Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit. Die Hauptkomponenten des Resists besteht aus Poly(α-methylstyren-co-chlormethacrylsäuremethylester), einem Säuregenerator und dem safer-solvent-Lösemittel Anisol. Die höhere Empfindlichkeit resultiert aus dem Einfügen von Halogen-Atomen an der Polymerkette. In der Regel wird Chlor verwendet (so auch beim CSAR 62 – chlormethacrylsäure-methylester), Brom oder Jod wären jedoch auch möglich. Das Chlor-Atom unterstützt das Brechen der Polymerkette bei der Bestrahlung mit Elektronen. Hinzu kommt die unterstützende Wirkung eines halogenhaltigen Säuregenerators. Durch das Einbringen weiterer reaktiver Halogene wird der Angriff auf die Polymerkette nochmals forciert. Damit wird weniger Energie (geringere Dosis) für die Zerlegung des hochmolekularen Polymers in kleine Bruchstücke benötigt. Diese Bruchstücke lösen sich in dem Entwickler rasch, die unbestrahlten, weiterhin hochmolekularen Resist-Flächen werden nicht angegriffen.
Die Unterstützung des Kettenbruches durch einen temperaturstabilen Säuregenerator gab dem Resist auch den Namen – Chemical Semi Amplified Resist. Da die Aktivierung des Generators zeitgleich mit der Elektronenbestrahlung erfolgt, muss die Schicht nach der Bestrahlung nicht getempert werden. Weiterführende Untersuchungen und das Feedback der Anwender zeigten jedoch, dass die hohe Empfindlichkeit auch fast ohne den Säuregenerator erreicht wird. Im Sinne einer erhöhten Langzeitstabilität wird jetzt bei der Herstellung des CSAR 62 auf den Zusatz des Säuregenerators verzichtet.
Die bessere Plasmaätzresistenz resultiert aus dem Einfügen von aromatischen Substituenten in das Polymer wie z.B. Phenyl-, Naphthyl- oder Anthracyl-Gruppen. Der CSAR beinhaltet das α-methylstyren für seine Ätzstabilität. Aromaten sind aufgrund ihrer π-Elektronen deutlich stabiler gegenüber unterschiedlichen Plasmen im Vergleich mit aliphatischen Polymeren wie PMMA und liegen auf einem Niveau mit den Photoresists. Diese bestehen überwiegend aus Novolaken (Formalin kondensierte Kresole), die durch die Kresole einen hohen Anteil an Aromaten besitzen und somit plasmaätzstabil sind.
E-Beam Resist Andere Resists