Polyimid-Zweilagensystem

Für einige Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Polymereigenschaften unverfälscht, also ohne Zusatz lichtempfindlicher Komponenten, erhalten bleiben, so z.B. beim Einsatz als Feuchtsensor.

Eine Strukturierung des reinen Polyimidresists (SX AR-P 5000/80) ist in diesem Fall über ein Zweilagensystem, analog dem AR-BR 5400 / AR-P 3500, möglich.

Dafür wurde ein überraschend einfaches Verfahren gefunden:

Tabelle 1: Prozessparameter für den Zweilagen-Polyimid-Prozess

Die Doppelbeschichtung verläuft problemlos. Nach der Belichtung erfolgt die Entwicklung des Photoresists und des Polyimides in einem Schritt. Das Entfernen des nun überflüssigen Photoresists kann einfach durch Flutbelichtung und einen weiteren Entwicklungsschritt mit einem schwächeren Entwickler realisiert werden.

Bild 1: Strukturen des reinen Polyimides nach dem Removing des Photoresists, 600 nm Schichtdicke