Der positiv arbeitende Photoresist AR-P 5910 ist extrem haftverstärkt und damit für Flusssäure-Ätzungen bis 5 % HF geeignet. Besonders auf Glas oder Siliziumoxid wird eine Vorbehandlung der Substrate mit dem Haftvermittler AR 300-80 dringend empfohlen. Mit dem AR-P 5910 erreicht man eine Schichtdicke von 5 µm bei 4.000 rpm. Die hohe Schichtdicke ist für eine hohe Ätzresistenz sinnvoll, weil die HF durch die Schicht diffundiert und diese dann abhebt.
Nach der Beschichtung sollte die Temperung auf der hot plate bei 85 – 90 °C für 2 min durchgeführt werden. Der Resist ist im Vergleich zu Standardresists unempfindlicher, daher werden längere Belichtungszeiten empfohlen.
Zur Entwicklung der belichteten Resistschicht wird der Entwickler AR 300-26 unverdünnt empfohlen. Die Dauer der Entwicklung sollte etwa 60 s betragen.
Die Härtung der entwickelten Strukturen bei 105 – 115 °C erhöht Stabilität und Haftung der Lackmaske auf dem Substrat erheblich. Höhere Temperaturen sind jedoch zu vermeiden. Auf gut haftenden Oberflächen, wie z.B. Silizium ist die Lackmaske über Stunden in z.B. 5 %iger HF oder HF-/Isopropanol-Mischungen beständig. Erst bei größeren Ätztiefen beginnt der Resist an den Strukturrändern abzuheben.
HF-und KOH-resistent (KOH: Kalilauge) ist der Protective Coating SX AR-PC 5000/40. Seine Funktion besteht in der Erzeugung von stabilen Schutzschichten, mit denen die Waferrückseite zuverlässig bei Ätzungen der Vorderseite (z.B. 40 % iger KOH bzw. 50 % iger HF) geschützt wird ( Frage 19 HF-Ätzungen).
Darüber hinaus ist die Schutzschicht in einem Zweilagensystem mit dem Photoresist AR-P 3250 strukturierbar. Damit können Strukturen in Glas oder Siliziumoxid übertragen werden.
Photoresist FAQs