Optimierte T-Gate-Strukturen mit Dreilagensystemen aus PMMA, Copolymer 617 und CSAR 62

Resist des Monats Oktober 2016

T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.

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Resist-T-Gate-Struktur (PMMA/PMMAcoMA/PMMA) 

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Dreilagen Schichtaufbau mit PMMA und Copolymer nach der Entwicklung

Der schon länger bekannte Aufbau „PMMA 950k (AR-P 679.03) unten, Copolymer (AR-P 617.08) Mitte, PMMA 50k (AR-P 639.04) oben“ kann nach der Bestrahlung mit den Standardentwicklern AR 600-55 und AR 600-50 entwickelt werden. Nachteilig ist jedoch, dass im Prozess mehrfach der Entwickler gewechselt werden muss. Daher wurde nach einem Entwicklergemisch gesucht, das alle Schichten definiert und ausreichend gut bei gleichzeitig geringen Dunkelabträgen entwickeln kann. Der für diese Anwendung optimierte Spezialentwickler X AR 600-55/1 eignet sich sowohl für die Entwicklung von AR-P 617 als auch  für PMMA und kann daher als universeller Entwickler für 2- oder 3-Lagenprozesse verwendet werden. Die Ausprägung des Unterschnitts kann sehr gut über die Bestrahlungsdosis gesteuert werden.

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Dreilagen Schichtaufbau mit PMMA  und CSAR 62

Bei dem anderen Aufbau „PMMA 950k (AR-P 679.03) unten, Copolymer (AR-P 617.08) Mitte, CSAR 62 (AR-P 6200.09) oben“ wird jede Schicht für sich jeweils mit einem selektiven Entwickler entwickelt. Der Mehraufwand des mehrfachen Entwickelns wird durch die Vorteile einer exakten Einstellung der gewünschten Profile und durch ein großes Prozessfenster der einzelnen Schritte überwogen.

Diese optimierten Entwicklungsprozesse waren für uns der Anlass, die Dreilagensysteme für T-Gates zum Resist des Monats zu wählen. Ausführliche Ergebnisse werden in den nächsten AR NEWS und auf der Webseite der Allresist veröffentlicht. Bei einem Ihrerseits großen Interesse geben wir Ihnen auch gern in einem Gespräch mehr Auskunft.

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