufriedene Kunden geben ihr Feedback zu den exzellenten Eigenschaften des AR-PC 5090.02. Auch wurde eine zweite Modifikation, der AR-PC 5091, speziell für Novolak-basierte E-Beamresists entwickelt.

Oktober 2015: E-Beamlithographie auf Glas – CSAR 62 & Electra 92

1. Oktober 2015

Immer mehr Elektronenstrahlanwendungen werden auf isolierenden Substraten wie Glas, Quarz, Saphir oder Kunststoffen durchgeführt. Beim Schreiben mit dem Elektronenstrahl können die entstehenden Aufladungen nicht abgeleitet werden, die Strukturen verzeichnen. Durch das Auftragen einer leitfähigen Electra-Schicht auf den E-Beamresist vor der Bestrahlung wird dieses Problem schnell und zuverlässig beseitigt.

Juli 2015: Prozessangepasster Zweilagenresist AR-BR 5460

1. Juli 2015

Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt. Mit diesen Strukturen kann sehr leicht ein Lift-off-Prozess realisiert werden.

April 2015: Hochempfindlicher Negativresist AR-N 4400-10

1. April 2015

Der Negativresist AR-N 4400-10 wurde mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert. Die Empfindlichkeit des Resists ist außerordentlich gut. ndere Negativresists sind ausschließlich für i-line (365 nm) Belichtungen ausgelegt. Somit bietet sich der Negativresist AR-N 4400-10 zusätzlich für verschiedene Anwendungen mit dem 405-nm-Laser an.

Januar 2015: Hochtemperaturbeständiger Positivresist SX AR-PC 3500/8

1. Januar 2015

Nach gelungener Entwicklung des bis zu 350 °C temperaturstabilen Negativresists SX AR-N 4340/7 können wir nun auch eine temperaturbeständige Positiv-Variante anbieten. Dieser Positivresist heißt SX AR-PC 3500/8 und kann unter den gleichen Bedingungen wie „normale“ Positivresists belichtet und entwickelt werden, die Strukturen widerstehen dabei Temperaturen bis 300 °C.

Oktober 2014: Safer Solvent Schutzlack SX AR-PC 5040/1

1. Oktober 2014

Unser Schutzlack AR-PC 504 hat sich in den letzten 6 Jahren vielfach bei unseren Kunden bewährt. Die Polymerschichten schützen die Substrate zuverlässig gegen konzentrierte Laugen und Säuren. Als Lösemittel wurde bisher Chlorbenzen verwendet, ein sehr gutes Lösemittel, das jedoch gesundheits- und umwelttechnisch nicht allen Ansprüchen genügt.

Juli 2014: Electra 92 – leitfähiger Schutzlack für E-Beam-Applikationen

1. Juli 2014

Allresist hat gemeinsam mit dem IDM e.V., Teltow ein neues Polymer auf Polyanilin-Basis entwickelt. Unsere Optimierungsarbeiten nach den ersten Erfahrungsberichten der Anwender sind mittlerweile abgeschlossen, sodass wir nunmehr einen sehr guten leitfähigen Lack zur Ableitung von Aufladungen bei der E-Beam-Bestrahlung anbieten können.

April 2014: E-Beamresist CSAR 62 – ZEP 520-Alternative (Teil 2)

1. April 2014

Im April 2013 berichteten wir im Rahmen unseres „Resist des Monats“ über den CSAR 62. Nach einer raschen Entwicklungsphase begann bereits im Mai der Verkauf des neuen Elektronenstrahllackes. Mittlerweile haben sehr viele Kunden den CSAR 62 eingesetzt, mit einem durchweg positiven Feedback über die Anwendungseigenschaften, Verfügbarkeit und Preis.

Oktober 2013: Thermostabiler Negativresist SX AR-N 4340/6

1. Oktober 2013

Der SX AR-N 4340/6 wäre z.B. eine gute Alternative zum BCB-Resist. Ein großer Vorteil unserer Neuentwicklung besteht in der wässrig-alkalischen Entwicklung und der Kompatibilität zur Standard-Photolithographie. Auch für andere Hochtemperatur-Technologien ist der SX AR-N 4340/6 gut geeignet, der neben seiner Temperaturbeständigkeit auch über eine hohe Plasmaätzbeständigkeit und gute isolierende Eigenschaften verfügt.

Juli 2013: Thermostabiles Zweilagensystem – SX AR-N 4340/10 & AR-P 5460

1. Juli 2013

Bei vielen Lift-off-Applikationen wird die Resistschicht hohen thermischen Belastungen ausgesetzt. Positiv-Resists auf der Basis von Novolaken beginnen bei solchen Temperaturen zu schmelzen und machen so ein Liften unmöglich. Allresist entwickelt aus diesem Grund eine Serie von temperaturstabilen Negativphotolacken, ein Muster davon ist der SX AR-N 4340/10.

April 2013: E-Beamresist CSAR 62 – ZEP 520 Alternative (Teil 1)

1. April 2013

Bei dem neuen CSAR ist die realisierte Auflösung von 10-nm-Gräben bei 180 nm Schichtdicke herausragend. Bemerkenswert ist auch, dass sich leicht 10-nm-lift-off-Strukturen im Einlagenprozess erzielen lassen. Weitere Optimierungsarbeiten bezüglich Empfindlichkeit und Plasmaätzstabilität befinden sich in der abschließenden Phase und lassen weitere sehr gute Ergebnisse erwarten.

