E-Beam Resist AR-P 617-Serie

(AR-P 617.03, AR-P 617.06, AR-P 617.08, AR-P 617.14)

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA

Produktinformation

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Charakterisierung

E-Beam, Tief-UV (248 nm)
höchste Auflösung, hoher Kontrast
starke Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
3-4 x empfindlicher als PMMA
Empfindlichkeit über Softbake einstellbar
für Planarisierungen und Mehrlagenprozess
thermisch stabil bis 240 °C
Copolymer auf der Basis von Methylmethacrylat und Methacrylsäure
safer solvent 1-Methoxy-2-propanol

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

13. April 2016

Hochempfindlicher E-Beamresist AR-P 617 (PMMA-Copolymer)

Eigenschaften

AR-P 617.03

Schichtdicke/4.000 rpm: 0,09 µm
Auflösung bester Wert: 10 nm
Kontrast: 6
Flammpunkt: 38 °C
Lagerung bis 6 Monate: 10 – 18 °C

Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

AR-P 617.06

Schichtdicke/4.000 rpm: 0,29 µm
Auflösung bester Wert: 10 nm
Kontrast: 6
Flammpunkt: 38 °C
Lagerung bis 6 Monate: 10 – 18 °C

Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

AR-P 617.08

Schichtdicke/4.000 rpm: 0,48 µm
Auflösung bester Wert: 10 nm
Kontrast: 6
Flammpunkt: 38 °C
Lagerung bis 6 Monate: 10 – 18 °C

Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

AR-P 617.14

Schichtdicke/4.000 rpm: 1,75 µm
Auflösung bester Wert: 10 nm
Kontrast: 6
Flammpunkt: 38 °C
Lagerung bis 6 Monate: 10 – 18 °C

Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 100 ml (Testmuster)
1 x 250 ml
1 x 1.000 ml
6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Passende Prozesschemikalien

Entwickler AR 600-50

Hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methoxypropanol / Isopropylalkohol

Entwickler AR 600-55

Starker, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methylisobutylketon (MIBK)

Haftvermittler AR 300-80 neu

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs. Einfachere und preiswertere Alternative zum HMDS.

Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 600-71

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Stopper AR 600-60

Zum Abstoppen von E-Beam-Resist-Schichten nach der Entwicklung, Hauptbestandteil: Isopropanol

Stopper X AR 600-60/1

Zum Abstoppen vom Schutzlack SX AR-PC 5000/41 nach der Entwicklung mit X AR 300-74/1, Hauptbestandteil: Octan

Verdünner AR 600-07

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Resiststrukturen

AR-P 617.03: 150 nm Stege über 200 nm Oxidstufen

Spinkurve

Schichtdicken des AR-P 617 vs. Feststoffgehalt und Drehzahl

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