Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben. Die Empfindlichkeit betrug bei einer 100-kV-Beschleunigungsspannung 70 µC/cm². Die Entwicklung erfolgte lösemittelbasiert mit AR 300-12 und einem kurzen Nachbehandeln mit Aceton.

200-nm-Linien generiert mit einem Atlas-Resist

Damit bietet sich Atlas 46 auch als Elektronenstrahlresists an.

|

« Zurück zur Übersicht