Resist des Monats Oktober: Medusa 82 – Alternative zum HSQ

Der Anblick der griechischen Göttin Medusa ließ jeden zu Stein erstarren. Ähnliches kann der E-Beam-resist Medusa 82. Durch Elektronenbestrahlung des Medusa 82-Polymers Silsesquioxane entstehen Strukturen aus SiO2 (Sandstein).

Der HSQ-Resist verfügt über eine exzellente Auflösung und Ätzstabilität. Diese Eigenschaften werden jedoch mit einer geringen Empfindlichkeit und Prozessinstabilität erkauft. Außerdem muss der HSQ für reproduzierbare Ergebnisse schnell verarbeitet werden.

Allresist ist es gelungen, eine Alternative zum HSQ zu entwickeln. Durch eine neue Modifikation des Polymers lässt sich der Resist Medusa 82 sehr einfach handhaben. Jetzt können zwischen Beschichtung, Bestrahlung und Entwicklung jeweils einige Tage liegen, ohne das die Qualität leidet. Ansonsten entsprechen Empfindlichkeit, Ätzverhalten und Auflösung dem HSQ.

11 nm Linien mit Medusa 82 bei einer Dosis von 1250 µC/cm², 30 kV, Raith GmbH

In einer weiteren Variante gelang sogar eine Empfindlichkeitssteigerung um den Faktor 20. Durch Zusatz eines Photosäuregenerators werden für eine vollständige Vernetzung nur noch 60 µC/cm²benötigt. Es ist eine kleine Sensation, dass damit besonders ätzstabile Masken 20-mal schneller geschrieben werden. Unser Forschungsprojekt befindet sich kurz vor dem Abschluss, die Ergebnisse stellt Allresist auf der MNE in Kopenhagen ab 24. September vor.

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