AR-N 4600 Photoresistserie (Atlas 46)
Dicke Negativresists für Galvanik, Mikrosystemtechnik und LIGA <20 μm
Charakterisierung
- i-line, Breitband-UV
- sehr gut Haftung
- sehr hohe Empfindlichkeit
- AR-N 4600-10 (S) für stabile Schichten von 5 µm – 15 µm
- AR-N 4650-10 (R) für removbare Schichten von 5 µm – 15 µm
- weitere Schichtdicken bis etwa 200 µm auf Anfrage möglich
- Poly[(o-cresyl glycidyl ether)-co-formaldehyde] und Säuregeneratoren
- Safer solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-N 4600-10 (S)
- Viskosität 25°C: 172 mPas
- Schichtdicke/4.000 rpm: 10 µm
- Auflösung: 2 µm
- Kontrast: 4
- Flammpunkt: 46 °C
- Lagerung bis 6 Monate: 11-22 °C
Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-N 4650-10 (R)
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Entwicklungsempfehlungen
AR-N 4600-10 (S)
- AR 600-70: schnell
- AR 300-12: mittel
- AR 600-07: langsam
AR-N 4650-10 (R)
Strukturauflösung
Atlas S (© Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg)
Atlas R (© Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg)
Spinkurve
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung95 °C, 5 min, Hotplate
- BelichtungBreitband-UV, Soft-contact
- EntwicklungAR 300-12 pur, 120 s, 20 °C
Zusätzliche Hinweise
Verarbeitung
Die Schichtdicken von Atlas R und Atlas S sind auf 10 μm bei 1.000 rpm eingestellt. Es wird empfohlen, die sich anschließende Temperung auf der Hotplate bei 95°C für 5 min durchzuführen. Rampen oder stufenweise Trocknung etwa bei 65°C für 2 min gefolgt von 95°C für 4 min können die Auflösung verbessern.
Beide Resists können durch i-line oder Breitband-UV-Belichtung strukturiert werden. Vor der Belichtung sollten die Substrate auf Raumtemperatur abgekühlt werden. Es wird empfohlen, die sich anschließende Temperung zur Vernetzung auf der Hotplate bei 105°C für 2 min durchzuführen.
Rampen oder stufenweise Vernetzung, etwa bei 65°C für 2 min gefolgt von 95°C für 7 min und 105°C für 2 min können die Auflösung verbessern. Allgemein gilt, je höher und länger getempert desto stabiler werden die Resiststrukturen und desto länger muss im Anschluss entwickelt werden. Der Einsatz von Temperaturrampen wird auch für das Abkühlen empfohlen, da ein zu schnelles Abkühlen zu Spannungsrissen führen kann.
Entwicklung
Zur Entwicklung wird der AR 300-12 als Standardentwickler empfohlen, jedoch sind auch AR 600-07 (schnelle Entwicklung) oder AR 600-70 (schonende Entwicklung) geeignet.
Beim AR-N 4600-10 (S) kann selbst bei relativ langen Entwicklungszeiten kein Dunkelabtrag beobachtet werden.
Ein zu langes Entwickeln mit dem AR 300-12 kann jedoch beim AR-N 4650-10 (R) zu einem erhöhten Dunkelabtrag führen, beim AR 600-70 kann es sogar zum kompletten Removing kommen.
Für ein besonders rückstandsfreies Spülen nach der Entwicklung wird der Stopper AR 600-60 empfohlen. Anschließend wird mit DI-Wasser gespült. Es ist auch möglich, unmittelbar nach der Entwicklung die Resistschichten direkt mit DI-Wasser zu spülen und auf der Hotplate zu trocknen.
Removing
Die entwickelten Strukturen des AR-N 4650-10 (R) können mit dem Verdünner AR 300-12 oder AR 600-70 entfernt werden, in Abhängigkeit vom Vernetzungsgrad (Dosis, Tempertemperatur und Temperzeit) kann das Removing jedoch deutlich über 30 Minuten dauern.
UV-VIS-NIR
UV/VIS-Spektren von 10 μm Schichten Atlas S und Atlas R im Vergleich zu SU-8
UV/VIS-Spektren von Atlas 46. Vergilbung durch verschieden lange Breitband-UV-Belichtung nach dem Curing.
Imprinting
Kombinierte Nano- und Mikrostrukturen, hergestellt durch imprinting vom AR-N 4600 (© Uni Wuppertal)
Nahaufnahme vom AR-N 4600 (© Uni Wuppertal)
Differential Scanning Calorimetry (DSC)
Dynamische Differenzkalorimetrie (DSC) der verwendeten Polymere bei Atlas 46 S
Dynamische Differenzkalorimetrie (DSC) der verwendeten Polymere bei Atlas 46 R
Brücken
Brückenstruktur aus Zweilagensystem von AR-N 4600-10 (unten) und SX AR-N 4620-10/1 (oben)
Prozessdarstellung „Brückenbau“ mit AR-N 4600-10 (unten, BB-UV) und SX AR-N 4620-10/1 (oben, g-line)