CAR 44 für die E-Beam-Lithographie

Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.

Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.

Phoenix 81 – Lagerbedingungen und Versand

In der Endphase des Projektes Eurostar PPA-Litho, das die Entwicklung des Phoenix zu Ziel hatte, ist es uns durch die Optimierung der Synthese gelungen, weitaus stabilere PPA-Polymere herzustellen. Die reinen Polyphthalaldehyde haben einen Stresstest über 14 Tage bei 37 °C ohne Zersetzung überstanden. Damit ist ein Versand ohne Kühlung möglich. Das triff jedoch nur auf die reinen PPA-Polymere zu.

Fluoreszierende Resiststrukturen

Fluoreszenz ist die spontane Emission von Licht kurz nach der Anregung eines Materials durch elektronische Übergänge. Dabei ist das emittierte Licht in der Regel energieärmer als das vorher absorbierte.

PMMA-Lift-off-Strukturen auf Halb-Edelstein-Substraten mittels Electra 92

Halbedelsteine gewinnen als Substrate für die Halbleiterindustrie an Bedeutung. Mit Electra 92 ist eine Strukturierung möglich.

Electra 92-Variante optimiert für Novolak-basierte Resists

Durch höheren Lösemittel-Anteil werden Novolak-Lacke angegriffen. Deshalb wurde der SX AR-PC 5000/91.1 konzipiert, der bessere Beschichtungseigenschaften aufweist.

Leitfähigkeit unter den Anwendungsbedingungen der E-Beam Lithographie

Die ermittelte Leitfähigkeit der Schichten wird nicht nur von der Temperatur stark beeinflusst, sondern hängt auch direkt von der Luftfeuchtigkeit ab.

Langzeitstabilität von Electra 92

Electra 92 besitzt auch nach 15 monatiger Lagerzeit noch unverändert gute Leitfähigkeitseigenschaften, entsprechend einer sehr hohen Lagerstabilität.

E-Beam Resists auf Basis von Polyphthalaldehyden

PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.

Thermo-strukturierbare Polymere – neue Lithographie-Anwendungen

Im Rahmen des Eurostar-Projekts PPA-Litho evaluiert Allresist mit anderen Kooperationspartnern neuartige, hochwertige Resists auf der Basis von Polyphthalaldehyd (PPA).