Prozessablauf Photoresist

Reinigung der Substrate Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten (2-3 min, hote plate) zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.

Prozessablauf E-Beamresist

Entwicklung PMMA-Schichten PMMA-Schichten lassen sich nur mit lösemittelhaltigen Entwicklern entwickeln. Wässrig-alkalische Entwickler greifen das PMMA nicht im Geringsten an. PMMA wird sogar als Schutzlack gegen stark alkalische Lösungen verwendet (siehe Schutzlacke AR-

Prozessbedingungen

Gasbläschen nach dem Aufschleudern Es sind meist Luftbläschen, wenn z.B. die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde.

Lagerung und Alterung

Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,