Allresist bietet künftig einsatzfähige Resists als Ersatz für HSQ in drei unterschiedlichen Schichtdicken an: 50 nm (4.000 rpm, 4 % Feststoff), 100 nm (4.000 rpm, 8 % Feststoff), 400 nm (4.000 rpm, 22 % Feststoff) → 1,0 µm /800 rpm
Durch eine gezielte Syntheseführung, die genau die stabile und empfindliche Molekülfraktion des HSQ-Polymers separiert, und durch aufwändige Reinigungsoperationen können wir hier nun einen deutlich stabileren Resist anbieten.
Am AMOLF wurde Electra 92 auf HSQ beschichtet, welches auf eine 40 nm dicke SiO2-Schicht eines Siliziumwafers aufgebracht war. Aufgrund seiner stark hydrophoben Oberfläche ist HSQ besonders anspruchsvoll. Für diese Aufgabe war eine speziell angepasste Variante des Electra 92 erforderlich.
Da Medusa 84 SiH, im Gegensatz zu Medusa 82 aus rein anorganischen Komponenten besteht, ist seine optische Transparenz deutlich höher. Diese Transparenz ist für eine größere Kundengruppe wichtig, die solche Resists für optische Anwendungen nutzen.
Aufgrund der großen Absatzmenge ist der AR-P 672.045 unser interner „Marktführer“. Dieser Resist wird von drei großen Mikrochip-Herstellern in Frankreich, Deutschland und China eingesetzt. Damit erhöht sich der Verbrauch stetig; mittlerweile werden jährlich über 300 Liter allein von diesem Resist bestellt.
Von Anfang an war der Gedanke der Nachhaltigkeit fest in der Firmenphilosophie der Allresist verankert. Eine der ersten Weiterentwicklung des jungen Unternehmens war der Austausch der teratogenen Lösemittel des Positiv-Photoresists AR-P 351 durch Safer Solvents. So entstand der Standardresist AR-P 3510, bei dem die exzellenten lithographischen Eigenschaften beibehalten wurden, der Lack aber für die Anwender nun bedeutend ungefährlicher war.
Wir haben nun eine Qualität der Anilin-Polymere erreicht, bei der auf den Zusatz von Isopropanol verzichtet werden kann. Dadurch erhöht sich auch die Stabilität der Resistmischungen des AR-PC 5092. Langzeitversuche belegen, dass die Lagerstabilität deutlich höher ist als bei den bisherigen Electra-Varianten.
Nach der coronabedingt lediglichen online-Präsenz in den letzten beiden Jahren nahm Allresist endlich wieder einmal live an der EIPBN in New Orleans teil. Auf unserem Stand erlebten wir ein großes Interesse an unseren Resists.
Ausnahmsweise stellen wir heute in der Rubrik „Resist des Monats“ einen neuen PMMA-Enwickler vor, dessen potentielle Möglichkeiten auch unsere Anwender begeistern werden. Dieser Entwickler ist eine Mischung aus Isopropanol und Wasser – das mag zunächst erstaunlich klingen, da beide Komponenten einzeln eine PMMA-Schicht nicht angreifen.
Phoenix 81 wurde im Rahmen eines Eurostar-Projektes gemeinsam mit der Swisslitho AG (jetzt Heidelberg Instruments Nano) entwickelt. Mit dem NanoFrazor lassen sich durch thermische Rastersonden-Lithographie (thermal scanning probe lithography oder t-SPL) bis zu 10 nm kleine Strukturen schreiben, indem eine heiße Nadel in die Resistschicht taucht und diese an der Stelle verdampft (siehe u.a. AR NEWS, 42. Ausgabe).