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Unsere Produkte
Viele nützliche Informationen zu unseren Produkten können Sie den detaillierten Produktseiten mit den dazugehörigen Produktinformationen als PDF entnehmen:
Photoresist AR-N 2210
Einsatzfertiger Sprühresist, Bedeckung senkrechter Gräben, Schichtdicke 0,5-10 µm (4.000 rpm)
Photoresist AR-N 2220
Einsatzfertiger Sprühresist zur Ätzung 54°-Böschungen, Schichtdicke 0,5-10 µm (4.000 rpm)
Photoresist AR-N 4340
Hochempfindlicher, chemisch verstärkter Resist (CAR), thermostabil bis 220 °C (Nachbehandlung)
Photoresist AR-N 4400-05 (CAR 44)
Dicker, chemisch verstärkter Resist, galvanostabil, leichtes Removing, hohe Schichten bis 10 µm
E-Beam Resist AR-N 7500-Serie
Hochauflösender, plasmaätzstabiler Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 120 °C
E-Beam Resist AR-N 7520neu-Serie
Höchstauflösender, hochempfindlicher Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 140 °C
E-Beam Resist AR-P 617-Serie
Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA, Lösemittel: Methoxypropanol
E-Beam Resist AR-P 6200-Serie (CSAR 62)
Kontrastreiche E-Beam Resists mit höchster Auflösung, sehr plasmaätzresistent
Schutzresist AR-PC 504
Lichtunempfindlicher Schutzresist, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,2 µm (4.000 rpm)
Schutzresist AR-PC 5040
Lichtunempfindlicher Schutzresist, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,8 µm (4.000 rpm)
Schutzresist AR-PC 5090.02 (Electra 92)
Leitfähiger Schutzresist für nichtnovolakbasierte E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten
Schutzresist AR-PC 5091.02 (Electra 92)
Leitfähiger Schutzresist für novolakbasierte E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten
Bottomresist AR-BR 5460
Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)
Bottomresist AR-BR 5480
Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 0,5 µm (4.000 rpm)
Entwickler AR 300-26
Gepufferter Entwickler, für hohen Kontrast, steile Kanten, rasche Entwicklung
Entwickler AR 300-35
Universeller und gepufferter Entwickler, für Schichten bis 6 µm
Entwickler AR 300-44
Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,26
Entwickler AR 300-46
Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,24
Resist-Wiki
Auch könnte sich ein Besuch unseres Resist-Wikis lohnen, in ihm werden neue Anwendungen, theoretische Hintergründe und praktische Tipps vorgestellt.
Aluminiumstrukturen direkt entwickelt
Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Negativlack SX AR-N 4360/1 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
27. Februar 2013/von AllAdminAndere Bestandteile von Resists
Die Lösemittel sind der Hauptbestandteil aller Resists. Von 50% (Dicklacke) bis zu 99% (Sprühlacke) beträgt der Anteil der Lösemittel. Die ersten Resists vor 1980 enthielten noch gesundheitsschädliche Lösemittel Toluol oder Cyclohexanon.
16. Juli 2012/von AllAdminBelichtung
Kontaktbelichtung In einer Kontaktbelichtung werden Fotomaske und Substrat in direkten Kontakt gebracht. Dieses Verfahren führt zur besten Auflösung aller Schattenwurfverfahren, da die Lichtbeugung und der damit verbundene Auflösungsverlust auf das durch die Lackdicke bedingte Minimum reduziert wird.
27. Februar 2013/von AllAdminBestimmung der Leitfähigkeit von Electra 92-Schichten auf Glas
Die spezifische Leitfähigkeit in dünnen Schichten kann mit unterschiedlichen Methoden ermittelt werden, z.B. berührungsfrei durch Wirbelstrommapping oder auch nach einer direkten Kontaktierung mittels Vierpunktmethode (Vierspitzenmessung).
19. Januar 2016/von AllAdmin1. Wie ist ein Photoresist aufgebaut und wie funktioniert er?
Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und subµm-Strukturen eingesetzt. Die Resists werden hauptsächlich mittels Schleuderbeschichtung (spin coating)
21. August 2008/von AllAdmin10. Welche Entwickler sind für welche Photolacke optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?
Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollten Temperaturen zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 0,
12. August 2008/von AllAdmin11.Wie sind Photolackschichten wieder entfernbar?
Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 (Methoxypropylacetat = PGMEA) und der Remover AR 600-
11. August 2008/von AllAdmin12. Welche Anwendungsgebiete haben Schutzlacke (Protective Coating)?
Es gibt Schutzlacke für die verschiedensten Anwendungen, z.B. für den Rückseitenschutz von prozessierten Wafern: · für den mechanischen Schutz beim Transport · als Isolatorschicht bei KOH-
10. August 2008/von AllAdmin1. Wie ist ein E-Beam Resist aufgebaut und wie funktioniert er?
E-Beam Resists (Elektronenstrahlresists) sind für Elektronenstrahl- und Tief-UV-Anwendungen zur Herstellung von höchstintegrierte Strukturen, hauptsächlich für die Maskenfertigung konzipiert.
23. August 2008/von AllAdmin10. Wie hoch ist die Ätzresistenz der E-Beam Resists gegenüber starken Säuren?
Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die E-Beamresistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.
14. August 2008/von AllAdmin11.Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von E-Beamresistschichten?
Bei den E-Beam Resists gibt es rohstoffspezifisch zwei unterschiedliche Gruppen: PMMA-Resists (AR-P 6000) Novolak-Resists (AR-N/P 7000) » Generell gilt, dass mit steigenden Trocknungs-
13. August 2008/von AllAdmin2. Wie lange sind E-Beamresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?
PMMA- und Copolymer-E-Beamresists sind im sichtbaren UV nicht lichtempfindlich, sie reagieren also nicht auf Licht (Gelblicht nicht erforderlich) und weniger gravierend als novolakbasierte Resists auf Temperatureinwirkung.
