In dem Projekt Entwicklung eines Maskenresists, das noch bis Ende August läuft, liegen schon ausgezeichnete Ergebnisse vor.

So können Strukturen von 40 nm mit einer guten Empfindlichkeit geschrieben werden. Das wird durch die sogenannten Hybrid-Lacke erreicht. Dabei wird die Empfindlichkeit des Standard-E-Beamresists AR-N 7520 (nicht chemisch verstärkt) unter Beibehaltung der exzellenten Auflösung durch den gezielten Zusatz von CAR-Komponenten (chemical amplified resist) deutlich verbessert.

Abschließende Versuche im physikalischen Institut der Martin-Luther-Universität Halle bei Herrn Prof. Georg Schmidt lassen eine weitere Verbesserung der Resultate erwarten. In wenigen Wochen steht der neue E-Beamresist unseren Kunden für Versuche zur Verfügung. Das Paper steht hier zum Download bereit.