In Zusammenarbeit mit dem Förderverein Centrum für intelligente Sensorik (CiS, Erfurt) entwickelten wir 2004 den ersten Bottomresist (BR). Dieser Bottom-Resist ist nicht lichtempfindlich, jedoch wässrig alkalisch entwickelbar.
Optisch dichte Resists spielen in der Industrie eine zunehmend größere Rolle. In der optischen Industrie, der Automobil-Industrie und bei der Drehgeber-Herstellung werden sogenannte Schwarzlacke benötigt.
Schon im Januar 2019 haben wir Medusa 82 UV zum Resist des Monats gekürt. Damals wurden erste Ergebnisse der Anwendung als Photoresist gewürdigt. Nun möchten wir Ergebnisse über den Einsatz in der Grauton-Lithographie vorstellen, die auch auf der MNE 2019 in Griechenland gezeigt wurden.
Allresist hat Phoenix 81 (AR-P 8100) in einem Eurostar-Projekt zusammen mit der Swisslitho AG und anderen Partnern entwickelt. Swisslitho hat jetzt den NanoFrazor mit einem Laser-Direktschreiber ergänzt (siehe Abb. 1). Nunmehr ist es möglich, komplizierte Strukturen wie z.B. Single-Elektronen-Transistoren (SET) kostengünstig herzustellen. Die SET bestehen aus sehr kleinen Strukturen von wenigen Nanometern und relativ großen Details mit einigen 10 µm (siehe Abb. 2).
Allresist ist es gelungen, eine Alternative zum HSQ zu entwickeln. Durch eine neue Modifikation des Polymers lässt sich der Resist Medusa sehr einfach handhaben.
Unserem Forschungsteam ist es in diesem Jahr gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.
Für die Herstellung optischer Skalierungen, wie z.B. bei Nachtsichtgeräten, bedient man sich der faszinierenden Möglichkeiten der Fluoreszenz. Dafür haben wir unseren Atlas 46 mit verschiedenen Fluoreszenzfarbstoffen zu versetzt.
Die hervorragenden Eigenschaften des SU-8 sind allen Anwendern der Mikrosystemtechnik bekannt. Der neue Negativresist Atlas 46 S (Solid) von Allresist ist einfach verarbeitbar mit hoher Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und großer Widerstandsfähigkeit der Resiststrukturen gegenüber allen gängigen Lösemitteln. Damit ist Atlas 46 S für alle Anwendungen geeignet, bei denen die Schicht permanent und widerstandsfähig auf dem Substrat verbleiben soll.
Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.
Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.