PPA-Schichten sind lichtempfindlich und können daher auch mittels Photolithographie direkt strukturiert werden. Eine Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge <300nm (Hg-Dampflampe) führt zur Spaltung der Polymerketten unter Bildung leichtflüchtiger Bestandteile, die sich zum Teil schon bei Raumtemperatur zu verflüchtigen beginnen. Durch Erwärmen belichteter Substrate auf etwa 100 – 120°C kann der trockene (entwicklerfreie) Entwicklungsprozess vervollständigt werden. Die Lichtempfindlichkeit kann durch Zusatz von Säurebildnern gesteigert werden. Dann ist es auch möglich, Belichtungswellenlängen im UV-Breitband (300 – 436 nm) zu nutzen. Zum Strippen/Removen kann entweder mit Plasma geätzt werden oder das Substrat auf etwa 200°C erwärmt werden, wobei PPA rückstandsfrei verdampft.
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