Bei der Auflösung muss zwischen akademisch erreichten und industriell nutzbaren Werten unterschieden werden. Theoretisch sind Auflösungen von 2 nm möglich (Punktstrahl der Elektronen).
Mit CSAR-E-Beamresists werden bei 80 nm Schichtdicke 6 nm Gräben und bei 180 nm Schichtdicke Auflösungen bis zu 10 nm erreicht.
Mit PMMA-Resists werden ähnliche gute Auflösungen bei Schichtdicken bis 50 nm erzielt. Diese Strukturen können aber aufgrund der Prozessparameter (vor allem der hohen benötigten Dosis) nur bedingt kommerziell genutzt werden. Bei der für die industrielle Maskenfertigung üblichen 400 nm Schichtdicke werden mit PMMAs Auflösungen bis zu 150 nm erreicht.
Mit novolakbasierten Negativ-Elektronenstrahlresists sind 30-nm-Stege auflösbar, während in der industriellen Fertigung 80 – 100-nm-Strukturen realisiert werden.
E-Beam Resist FAQs