Januar 2013: SX AR-N 4340/8 für Laser-Interferenz-Lithographie

1. Januar 2013

Mittels der LIL können geordnete Strukturen über einen ganzen Wafer erzeugt werden (siehe Bild 3). Dabei können sehr kleine Strukturen bis unter 100 nm Auflösung mit Photoresists hergestellt werden (siehe auch AR NEWS 22. Ausgabe, April 2011).

Oktober 2012: Negativ-Photoresists AR-N 4400 – optimiertes Trocknungsregime

1. Oktober 2012

Für das neue Projekt VEGAS werden Resiststrukturen (Säulen) einer Schichtdicke von 10 bis zu 60 µm benötigt. Diese Säulen sollten sich streng zylinderförmig herstellen oder sich ggf. auch konisch nach unten verengen lassen.

Juli 2012: Innovation zur 32-nm-Technologie: SX AR-N 7520/4

1. Juli 2012

Unser Standard-E-Beam Resist AR-N 7520 wird seit Jahren von unseren Kunden erfolgreich eingesetzt. Mit diesem Resist können Strukturen bis zu 40 nm bei einer Flächendosis von ca. 250 µC/cm² realisiert werden. Die relativ geringe Empfindlichkeit führt aber zu langen, unökonomischen Schreibzeiten.

April 2012: Negativ-Lift-off-Photoresist AR-N 4450

1. April 2012

In der 20. Ausgabe der AR NEWS wurde über den Negativ-Lift-off-Resist AR-N 4450 berichtet. Diese Arbeiten wurden weitergeführt. Jetzt stehen dem interessierten Anwender Prozess-Parameter zur Verfügung, um sich den gewünschten Unterschnitt einstellen zu können.

Januar 2012: Laser-Belichtung von > 500 nm bis NIR

1. Januar 2012

Bisher konnten Strukturierungen mit einer Belichtungs-Wellenlänge > 500 nm aufgrund der geringen Empfindlichkeit der Photoresists nicht realisiert werden. Untersuchungen mittels Laser-Direktschreibens bei 532 nm und bei 1060 nm haben nachgewiesen, dass Strukturen durch die Verwendung spezieller Farbstoffe bei diesen Wellenlängen erzeugt werden können.

Oktober 2011: SX AR-N 5000/40 – Ein Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung

1. Oktober 2011

Um Strukturen in Glas zu ätzen, ist bisher eine umständliche Technologie notwendig. Mit dem optimierten Zweilagen-System ist es möglich, diesen Prozess zu vereinfachen. Dabei wirkt der SX AR-PC 5000/40 allein als Schutzschicht. Die Schutzwirkung gegenüber der konzentrierten Flusssäure (48 %) beträgt bei einer Schichtdicke von 20 µm mindestens 4 Stunden, bei verdünnter Flussäure verlängert sich die Zeit auf über 10 Stunden.

Oktober 2010: SX AR-P 3210/22 – Dicklack mit verbesserter Abbildungsgüte

1. Oktober 2011

Durch eine Rezepturverbesserung der AR-P 3210-Serie wird es für Anwender einfacher, senkrechte Kanten seiner Strukturen bei einer hohen Maßhaltigkeit zu erzeugen. Die üblichen Anforderungen an Positiv-Dicklacke sind eine möglichst hohe Transparenz bei der Belichtungswellenlänge für eine gute Empfindlichkeit und ein geringer Abtrag der unbelichteten Flächen durch den alkalischen Entwickler.

Juli 2011: SX AR-P 7100 – ein silylierbarer Resist

1. Juli 2011

Obwohl die Entwicklungsarbeiten noch laufen, möchten wir die Resists der Serie SX AR-P 7100 schon jetzt dem Fachpublikum vorstellen. Die gewünschten Eigenschaften lassen sich durch eine anschließende Silylierung einstellen. Dabei können sowohl eine Gasphasen- als auch eine Flüssigsilyierung genutzt werden.

April 2011: Zweilagensystem für 30-nm-Lift-off Strukturen

1. April 2011

Mit einem PMMA-Zweilagen-System lassen sich Lift-off-Strukturen einfach realisieren. Um unseren Kunden exakte Prozessparameter zur Verfügung stellen zu können, wurden Untersuchungen an der Martin-Luther-Universität Halle, Institut für Physik, unter Leitung von Herrn Prof. Georg Schmidt durchgeführt. Die Versuche ergaben, dass sich bereits mit den Standardresists 30 nm Metall-Strukturen erzeugen lassen.

Januar 2011: Schnelltrocknender, hochauflösender Resist für Feinteilungen

1. Januar 2011

Der SX AR-P 3740/4.6 erfüllt diese Voraussetzungen hervorragend. Ein speziell konzipiertes Lösemittelgemisch bewirkt eine rasche Trocknung: Die Resistzusammensetzung entspricht der unseres Standardresists AR-P 3740, bei dem mit der üblichen Photolithographie eine Auflösungen von 0,5 µm erreicht wird.

Juli 2010: SX AR-N 7520/3 – erste Ergebnisse auf der MNE 2010 in Genua

1. Juli 2010

So können Strukturen von 40 nm mit einer guten Empfindlichkeit geschrieben werden. Das wird durch die sogenannten Hybrid-Lacke erreicht. Dabei wird die Empfindlichkeit des Standard-E-Beamresists AR-N 7520 (nicht chemisch verstärkt) unter Beibehaltung der exzellenten Auflösung durch den gezielten Zusatz von CAR-Komponenten (chemical amplified resist) deutlich verbessert.

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