CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht
Das Copolymer aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure ist im Gegensatz zu den reinen PMMA´s in der Lage, bei einer thermischen Belastung einen 6-Ring zu bilden.
Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.
Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen.
Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden.
Bei der Herstellung plasmonischer Strukturen können mit Electra 92 unerwünschten Aufladungen auf Quarzsubstraten vermieden werden.
CSAR 62-Schichten können auch durch eine intensive UV-Belichtung strukturiert werden. Die bestrahlten Schichten wurden mit unterschiedlichen Lösungsmitteln entwickelt und die beobachteten Empfindlichkeiten miteinander verglichen.
Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl des Entwicklers sehr stark beeinflusst werden. Im Vergleich zum Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht werden.
Die Verwendung einer Kombination von CSAR 62 und Electra 92 ermöglicht die Erzeugung komplizierter Strukturen auf isolierenden Glas.