Um ein oben beschriebenes Abziehen der PMMA-Schicht vom Wafer zu verhindern, wird der Einsatz eines Haftvermittlers empfohlen. Zusätzlich ist eine möglichst hohe Temperung der Wafer (wenn möglich > 200°C) vor der Beschichtung hilfreich. Das Abkühlen sollte dann schnell und idealerweise in einem Exsikkator erfolgen. Der gebräuchliche Haftvermittler HMDS (Hexamethyldisilazan) wirkt beim PMMA nur gering haftvermittelnd, deutlich besser haftet das PMMA mit dem AR 300-80 . Der eine siliziumorganische Verbindung (Diphenylsilandiol) enthaltende Haftvermittler wird mittels Spincoating aufgetragen und bei 170°C getempert. Anschließend wird der Lack beschichtet.
Der Haftvermittler AR 300-80 wird durch die wässrig alkalische Entwicklung nicht vollständig von der Substratoberfläche entfernt. Bei manchen Anwendungen, insbesondere in der Galvanik, können Reste von Diphenylsilandiol auf der Oberfläche störend wirken. Durch eine einfache Modifikation des Prozesses kann das Problem umgangen werden. Das Substrat wird zunächst mit Haftvermittler AR 300-80 beschichtet und anschließend bei mindestens 180°C getempert. Nach dem Abkühlen wird das Substrat dann kurz mit Aceton, Ethanol, AR 600-71 oder AR 300-70 gespült und getrocknet. Wie Kontaktwinkelmessungen gezeigt haben bleiben die haftvermittelnden hydrophoben Eigenschaften der modifizierten Oberfläche erhalten.
Durch das Tempern bei 180°C reagiert AR 300-80 direkt mit der Substratoberfläche unter Ausbildung sehr stabiler Si-O Bindungen. Durch Spülen mit organischen Lösungsmitteln wird überschüssiger Haftvermittler entfernt während eine kovalent mit der Oberfläche verknüpfte monomolekulare Schicht verbleibt. Die modifizierte, hydrophobe Oberfläche wird nur von stark alkalischen Lösungen angegriffen (2N NaOH) ist dagegen stabil in konzentrierter HCl und heißen organischen Removern. Auch 30 minütiges Einwirken der Entwickler AR 300-44, AR 300-35 und AR 300-26 führt nicht zu einer signifikanten Verkleinerung des Kontaktwinkels – die hydrophoben Oberflächeneigenschaften bleiben erhalten.