Mit der Laser-Direkt-Belichtung kann ein leichter Unterschnitt der Strukturen erzeugt werden: Der obere Teil der Schicht wird durch die Absorption des Resists stärker belichtet und intensiver vernetzt. Dagegen wird der untere Teil der Struktur durch die Absorption des Resists etwas weniger belichtet und geringer vernetzt. Damit entsteht, weil der Entwickler die untere Schicht auch seitlich angreift, ein leichter Unterschnitt. Eine stärkere Differenzierung der Vernetzung für einen stärkeren Unterschnitt gelingt mit dem Laser jedoch nicht, es wird zu viel Energie eingetragen. Für die Erzeugung von senkrechten Kanten ist dieser Umstand willkommen. Will man einen stärkeren Unterschnitt-Effekt erreichen, ist dies nur mit der üblichen Photolithographie durch Masken bei einer minimalen Belichtungsdosis möglich, die zudem bei einer Wellenlänge von 300 – 380 nm (bzw. UV-Breitband) arbeiten. Die Resistschicht absorbiert in diesem Bereich die Belichtungsenergie stärker, somit kommt bei einer schwachen Dosis nur wenig Licht „unten“ an und der zuvor beschriebene Prozess der Unterschnittausprägung wirkt viel stärker (siehe Abb. 1 + 2).
Abb. 1 + 2 Unterschnittene Strukturen des AR-N 4450-10 bei minimaler Belichtungsdosis
Photoresist Negativ