Entwickler AR 300-475
Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH
Charakterisierung
- metallionenfreie wässrig-alkalische Lösungen
- zur Verarbeitung von Photo-/ E-Beamresists
- vermindern die Möglichkeit einer Metallionenkontamination an der Substratoberfläche
- rückstandsfreie Entwicklung
- Metallionengehalt < 0,1 ppm
- Hauptbestandteil TMAH
- Einsatzgebiet: Tauch-, Puddle- und Sprühentwicklung (21-23 °C ± 0,5 °C, ca. 40 – 60 s (max. 120 s))
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Normalität0,17 n
- Dichte bei 20 °C0,99 g/cm³
- Oberflächenspannungmax. 32 mN/m
- Filtrationsgrad0,2 µm
- Lagerung bis 6 Monate10 - 22 °C* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
- 1 x 5.000 ml
- 4 x 5.000 ml
- 20 x 5.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.