Die üblichen Belichtungswellenlängen für die Breitband-UV-Lithographie liegen in dem Bereich zwischen 300 nm und 450 nm. Darin enthalten sind die wichtigen Hochdruckquecksilberlampenlinien 436 nm (g-line), 405 nm (h-line) und 365 nm (i-line). Die Wellenlängen g-line und i-line charakterisieren den Stand einer Technologie.
Die wichtige Laserwellenlänge 488 nm und die seltenere gebrauchte 532 nm Belichtungswellenlänge können mit den Standard-Photoresists nicht bedient werden. Ermöglicht wird das erst durch einen optimierten Positivresist. Durch den Einsatz einer modifizierten lichtempfindlichen Komponente (LEK) und der Erhöhung der LEK-Konzentration verschiebt sich das UV-Absorptionsspektrum geringfügig zum Langwelligen.
Obwohl die Absorption bei 488 nm immer noch < 0,05 ist, reicht das aus, um bei dieser Wellenlänge der Resist belichten und strukturieren zu können. Die Empfindlichkeit ist aber recht gering und kann für eine 1 µm Schicht mit > 1.000 mJ/cm² angegeben werden. Einzelne Anwender haben berichtet, dass auch bei einer Belichtung bei 532 nm eine Strukturierung möglich war. Die benötigte Lichtmenge liegt in dem Bereich > 3 J/cm. (siehe SX AR-P 3500/7)
Photoresist Positiv