PPA für Zweilagenanwendungen
Das 2-Lagensystem bzw. Lift-off wird sehr erfolgreich für die Erzeugung unterschnittener Strukturen eingesetzt.
AR-P 617 Zweilagen-lift-off System
Eine weitere Variante zum Aufbau von Zweilagensystemen geht nur von einem Resist aus: AR-P 617 (PMMAcoMA 33).
PMMA-E-Beamresist positiv und bei Überbelichtung negativ, geeignet für Brückenstrukturen
PMMA-Resist arbeiten unter den Standardbedingungen positiv. Die langen Polymerketten werden durch die Bestrahlung gebrochen, es entstehen kleine Bruchstücke.
Grundlagen
Informationen über Polymere Resists, Lichtempfindliche Komponenten, Vernetzer, andere Bestandteile von Resists sowie über Prozesshinweise und Prozessverfahren.
Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
Eine weitere Variante zum Aufbau von Dreilagensystemen verwendet 950k PMMA als Bottomresist, AR-P 617 als mittlere Schicht und CSAR 62 als Topresist.
Hochauflösender Negativ-E-Beamresist AR-N 7520.17neu für Ätzanwendung
Am Institut FEMTO-ST in Frankreich wurden mit AR- 7520.17neu bei einer Schichtdicke von 400nm sehr gleichmäßige und glatte 300nm-Stege realisiert. In der nachfolgenden Ätzanwendung konnte die Resistgeometrie in hervorragender Qualität in das Si-Substrat übertragen werden.
Elektronenstrahlresists auf Basis von Polyphthalaldehyden, Uni Tübingen
PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.
PMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen
Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.
CSAR 62 – Wirkprinzip
Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.
CAR 44 für die E-Beam-Lithographie
Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.