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Entwickler AR 300-47

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH

Charakterisierung

  • metallionenfreie wässrig-alkalische Lösungen
  • zur Verarbeitung von Photo-/ E-Beamresists
  • vermindern die Möglichkeit einer Metallionenkontamination an der Substratoberfläche       
  • rückstandsfreie Entwicklung
  • Metallionengehalt < 0,1 ppm
  • Hauptbestandteil TMAH
  • Einsatzgebiet: Tauch-, Puddle- und Sprühentwicklung (21-23 °C ± 0,5 °C, ca. 40 – 60 s (max. 120 s))

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

  • Normalität
    0,20 n
  • Dichte bei 20 °C
    0,99 g/cm³
  • Oberflächenspannung
    max. 32 mN/m
  • Filtrationsgrad
    0,2 µm
  • Lagerung bis 6 Monate
    10 - 22 °C
    * Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
    garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

  • 1 x 2.500 ml
  • 4 x 2.500 ml
  • 1 x 5.000 ml
  • 4 x 5.000 ml
  • 20 x 5.000 ml

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