Am Beispiel vom AR-N 4340 werden Prozessparameter, Empfindlichkeit, Auflösung, Kantenqualität und Maßverhalten dargestellt. Die Untersuchungen erfolgten auf 150mm-Wafern mit Si-Oberfläche.
Oftmals sollen Substrate strukturiert werden, die nicht über 50 – 70 °C erwärmt werden dürfen. Das können Glasteilungen sein, die sich bei höheren Temperaturen verziehen und so ihre Maßhaltigkeit verlieren würden.
Zurzeit befinden sich zwei Positiv-Zweilagen-lift-off Systeme seit einigen Jahren erfolgreich im Einsatz; die AR-P 5400-3510-Serie (Allresist) und PGMI-Positivresist-Variante. Durch die Dauer der Entwicklung kann sich jeder Anwender den Unterschnitt bei der AR-
Positiv-Zweilagen-Systeme sind schon lange auf dem Markt. Nun mehr gibt es auch Varianten mit Negativresists als Oberlack. Der größte Vorteil für die Neuerung ist die höhere thermische Stabilität von Negativlacken.
Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.
Im CiS Institut für Mikrosensorik werden für die Fertigung kundenspezifischer Bauelemente tiefe Siliziumätzgruben strukturiert. Dazu wurde eine Beschichtung mittels Sprühbeschichtung entwickelt.
Teflon oder ähnliche Produkte werden aufgrund ihrer extremen Oberflächeneigenschaften in Bereichen eingesetzt, wo eine Strukturierung des Teflons manchmal wünschenswert wäre. Die hydrophoben Oberflächeneigenschaften verhindern aber eine Beschichtung mit Resist.
Als Alternative zum Polyimid-Negativresist wurde ein auf Polyhydroxystyren basierender, sehr empfindlicher CAR-Negativlack entwickelt, der wässrig alkalisch entwickelt werden kann.
Als Alternative zu dem Positiv-Polyimid-Resist ( SX AR-PC 5000/82.7 ), der schon im Lösemittel ein Polyimid ist und somit kein Curing-Prozess (siehe “Positiv-Polyimid Resist” ) bei 350-
Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-