Die einfachsten, jedoch sehr wirkungsvollen Remover sind Natronlauge (NaOH) bzw. Kalilauge (KOH). Schon eine 4 %ige KOH löst fast alle novolakbasierten Photo- und E-Beam Resists innerhalb einiger Sekunden. Ausnahmen sind speziell alkalistabil konzipierte Resists (siehe Alkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist).
Eine Erhöhung der Konzentration an NaOH oder KOH ist bis 40 % möglich. Diese starken Laugen sind dann auch für schwierige, hoch gehärtete Resistschicht geeignet. Oftmals kann die Lauge die Lackreste nicht vollständig lösen, da sie aber unter die Schicht kriechen kann, werden die Reste sozusagen geliftet (abgezogen) und der Lack doch noch vollständig entfernt. Man sollte aber beachten, dass hochkonzentrierte Laugen auch das Silizium des Wafers angreifen und die Oberfläche zerstören können. Eine Alternative zu den genannten Laugen ist der konzentrierte Entwickler AR 300-26 auf der Basis von gepufferten basischen Salzen, der im unverdünnten Zustand die meisten Resistschichten ebenfalls schnell ablöst. Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) Lösungen werden auch als Remover eingesetzt. Die höchste Konzentration ist hierbei 25 %, bei dieser Konzentration ist er mit den hochkonzentrierten NaOH- und KOH-Laugen vergleichbar. Ebenso greift das TMAH Silizium an, also ist auch hier Vorsicht geboten.
Der nur Viertel konzentrierte TMAH-Remover AR 300-73 ist deutlich einfacher (sicherer) zu handhaben und auch umweltfreundlicher durch den geringeren Verbrauch des TMAH. Die wässrig-alkalischen Remover sind nicht geeignet für alle Polymere (PMMA, Polystyren, Kohlenwasserstoffe). Diese Eigenschaft kann aber bei Zweilagensystemen (PMMA/Photoresist; Kohlenwasserstoffe/Photoresist) zur selektiven Entwicklung der oberen Photoresistschicht genutzt werden.