E-Beam Resist AR-P 669-Serie
(AR-P 669.04, AR-P 669.07)
Höchstauflösende Resists für Nanometerlithographie, PMMA 600K
Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV (248 nm)
- sehr gute Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
- für Planarisierungen und Mehrlagenprozesse
- höchste Auflösung, hoher Kontrast
- Polymethylmethacrylate verschiedener Molgewichte
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 669.04
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,22 µm
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Auflösung bester Wert: 6 nm
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Kontrast: 7
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Flammpunkt: 36 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 10 – 22 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-P 669.06
AR-P 669.07
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Dosisstaffel des PMMA 600K/ 950K-Systems
Bei 1800 pC/cm noch nicht durchentwickelt
Definition: Die Empfindlichkeit für eine Linie wird in pC/cm angegeben, für eine Fläche ist die Einheit µC/cm²
Ausbildung Unterschnitt vs. Bestrahlungsdosis
Grabenbreite oben: 20 nm, Messwerte im Diagramm: Breite der Gräben unten