Remover AR 600-71

Zur Entfernung getemperter Photoresist- / E-Beamresist-Schichten

Charakterisierung

  • organisches Lösemittel

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften AR 600-71

  • Hauptbestandteil
    Dioxolan
  • Flammpunkt
    -3 °C
  • * Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
    garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

  • 1 x 2.500 ml
  • 4 x 2.500 ml
  • 8 x 2.500 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Dazu passende Produkte

E-Beam Resist AR-N 7520neu-Serie

Höchstauflösender, hochempfindlicher Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 140 °C

E-Beam Resist AR-P 617-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA, Lösemittel: Methoxypropanol

E-Beam Resist AR-P 6200-Serie (CSAR 62)

Kontrastreiche E-Beam Resists mit höchster Auflösung, sehr plasmaätzresistent

E-Beam Resist AR-P 632-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 639-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 641-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 642-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 649-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 6510-Serie

Resists für hohe PMMA-Schichten über 250 µm zur Herstellung von Mikrobauteilen

E-Beam Resist AR-P 661-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 662-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 669-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 671-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 672-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 679-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Ethyllactat

Photoresist AR-P 1200 Serie

Einsatzfertige positive Sprühresists für verschiedene Anwendungen

Photoresist AR-P 3200 Serie

Dicke Positivlacke für Galvanik und Mikrosystemtechnik

Photoresist AR-P 3500 (T) Serie

Empfindliche Standardpositivresists für die Herstellung integrierter Schaltkreise

Photoresist AR-P 3740

Resist für Sub-µm-Strukturen bis 0,5 µm, Schichtdicke 1,4 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 5300 Serie

Empfindliche Resists für die Herstellung von Aufdampfmustern mittels Lift-off

Schutzlack AR-PC 5040

Lichtunempfindlicher Schutzlack, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,8 µm (4.000 rpm)

    Ihre Anfrage zum Produkt

    *Name

    *Firma / Institut

    *E-Mail-Adresse

    *Betreff

    *Ihre Nachricht



    © 1999-2020 - Allresist DE - AGB - Impressum - Datenschutz