Nach intensiver Entwicklungsarbeit ist es Allresist gelungen, die Anwendungseigenschaften des ZEP 520 mit einem äquivalenten E-Beamresist bei deutlichem Preisvorteil zu erreichen und z.B. mit der leichten Erzeugung von lift-off-Strukturen zu übertreffen. Unsere mit dem CSAR 62 erzielten hervorragenden Ergebnisse stellten wir in dieser Woche auf dem Kongress HARMNST in Berlin vor und stießen dabei auf ein großes Interesse. In dem angefügten Poster, das wir auf dem Kongress erstmals präsentierten, haben wir für Sie einige der hervorragenden Resisteigenschaften im Detail dargestellt.
In einem einfachen, stabilen Prozess wurden mit dem CSAR 62 (= SXAR-P 6200/2) eine exzellente Auflösung von 10 nm bei einer Schichtdicke von 180 nm erzielt. Mit dem Entwickler X AR 600-54/8 wurde eine sehr hohe Empfindlichkeitvon 10 µC/cm² (30 kV) erreicht. Damit ist unser CSAR 62 auch eine gute Alternative zum hochempfindlichen Masken-ZEP 7000. Das Besondere ist die leichte Erzeugung von lift – off – Strukturen. Die Plasmaätzresistenz von CSAR62 und ZEP 520 ist vergleichbar hoch und 2x besser als bei PMMA-Resists. Ab 2. Mai stehen für alle Interessenten 30 ml und 100 ml Muster des neuen E-Beamresists SX AR-P 6200/2 mit den dafür erforderlichen Entwicklern X AR-P 600-54/6 und X AR 600-54/8 bereit.
Mit Produktionsbeginn – die Synthese- und Produktionslinie für den CSAR 62 befindet sich kurz vor der Abnahme – stehen ab Juni auch größere Mengen des Lackes zur Verfügung. Damit möchten wir Ihnen helfen,die mittelweile schwierige und teure Beschaffung des ZEP zu den Akten zu legen. Wie gewohnt schnell und zuverlässig liefernd, bieten wir Ihnen mit unserem CSAR 62 einen hochempfindlichen, plasmaätzstabilen Elektronenstrahlresist höchster Auflösung zu deutlich günstigeren Konditionen an.
Quelle: M. Schneider, Photogräphin GmbH, Berlin