22. August 2008/von AllAdminBlack-Protect – stabiler Schutzlack für HF- und KOH-Ätzungen
Der neue Lack SX AR-PC 5000/41 (Black-Protect) ist bis 130 °C stabil und kann deshalb auch bei der KOH-Ätzung bei 85 °C eingesetzt werden. Die Schutzschicht widersteht bei einer ausreichenden Schichte > 5 µm sowohl konzentrierter Flusssäure als auch 40 % iger Kalilauge.
9. Juli 2018/von AllAdminPMMA-Schutzlack Reduzierung des Zuckerwatte-Effektes
Da beim Beschichten der PMMA-Schutzlacke Probleme entstehen können, entstanden Ideen für die Optimierung ihres Beschichtungsverhaltens.
27. Oktober 2014/von AllAdminSafer solvent PMMA-Schutzlack
Aus der Motivation heraus, den Anwendern nicht nur die beste Qualität, sondern auch den höchstmöglichen Gesundheitsschutz zu bieten, wurde ein PMMA-Schutzlack mit dem safer solvent Lösemittel Anisol konzipiert.
27. Oktober 2014/von AllAdminSchutzlack als Sprühresist zur Oberflächenglättung
PMMA-Schichten zeichnen sich durch eine extrem glatte Oberfläche aus. An darauf hin optimierten Resists wurde eine Oberflächenrauigkeit von < 2 nm gemessen. Diese Eigenschaft kann zur Glättung von z.
9. Juli 2013/von AllAdmin2L-Lift-off-System AR-P 617 – AR-P 8100
Anisolische PPA-Lösungen können auf PMMAcoMA 33 (AR-P 617) beschichtet werden. Die einzelnen Schichten addieren sich jeweils, es findet keine Durchmischung statt; eine entscheidende Voraussetzung für die Realisierung definierter 2- und auch 3-Lagensysteme
25. April 2018/von AllAdminHerstellung unterschnittener Strukturen in 3-Lagenprozessen für T-Gates
Für den Aufbau von Dreilagensystemen zur Herstellung von T-Gates gibt es prinzipiell mehrere Möglichkeiten. Entscheidend ist, dass sich die unterschiedlichen Resists bei der Beschichtung nicht vermischen, um einen einheitlichen und gut definierten Schichtaufbau zu gewährleisten.
29. September 2016/von AllAdminVerwendung von PPA in Mehrlagenprozessen
Anisolische PPA-Lösungen können sowohl auf PMMA (600k, 950k), PMMAcoMA (AR-P 617) als auch auf Bottomresist AR-BR 5480 (Alternative zu PMGI) beschichtet werden.
20. Januar 2017/von AllAdminZweilagen-E-Beam Resist System mit Novolaken als Bottomresist
Für Mehrlagenanwendungen in der E-Beam-Lithographie bietet Allresist den vielseitig einsetzbaren Bottomresist AR-BR 5460/5480 an.
19. Januar 2016/von AllAdminAlkalischer Entwickler für Aluminiumsubstrate
Einige Kunden verwenden alkaliempfindliche Aluminiumsubstrate. Das führt zu Problemen wenn die Metalloberfläche im Prozess nicht angeätzt werden darf. Während unser MIF-Entwickler (AR 300-40er) und Entwickler AR 300-26 Aluminiumoberflächen stark angreifen, bleibt die Metalloberfläche bei Einsatz des Entwicklers AR 300-35 weitestgehend unverändert.
20. Mai 2015/von AllAdminAlternativen zu NMP-haltigen Removern
Am 25.09.09 ist die Verordnung (EG) Nr. 790/2009 zur Änderung der EG-GHS-Verordnung (Nr. 1272/2008) über die Einstufung und Kennzeichnung von Stoffen und Gemischen in Kraft getreten.
31. August 2012/von AllAdminEntwickler AR 300-35 für alkaliempfindliche Substrate
Der Einsatz wässrig-alkalischer Entwickler auf alkaliempfindlichen Substraten, wie z.B. Aluminium ist problematisch, da während des Entwicklungsschritts auch das Substrat angegriffen wird.
27. Oktober 2014/von AllAdminEntwickler für CSAR 62 (AR-P 6200)
Zur Entwicklung belichteter CSAR 62 Resistschichten, üblicherweise Tauchentwicklung mit Entwicklungszeiten von etwa 30-60 Sekunden, eignen sich die Entwickler AR 600-546, 600-548 und 600-549.
13. Juni 2014/von AllAdminKundenberater
Bei fachlichen Fragen, Wünschen zu Produktanpassungen und Musterversendungen, kontaktieren Sie bitte unsere Kundenberater.
Matthias Schirmer
Geschäftsführer, Kundenberater
Telefon: 03341 / 35 93 - 0
E-Mail: matthias.schirmer@allresist.de
Dr. Maik Gerngroß
Kundenberater
Telefon: 03341 / 35 93 - 10
E-Mail: maik.gerngross@allresist.de
Unser Qualitätsversprechen
Seit 1992 bieten wir unseren Kunden eine hohe Qualität unserer Produkte bei moderaten Preisen. Durch unsere Forschungsabteilung und unser Ohr am Kunden können wir schnell auf die Bedürfnisse des Marktes eingehen und stetig neue Produktinnovationen anbieten.
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