Mittels der LIL können geordnete Strukturen über einen ganzen Wafer erzeugt werden (siehe Bild 3). Dabei können sehr kleine Strukturen bis unter 100 nm Auflösung mit Photoresists hergestellt werden (siehe auch AR NEWS 22. Ausgabe, April 2011).

Ein Problem der LIL sind die „Stehenden Wellen“, die bei der Belichtung auftreten können. In Bild 1 ist die Strukturierung eines herkömmlicher Negativresists mittels Interferenzlithographie abgebildet. Deutlich sieht man die Maxima und Minima der „Stehenden Welle“ in den 100 nm Stegen, von denen einige sogar umgekippt sind. Die Verwendung von Antireflexionsschichten könnte diese lästigen Wellen verhindern.

Es geht jedoch auch einfacher…

Diesen störenden Effekt kann man mit dem neuen Experimentalmuster SX AR-N 4340/8 weitgehend ausblenden. In Bild 2 sind mit diesem Resist hergestellte 60-nm-Stege zu sehen. Durch das Prinzip der Chemischen Verstärkung des Lackes wird die Wirkung der „Stehenden Wellen“ ausgelöscht. Es ist somit möglich, senkrechte Kanten und ggf. sogar einen Unterschnitt für Lift-off-Verfahren zu erzeugen. Alle Proben wurden bei 20° (nominelle Periode 389 nm) und mit einer Laserwellenlänge von 266 nm bestrahlt.

Die Untersuchungen wurden von Dr. Fuhrmann aus dem IZM der Martin-Luther-Universität Halle, unter Leitung von Prof. Dr. G. J. Schmidt, durchgeführt. Allresist arbeitet bei Produktentwicklungen intensiv mit ambitionierten Forschungseinrichtungen zusammen.

Weitere Ergebnisse veröffentlichen wir in den nächsten AR NEWS Gern beantworten wir jedoch schon jetzt Fragen zu dieser Anwendung.

Diese interessanten Ergebnisse sind uns Anlass genug, den SX AR-N 4340/8 zum Resist des Monats zu machen.

Bild 1 Interferenz-Struktur mit dem AR-N 4240

Bild 2 60-nm-Stege des SX AR-N 4340/8

Bild 3 LIL – Metallabscheidung Lift-off- Si RIE Ätzen zur Herstellung von Si- Nanodrähten (alle Bilder IZM der MLU Halle)