PMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen

Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.

CSAR 62 – Wirkprinzip

Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.

Thermisch stabile Zweilagen-lift-off-Systeme

Bei den Anwendungen der Lift-off-Strukturen treten beim z.B. Besputtern häufig Temperaturen von über 150 °C auf. Mit den üblichen Photoresists als Top-Layer kommt es dann zum Schmelzen der Lift-off-Struktur, wodurch sie unbrauchbar für den Prozess wird.

Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)

Das Spray-Coating wird oft für die Beschichtung komplizierter Topologien verwendet. Es gibt verschiedene Hersteller für Spray-Coating Geräte, die beiden wohl bekanntesten sind die EV Group und Süss Microtec.

Allgemeines: Resistzusammensetzung

Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.

CAR 44 für die E-Beam-Lithographie

Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.

Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.

Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung.

Medusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)

Ein Zusatz von Photoacidgenerator (PAG) kann die Empfindlichkeit von Medusa 82 erheblich steigern (siehe Resist-Wiki Medusa 82 mit PAG). Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach der E-Beam-Belichtung einen PEB durchzuführen.