Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.
Versuchsfelder mit unterschiedlichen Säulendurchmessern
40 µm Säulen bei einer Dosis von 7 mJ/cm²
Die Empfindlichkeit des Resists ist außerordentlich gut. So reicht eine Dosis von 7 mJ/cm² aus, um einen vollständigen Schichtaufbau zu realisieren. Andere Negativresists sind ausschließlich für i-line (365 nm) Belichtungen ausgelegt. Somit bietet sich der Negativresist AR-N 4400-10 zusätzlich für verschiedene Anwendungen mit dem 405-nm-Laser an. Auch noch bei der g-line Belichtung (436 nm) ist der Lack ausreichend empfindlich. Besonders hervorzuheben ist z.B. die Strukturierung unregelmäßig geformter Substrate, die mittels Tauchbeschichtung mit dem Spezialresist AR-N 4340-10 S6 (eine Modifikation des AR-N 4400-10) beschichtet werden. Die Belichtung erfolgt dann nicht über Masken sondern mit dem Laser.
Photoresist Negativ