Entwickler für CSAR 62 (AR-P 6200)

Zur Entwicklung belichteter CSAR 62 Resistschichten, üblicherweise Tauchentwicklung mit Entwicklungszeiten von etwa 30-60 Sekunden, eignen sich die Entwickler AR 600-546, 600-548 und 600-549.

Haftfestigkeit des AR 300-80

Um ein oben beschriebenes Abziehen der PMMA-Schicht vom Wafer zu verhindern, wird der Einsatz eines Haftvermittlers empfohlen. Zusätzlich ist eine möglichst hohe Temperung der Wafer (wenn möglich > 200°C)

Neuer Lösemittel Remover

Ein neuer, starker Lösemittel Remover AR 600-71 aus 1.3-Dioxolan und 1-Methoxy-2-propanol ist in der Lage, schon bei Raumtemperatur gehärtete Resist-Schichten zu lösen. Bemerkenswert ist,

Entwicklertypen

Es gibt 2 Hauptgruppen von Entwicklern: die lösemittelhaltigen und die wässrig-alkalischen Entwickler. Die Lösemittelhaltigen sind vor allem für die PMMA-E-Beamresists (→ Prozessablauf E-

Haftvermittler HMDS und Diphenylsilandiol (AR 300-80)

Resists haften unterschiedlich gut auf verschiedenen Oberflächen. Viele Substrate wie, z.B. Silizium, Siliziumnitrid und Nichtedelmetalle (wie Aluminium, Kupfer) weisen im Allgemeinen eine gute Lackhaftung auf,

Alternativen zu NMP-haltigen Removern

Am 25.09.09 ist die Verordnung (EG) Nr. 790/2009 zur Änderung der EG-GHS-Verordnung (Nr. 1272/2008) über die Einstufung und Kennzeichnung von Stoffen und Gemischen in Kraft getreten.

Lösemittel und Arbeitsschutz

Alle von uns angebotenen Resists, sowie ein großer Teil der Prozesschemikalien enthalten organische Lösemittel. Die Bestimmungen der Gefahrstoffverordnung sind beim Umgang mit diesen Produkten einzuhalten.

Verdünner (Lösemittel)

Richtiges Verdünnen von Lacken. (siehe Verdünnung von Resists) Jeder Resist besteht hauptsächlich aus Lösemitteln. Die meisten Photoresists und die Negativ-E-Beam Resists verwendet als Hauptlösemittel das PMA (PGMEA)

Entwicklungsverfahren

Entwickler haben die Aufgabe, die belichteten Flächen bei den Positivresists und die unbelichteten Areale bei den Negativlacken rückstandsfrei zu entfernen. Dabei sollen sie möglichst jeweils die anderen Flächen des Wafers überhaupt nicht angreifen,

Wässrig-alkalische Remover

Die einfachsten, jedoch sehr wirkungsvollen Remover sind Natronlauge (NaOH) bzw. Kalilauge (KOH). Schon eine 4 %ige KOH löst fast alle novolakbasierten Photo- und E-Beam Resists innerhalb einiger Sekunden.