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Einträge von AllAdmin

Hochempfindlicher Negativresist für i-line-Lithographie – AR-N 4300

Negativresists werden im Vergleich zu Positivresists in der Mikroelektronik deutlich seltener eingesetzt. Um jedoch auch für diese Applikationen einen erstklassigen Resist anbieten zu können,

Sensor Messe in Nürnberg

Nunmehr zum 4. Mal nimmt Allresist an der Sensor-Messe in Nürnberg als Aussteller teil. Mitaussteller war das IDM e.V., Teltow. Wie in den letzten Jahren wurde eine Vielzahl von Kontakten geknüpft.

Allresist auf der Semicon China

Im Rahmen des BadSaarowBridgeClubs nahmen einige Unternehmen des Club an der Semicon China 2003 teil. Herr Dr. Reichardt von der DAS GmbH, Dresden, stellte seine Erfahrungen und sein Büro in Shanghai zur Verfügung.

Technologietransferpreis an Allresist und IDM e.V. verliehen

Der 1. Preis wurde an das Entwicklungsteam zum Vorhaben „Thermostabile Resists für die Mikrosystemtechnik“ mit den Teilnehmern Priv.–Doz. Dr. habil. Burkhard Schulz von der Universität Potsdam und Dipl.

Aluminiumstrukturen direkt entwickelt

Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Experimentalmuster X AR-P 5900/4 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.

Erfolgreiche Zertifizierung nach DIN ISO 9001:2000

Nach einer intensiven Vorbereitungszeit haben wir die erste Phase der Einführung des Qualitätsmanagementsystems am 19.12.2001 abgeschlossen. Herr Dr. Leonhardt vom TÜV Süd konnte uns bescheinigen,

Alkaliresistente Resists

Das Interesse an alkaliresistenten Schutzschichten ist bei vielen Anwendern groß. In unterschiedlich basische Medien sollen die schon erzeugten Strukturen geschützt werden. Dazu bedarf es Resists,

Resists für den Wellenlängenbereichvon 488 nm

Mit dem X AR-P 350/5 kann bei der Wellenlänge von 488 nm gearbeitet werden. Die Empfindlichkeit des Resists beträgt dabei ca. 2 J/cm². Für die gewünschten Anwendungen (holographische Gitter bzw.

Allresist in Strausberg

Innerhalb des letzten Jahres gab es große Veränderungen für die Allresist GmbH. Das neue, eigene Firmengebäude wurde im Dezember 1999 eingeweiht. Neben der Kapazitätserweiterung,

E-Beam-Lithographie an 5 µm dicken Resistschichten

Der Elektronenstrahlresist X AR-N 7700.38 wurde an der Humboldt-Universität-Berlin, Sektion Physik, getestet. Es wurden 5 µm dicke Resistschichten mit einer Beschleunigungsspannung von 20 kV bestrahlt und entwickelt.