Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern. Während z.B. die negativen Resists der Serie CAR 44 durch eine nachträgliche Flutbelichtung und nachfolgenden Hardbake gegenüber Alkalien stabilisiert werden können, führt ein einfacher Hardbake bei Positivlacken nicht zum erwünschten Erfolg, da hier kein stabilisierend wirkendes Crosslinking erfolgen kann. Jedoch kann durch Blockierung der reaktiven, alkalilöslichen Gruppen in der Resistschicht eine Stabilisierung erreicht werden. Am Beispiel von AR-P 3210 konnte erfolgreich gezeigt werden, dass (bereits entwickelte) Resiststrukturen durch eine nachträgliche Silylierung mit HMDS gegenüber alkalischen Lösungen ausreichend stabilisiert werden können. Dafür war es zunächst notwendig die strukturierte Lackschicht durch eine Flutbelichtung zu aktivieren. Durch die intensive Belichtung wird die lichtempfindliche Komponente (DNQ) zunächst in die Indencarbonsäure überführt. Bei Temperaturen im Bereich von 110°C – 120°C silyliert HMDS (Gasphase) sowohl die OH-Gruppen des Novolaks als auch die Indencarbonsäure quantitativ zu einer Alkali schwerlöslichen Verbindung. Eine Siliziumätze (40 % KOH bei 85 °C) halten die Strukturen jedoch nicht aus.
Photoresist Andere Resists