Einige Anwendungen, z.B. die Herstellung tief-geätzter Strukturen durch Plasmaätzen, erfordert die Prozessierung dickerer Resistschichten, wobei insbesondere für die Elektronenstrahllithographie eine hohe Empfindlichkeit von großer Bedeutung ist. Mit dem hochempfindlichen Resist CSAR 62 können Schichtdicken bis 800 nm (AR-P 6200.13) oder sogar bis 1,5 μm (Experimentalmuster SX AR-P6200/10) erhalten werden. Noch dickere Schichten bis über 2 Mikrometer werden durch Mehrfachbeschichtungen erzeugt.
Abb. 1: AR-P 6200.13: 100-nm-Gräben bei 830 nm hoher Schicht
Als Entwickler eignet sich der AR 600-546. Durch Varianz der eingesetzten Dosis kann der Unterschnitt gezielt eingestellt werden von nahezu senkrechten Flanken bis hin zu ausgeprägten lift-off Architekturen:
Dosis: 1200pC/cm Dosis: 1440 pC/cm Dosis: 1728 pC/cm
Abb. 2: Herstellung von Gräben am MLU (single pixel lines, 30 keV, film thickness 830 nm, period 300 nm, dosage series, developer AR 600-546, 60 s, stop IPA)
E-Beam Resist Positiv