Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.
Auch in Photoresists können fluoreszierende Farbstoffe eingebettet werden, dabei sind die negativen Photoresists von besonderem Interesse. Durch Einbettung in den negativ arbeitenden ATLAS 46 S konnten Resistschichten erzeugt werden, die wahlweise eine violette, blaue, gelbe, orange oder rote Fluoreszenz zeigen.
Die Neuentwicklung ATLAS 46 konnte auch erfolgreich für Nanoimprinting eingesetzt werden (Universität Wuppertal, AG Prof. Scheer). In einem ersten Schritt wurden mit dem negativ arbeitenden Resist ATLAS 46S Nanostrukturen hergestellt, die anschließend mit UV-Licht bei einer Wellenlänge von 172nm gehärtet wurden.