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Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung. Dies soll es ermöglichen, auch zukünftig die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um kleinere, effizientere, schnellere und günstigere integrierte Schaltkreise herstellen zu können.
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Medusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)

Ein Zusatz von Photoacidgenerator (PAG) kann die Empfindlichkeit von Medusa 82 erheblich steigern (siehe Resist-Wiki Medusa 82 mit PAG). Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach der E-Beam-Belichtung einen PEB durchzuführen.
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Medusa 82 mit Photoacidgenerator (PAG)

Ein Nachteil von HSQ und Medusa 82 ist die sehr geringe Empfindlichkeit. Durch Zusatz von Photoacidgeneratoren kann die Empfindlichkeit deutlich gesteigert werden.
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Phoenix 81 – Lagerbedingungen und Versand

In der Endphase des Projektes Eurostar PPA-Litho, das die Entwicklung des Phoenix zu Ziel hatte, ist es uns durch die Optimierung der Synthese gelungen, weitaus stabilere PPA-Polymere herzustellen. Die reinen Polyphthalaldehyde haben einen Stresstest über 14 Tage bei 37 °C ohne Zersetzung überstanden. Damit ist ein Versand ohne Kühlung möglich. Das triff jedoch nur auf die reinen PPA-Polymere zu.
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Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist, Lagerstabilität

Unserem Forschungsteam ist es gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln: der Medusa 82. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.
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Fluoreszierende Resiststrukturen

Fluoreszenz ist die spontane Emission von Licht kurz nach der Anregung eines Materials durch elektronische Übergänge. Dabei ist das emittierte Licht in der Regel energieärmer als das vorher absorbierte.
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Verwendung von PPA in Mehrlagenprozessen

Anisolische PPA-Lösungen können sowohl auf PMMA (600k, 950k), PMMAcoMA (AR-P 617) als auch auf Bottomresist AR-BR 5480 (Alternative zu PMGI) beschichtet werden.
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Herstellung plasmonischer Strukturen mit CSAR 62

Bei der Herstellung plasmonischer Strukturen können mit Electra 92 unerwünschten Aufladungen auf Quarzsubstraten vermieden werden.
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CSAR 62-Untersuchungen zu neuen empfindlichen Entwicklern

CSAR 62-Schichten können auch durch eine intensive UV-Belichtung strukturiert werden. Die bestrahlten Schichten wurden mit unterschiedlichen Lösungsmitteln entwickelt und die beobachteten Empfindlichkeiten miteinander verglichen.
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CSAR 62-Entwicklung bei tieferen Temperaturen

Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl des Entwicklers sehr stark beeinflusst werden. Im Vergleich zum Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht werden.
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