SX AR-N 4340/7

Negativ-Photoresist für Ein- und Zweilagensysteme

Produktinformation

Ihre Anfrage zu diesem Produkt

Charakterisierung

i-line, g-line, Tief-UV (248-266 nm)
höchste Empfindlichkeit, exzellente Auflösung
gute Haftung, hoher Kontrast, chemisch verstärkt
unterschnittene Profile (lift-off) sind möglich
zusammen mit AR-BR 5400 als 2-Lagensystem mgl.
plasmaätzresistent, thermostabil bis 300 °C
Polyhydroxystyrol-PMMA-Copolymer, lichtempfindlicher Säuregenerator u. aminischer Vernetzer
Safer solvent PGMEA

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

Schichtdicke/4.000 rpm
1,4 µm
Auflösung
0,7 µm
Kontrast
5,0
Flammpunkt
44 °C
Lagerung 6 Monate
10 - 18 °C
Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

Auf Anfrage

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Passende Prozesschemikalien

Entwickler AR 300-47

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,20

Haftvermittler AR 300-80 neu

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs. Einfachere und preiswertere Alternative zum HMDS.

Remover AR 600-71

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Verdünner AR 300-12

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Strukturauflösung

SX AR-N 4340/7: 0,7 µm Auflösung bei einer Schichtdicke von 1,4 µm.

Resiststrukturen

SX AR-N 4340/7: Resiststrukturen nach 300 °C Temperung.

Spinkurve

Spinkurve des SX AR-N 4340/7.

Prozessparameter

Substrat
Si 4" Wafer
Temperung
90 °C, 60 s, hot plate
Belichtung
i-line Stepper (NA: 0,65)
Entwicklung
AR 300-47, 60 s, 22 °C

Anmeldung zu den AR NEWS