Unser Standard-E-Beam Resist AR-N 7520 wird seit Jahren von unseren Kunden erfolgreich eingesetzt. Mit diesem Resist können Strukturen bis zu 40 nm bei einer Flächendosis von ca. 250 µC/cm² realisiert werden. Die relativ geringe Empfindlichkeit führt aber zu langen, unökonomischen Schreibzeiten.

Im Rahmen des wissenschaftlichen Projektes „Maskenresist“ gelang uns eine erhebliche Steigerung der Empfindlichkeit. Die Flächendosis des neuen SX AR-N 7520/4 liegt, in Abhängigkeit von den Prozessparametern, im Bereich von 30–35 µC/cm² (Do 100 nm).

Die maximale Auflösung der Strukturen von 35 nm wird bei einer Empfindlichkeit von 160 pC/cm erreicht. Die Empfindlichkeit konnte somit im Vergleich zum Standardlack um den Faktor 7 gesteigert, die schon exzellente Auflösung noch etwas verbessert werden.

Nach dem Abschluss der letzten Arbeiten im Juli 2012 bieten wir unseren Kunden an, den SX AR-N 7520/4 in ihrem Prozess zu testen. Muster des neuen Elektronenstrahlresists stehen ab August für alle Interessenten bereit.

Die Möglichkeit mit diesem E-Beamresist Strukturen bis zu 35 nm in einer deutlich verkürzten Schreibgeschwindigkeit zu realisieren, hat uns bewogen, ihn zum Resist des Monats Juli zu küren.