PPA für Zweilagenanwendungen

Bericht zum 2-Lagensystem bzw. Lift-off:

AR P-617 (250nm) mit PPA (30nm), Entwicklung und anschl. Al (40nm) aufdampfen. (5% H2O in IPA gab Entwicklungsrate von 0.5 nm/sec.)

– Entwicklungsrate von AR-P 617 kann präzise über die Wasserkonzentration in IPA eingestellt werden (5 -10% entsprechend 0,5 – 2,5 nm/s)

Abhängigkeit der Entwicklungsrate von AR-P 617 in Entwicklern variabler Wasserkonzentration in IPA, 21°C, SB 5′ 180°C

– sehr erfolgreich für die Erzeugung unterschnittener Strukturen eingesetzt

Bridge with undercut, covered by 40 nm aluminum

Developer:

• 10 w-% of DI-water in IPA
• Stirring!
• Used 130 seconds, which is a 30% overetch
• Evaporation of 40 nm Aluminum. Unfortunately, the layer is quite stressful and it peeled of around the cleaving edge

Results:

• Undercut is nicely visible, bridge is 100 nm wide, which leads to an undercut of 160 nm ([420-100]/2)
• Metal on the silicon was detached during the cleaving.
• At the test structure one can nicely see the residuals in the fields. Most residuals remain for the widest cap, while all caps flew away because they were fully underetched.