Viele Anwendungen beinhalten einen Ätzschritt, um die mittels Lithographie hergestellten Strukturen auf ein Substrat zu übertragen. Dafür werden häufig Plasmaätzverfahren eingesetzt. Für manche Prozesse ist es dagegen von Vorteil nasschemisch zu ätzen. Diese oft sehr aggressiven Verfahren erfordern eine sehr gute Resisthaftung und eine ausgezeichnete Resiststabilität, insbesondere wenn mit Flusssäurelösungen gearbeitet werden soll. Verdünnte HF-Lösungen mit bis zu ca. 6% HF-Anteil werden von fast allen Resists für eine gewisse Zeit gut toleriert, die Stabilität der Resists erhöht sich noch weiter, wenn mit gepufferten HF-Lösungen (BOE-Prozess, Mischungen von HF mit NH4F) gearbeitet wird. Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden. Mr. Y. Nori (Lancaster University, Department of Physics, UK) konnte mit dieser Ätzlösung Lochstrukturen mit einem Durchmesser von 50nm von der CSAR 62-Maske erfolgreich in eine SiO2-Schicht (25nm SiO2 auf Si) übertragen. Die Ätzdauer betrug 1 Minute, die Resistschicht war stabil und zeigte keine Anzeichen von Ablösungen.
Abb.: Lochstrukturen geschrieben in CSAR 62; durch BOE-Ätzen in SiO2 übertragene Strukturen
E-Beam Resist Positiv