E-Beam Resist AR-P 617-Serie
(AR-P 617.03, AR-P 617.06, AR-P 617.08, AR-P 617.14)
Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA
Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV (248 nm)
- höchste Auflösung, hoher Kontrast
- starke Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
- 3-4 x empfindlicher als PMMA
- Empfindlichkeit über Softbake einstellbar
- für Planarisierungen und Mehrlagenprozess
- thermisch stabil bis 240 °C
- Copolymer auf der Basis von Methylmethacrylat und Methacrylsäure
- safer solvent 1-Methoxy-2-propanol
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 617.03
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,09 µm
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Auflösung bester Wert: 10 nm
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Kontrast: 6
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Flammpunkt: 38 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 10 – 18 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-P 617.06
AR-P 617.08
AR-P 617.14
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Resiststrukturen
AR-P 617.03: 150 nm Stege über 200 nm Oxidstufen
Spinkurve
Schichtdicken des AR-P 617 vs. Feststoffgehalt und Drehzahl
