SX AR-N 4340/7
Negativ-Photoresist für Ein- und Zweilagensysteme
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Charakterisierung
- i-line, g-line, Tief-UV (248-266 nm)
- höchste Empfindlichkeit, exzellente Auflösung
- gute Haftung, hoher Kontrast, chemisch verstärkt
- unterschnittene Profile (lift-off) sind möglich
- zusammen mit AR-BR 5400 als 2-Lagensystem mgl.
- plasmaätzresistent, thermostabil bis 300 °C
- Polyhydroxystyrol-PMMA-Copolymer, lichtempfindlicher Säuregenerator u. aminischer Vernetzer
- Safer solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung0,7 µm
- Kontrast5,0
- Flammpunkt44 °C
- Lagerung 6 Monate10 - 18 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- Auf Anfrage
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
SX AR-N 4340/7: 0,7 µm Auflösung bei einer Schichtdicke von 1,4 µm.
Resiststrukturen
SX AR-N 4340/7: Resiststrukturen nach 300 °C Temperung.
Spinkurve
Spinkurve des SX AR-N 4340/7.
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung90 °C, 60 s, hot plate
- Belichtungi-line Stepper (NA: 0,65)
- EntwicklungAR 300-47, 60 s, 22 °C