Ziel der Elektronenstrahllithographie ist im Allgemeinen eine maximale Auflösung. Deshalb werden normalerweise auch sehr dünne Schichten verwendet (50 – 500 nm). In einigen Fällen sind aber auch kleine Strukturen mit einem hohen Aspektverhältnis interessant. Anwendungsbeispiele sind galvanische Abformungen oder die Erzeugung einer Nanobibliothek zur Aufbewahrung kleinster Substanzproben. Dazu wurden 4 μm dicke Schichten des E-Beam Resists SX AR-N 7700.38 bestrahlt, getempert und entwickelt (AR 300-47). Die Beschleunigungsspannung betrug 20 kV, die Stromstärke 50 pA. Die Strukturbreiten waren stark dosisabhängig. Bei einer Überbelichtung kann der Proximity-Effekt, der bei 20-kV-Beschleunigungsspannung besonders groß ist, sehr gut an den sich verbreiternden Strukturen gesehen werden (Abb. 2). Bei einer optimalen Dosis gelingt die Erzeugung von 500-nm-Stegen bei einer Schichtdicke von 4 μm (Aspektverhältnis 8). Bei höheren Beschleunigungsspannungen ist zu erwarten, dass das Aspektverhältnis noch besser wird.
Abb. 1 Stege: 500 nm, Höhe: 4 μm, 30 μC/cm², 20 kV
Abb. 2 Stege: 1 μm, Höhe: 4 μm, 50 μC/cm², 20 kV
E-Beam Resist Negativ