Photoresist SX AR-P 3500/8
Produkt auf Anfrage
(Experimentalmuster / Sonderanfertigung)
Positiv-Photoresist für Hochtemperaturanwendungen bis 300°C
Charakterisierung
- Breitband, i-line, g-line
- sehr plasmaätzstabil, thermisch stabil bis 300 °C
- geeignet für:
- Hochtemperatur 2-Lagen Lift-off Prozesse sowie
- Plasmaätz- und Implantationsprozesse
- Polyhydroxystyren-co-MMA-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Eigenschaften
- Viskosität 25°C20 mPas
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung0,8 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagertemperatur*10 - 18 °C
- * Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- Auf Anfrage
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Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
7 µm Gräben mit dem SX AR-P 3500/8
10 µm Steg des SX AR-P 3500/8 nach einem Hard-Bake von 280 °C
Spinkurve
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung95 °C, 2 min, Hotplate
- Belichtungg-line stepper (NA: 0,56)
- EntwicklungAR 300-47, 1 : 1, 1 min, 22 °C